【技术实现步骤摘要】
包括含碳接触件栅栏的半导体装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年9月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0125870的优先权，该申请的专利技术主题以引用的方式全部并入本文中。
[0003]本专利技术构思涉及半导体装置，更具体地，涉及包括含碳接触件栅栏的半导体装置。
技术介绍
[0004]随着半导体装置的集成密度的增加，半导体装置组件的设计规则已减少。因此，在高度缩小的半导体装置中形成将互连线连接至有源区的接触件变得越来越复杂和困难。例如，在高度缩小的半导体装置中被分配给接触件的空间(或区域)已显著变窄，并且因此，相对于窄的空间，执行蚀刻工艺越来越困难。因此，已增加了接触件和有源区之间的未对准的可能性，其中，这样的未对准倾向于降低制造生产率和产量。
技术实现思路
[0005]本专利技术构思的实施例提供了在接触件形成期间更好地促进蚀刻工艺的半导体装置和相关制造方法。结果，根据本专利技术构思的实施例...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：有源区，其由衬底上的隔离膜限定；字线，其位于所述衬底中，所述字线在第一方向上延伸并且与所述有源区交叉；位线，其位于所述字线上方并且在第二方向上延伸；接触件，其位于在所述第一方向上相邻的位线之间，所述接触件连接所述有源区并在竖直方向上延伸；以及接触件栅栏，其设置在所述接触件在所述第二方向上的相对的侧表面中的每个侧表面上并且在所述竖直方向上延伸，其中，所述有源区具有倾斜于所述第一方向延伸的条形，并且所述接触件栅栏包括含碳绝缘膜。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触件栅栏的水平截面具有矩形形状，并且所述接触件栅栏的整体包括含碳绝缘膜。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，当用于形成所述接触件栅栏的沟槽在所述第二方向上具有与所述沟槽的外部部分中的牺牲膜实质上相同的宽度时，通过用所述含碳绝缘膜填充所述沟槽来形成所述接触件栅栏，通过在所述牺牲膜和所述含碳绝缘膜的一部分从其被去除的部分中填充导电膜来形成所述接触件，并且所述接触件在所述第二方向上的宽度大于所述接触件栅栏在所述第二方向上的宽度。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触件栅栏的水平截面具有矩形形状，所述接触件栅栏包括：包括氮化硅膜的中心栅栏和包括含碳绝缘膜的外部栅栏，并且所述外部栅栏设置在所述中心栅栏在所述第一方向上的相对的侧表面中的每个侧表面上。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，当用于形成所述接触件栅栏的沟槽在所述第二方向上具有大于所述沟槽的外部部分中的牺牲膜的宽度时，通过用所述氮化硅膜和所述含碳绝缘膜填充所述沟槽来形成所述接触件栅栏，通过在所述牺牲膜和所述含碳绝缘膜的一部分从其被去除的部分中填充导电膜来形成所述接触件，并且所述接触件在所述第二方向上的宽度与所述接触件栅栏在所述第二方向上的宽度实质上相同。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触件栅栏在与所述接触件的顶表面对应的部分中具有台阶。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，在所述第二方向上，所述接触件栅栏的在所述台阶上方的上部的宽度大于所述接触件栅栏的在所述台阶下方的下部的宽度。8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，在所述第二方向上，所述接触件栅栏的在所述台阶上方的上部的宽度小于所述接触件栅栏的在所述台阶下方的下部的宽度。9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述接触件包括多晶硅膜。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触件栅栏在所述第二方向上的宽
度在所述竖直方向上向上增加，或者在所述接触件栅栏的上部和下部中实质上相同。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述含碳绝缘膜包括碳氧化硅和碳氮氧化硅中的至少一种。12.一种半导体装置，包括：有源区，其由衬底上的隔离膜限定；字线，其位于所述衬底中，所述字线在第一方向上延伸并且与所述有源区交叉；位线，其设置在所述字线上方并且在第二方向上延伸；接触件，其位于在所述第一方向上相邻的位线之间，所述接触件连接至所述有源区并在竖直方向上延伸；以及接触件栅栏，其位于所述接触件在所述第二方向上的相对的侧表面中的每个侧表面上并且在所述竖直方向上延伸，其中，所述有源区具有倾斜于所述第一方向延伸的条形...
【专利技术属性】
技术研发人员：安浚赫，金熙中，李基硕，李明东，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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