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包括含碳接触件栅栏的半导体装置制造方法及图纸
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下载包括含碳接触件栅栏的半导体装置的技术资料
文档序号:37237024
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一种半导体装置,包括;有源区,其由衬底上的隔离膜限定;字线,其位于衬底中,该字线在第一方向上延伸并且与有源区交叉;位线,其位于字线上方并且在第二方向上延伸;接触件,其位于在第一方向上相邻的位线之间,该接触件连接有源区并在竖直方向上延伸;以及...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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