一种除胶沉铜的工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种除胶沉铜的工艺，所述工艺包括依次进行的蓬松处理、凹蚀处理、玻璃蚀刻处理、中和还原处理、除油处理、微蚀处理、预浸处理、活化处理、活化还原处理和化学镀铜处理。本发明专利技术提供的除胶沉铜工艺可以改善玻璃纤维或玻璃填料的咬蚀效果和调整效果，提高基材上沉铜层的覆盖性，增强基材和沉铜层的结合力。增强基材和沉铜层的结合力。

【技术实现步骤摘要】
一种除胶沉铜的工艺


[0001]本专利技术涉及沉铜工艺
，具体涉及一种除胶沉铜的工艺。

技术介绍

[0002]除胶沉铜工艺通常被用于非金属材料的金属化，尤其广泛应用在印制电路板(Printed Circuit Board，PCB)加工、IC载板制造以及电子封装等领域。除胶沉铜工艺在上述领域中用于处理非金属材料，即介电材料，所述介电材料通常含有玻璃纤维或/和玻璃填料。
[0003]通常，除胶沉铜工艺需要采用玻璃调整剂对玻璃纤维或玻璃填料进行表面电荷调整，促进活化钯的吸附，从而形成良好的化学铜沉积层。目前，现有的大部分除胶沉铜工艺中，玻璃调整剂添加在除胶后处理的中和还原液中。对于孔壁玻纤凸出长度较大的PCB，沉铜前还需要采用玻璃蚀刻剂咬蚀掉过长的玻璃纤维；对于IC载板增层膜和电子封装用塑封料，由于其表面分布大量的玻璃填料，沉铜前采用玻璃蚀刻剂处理可以粗化填料表面，并通过对填料的咬蚀在填料与树脂接触位置形成微小空隙，这两方面的作用可以提高基材表面微观粗糙度，提高沉铜层与基材的结合力。
[0004]CN105695964A公开了一种沉铜工艺，包括如下步骤：1)磨板：清洁板面氧化、污渍、残胶等使板面粗化，增加结合力；2)膨胀；3)除胶；4)中和；5)除油：清洁孔壁，提高孔壁对胶体钯的吸附能力；6)微蚀：去除氧化层，提高铜箔表面与化学铜之间的结合力；7)酸洗：清洁铜面，减少铜离子对活化缸的污染；8)预浸：为防止板材将水带到随后的活化槽中，使活化液的浓度和PH值变化影响活化效果；9)活化；10)加速：除去部分包围着钯核的碱式锡酸盐化合物，使钯核完全露出，增强胶体钯的活性；11)沉铜：通过催化作用在孔壁及小铜面沉积一层细致的铜层，使孔壁的树脂以及玻璃纤维表面具有导电性。
[0005]但是，现有工艺一般将玻璃蚀刻剂和玻璃调整剂均添加在除胶后处理的中和还原液中，导致玻璃纤维或玻璃填料在玻璃蚀刻剂的作用下不断露出新的表面，进而表面调整效果受到影响，也极大地影响了玻璃蚀刻的效率。
[0006]因此，提供一种可以兼顾玻璃蚀刻效果和表面调整效果，并且基材与沉铜层之间具有较强结合力的除胶沉铜工艺具有重要意义。

技术实现思路

[0007]针对以上问题，本专利技术的目的在于提供一种除胶沉铜的工艺，与现有技术相比，本专利技术提供的除胶沉铜工艺可以改善玻璃纤维或玻璃填料的咬蚀效果和调整效果，提高基材上沉铜层的覆盖性，增强基材和沉铜层的结合力。
[0008]为达到此专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0009]本专利技术提供一种除胶沉铜的工艺，所述工艺包括以下步骤：
[0010](1)蓬松：采用蓬松液对基材进行蓬松处理，得到蓬松后的基材；
[0011](2)凹蚀：采用凹蚀液对步骤(1)得到的所述蓬松后的基材进行凹蚀处理，得到凹
蚀后的基材；
[0012](3)玻璃蚀刻：采用玻璃蚀刻液对步骤(2)得到的所述凹蚀后的基材进行玻璃蚀刻处理，得到玻璃蚀刻后的基材；
[0013](4)中和还原：采用中和还原液对步骤(3)得到的所述玻璃蚀刻后的基材进行中和还原处理，得到中和还原后的基材；
[0014](5)除油：采用除油液对步骤(4)得到的所述中和还原后的基材进行除油处理，得到除油后的基材；
[0015](6)微蚀：采用微蚀液对步骤(5)得到的所述除油后的基材进行微蚀处理，得到微蚀后的基材；
[0016](7)预浸：采用预浸液对步骤(6)得到的所述微蚀后的基材进行预浸处理，得到预浸后的基材；
[0017](8)活化：采用活化液对步骤(7)得到的所述预浸后的基材进行活化处理，得到活化后的基材；
[0018](9)活化还原：采用活化还原液对步骤(8)得到的所述活化后的基材进行活化还原处理，得到活化还原后的基材；
[0019](10)化学镀铜：将步骤(9)得到的所述活化还原后的基材浸入化学镀铜液中进行化学镀铜处理，然后清洗，得到成品。
[0020]本专利技术提供的除胶沉铜工艺通过依次进行蓬松、凹蚀、玻璃蚀刻、中和还原、除油、微蚀、预浸、活化、活化还原和化学镀铜的组合操作，首先通过蓬松将残胶或树脂基材膨胀，然后进行凹蚀，将膨胀的残胶和树脂氧化去除，再通过玻璃蚀刻将玻璃纤维和玻璃填料咬蚀或表面粗化，之后通过中和还原能够去除残留的锰化合物，露出干净的基材，同时对玻璃表面进行电荷调整，再进行除油能够清洁基材表面并进一步电荷调整，然后通过预浸减少杂质带入活化槽，通过活化在基材表面吸附钯络合物，通过活化还原将离子钯还原成金属钯，最后通过化学镀铜能够在基材上沉积上一层化学铜膜。本专利技术提供的工艺通过先进行玻璃蚀刻，然后再进行中和还原，在中和还原中同时进行玻璃调整，不仅可以改善玻璃纤维或玻璃填料的咬蚀效果和表面调整效果，而且可以提高基材上沉铜层的覆盖性，改善孔壁分离的问题，增强基材和沉铜层之间的结合力。
[0021]本专利技术提供的除胶沉铜工艺既可以用于PCB(Printed Circuit Board，PCB)减成法工艺，也可以用于半加成法(semi
‑
additive process，SAP)工艺，本专利技术中，若采用SAP工艺，步骤(10)所述水洗后，还需进行退火处理，得到成品。
[0022]目前，现有的大部分除胶沉铜工艺中设置有预中和槽，本专利技术中的玻璃蚀刻也可以在预中和槽中进行，即将玻璃蚀刻液放入预中和槽中，而非放入中和还原槽中。
[0023]优选地，步骤(1)所述蓬松处理的温度为40
‑
90℃，例如可以是40℃、50℃、55℃、60℃、65℃、70℃、75℃、80℃、85℃或90℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0024]优选地，所述蓬松处理的时间为0.5
‑
20min；用于PCB减成法工艺时，所述蓬松处理的时间为0.5
‑
10min，例如可以是0.5min、1min、2min、4min、5min、6min、8min或10min，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用；用于SAP工艺时，所述蓬松处理的时间为1
‑
20min，例如可以是1min、2min、4min、5min、6min、8min、10min、12min、14min、
16min、18min或20min，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0025]优选地，所述蓬松处理后进行水洗。
[0026]本专利技术对所述蓬松液的种类没有特殊限定，可以是任何本领域内常用的蓬松液，一般主要成分包括醚类、醇类或酮类中的任意一种或至少两种的组合。
[0027]优选地，步骤(2)所述凹蚀处理的温度为50
‑
95℃，例如可以是50℃、55℃、60℃、65℃、70℃、75℃、80℃、85℃、90℃或95℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0028]优选地，步骤(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种除胶沉铜的工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：(1)蓬松：采用蓬松液对基材进行蓬松处理，得到蓬松后的基材；(2)凹蚀：采用凹蚀液对步骤(1)得到的所述蓬松后的基材进行凹蚀处理，得到凹蚀后的基材；(3)玻璃蚀刻：采用玻璃蚀刻液对步骤(2)得到的所述凹蚀后的基材进行玻璃蚀刻处理，得到玻璃蚀刻后的基材；(4)中和还原：采用中和还原液和玻璃调整液对步骤(3)得到的所述玻璃蚀刻后的基材进行中和还原处理，得到中和还原后的基材；(5)除油：采用除油液对步骤(4)得到的所述中和还原后的基材进行除油处理，得到除油后的基材；(6)微蚀：采用微蚀液对步骤(5)得到的所述除油后的基材进行微蚀处理，得到微蚀后的基材；(7)预浸：采用预浸液对步骤(6)得到的所述微蚀后的基材进行预浸处理，得到预浸后的基材；(8)活化：采用活化液对步骤(7)得到的所述预浸后的基材进行活化处理，得到活化后的基材；(9)活化还原：采用活化还原液对步骤(8)得到的所述活化后的基材进行活化还原处理，得到活化还原后的基材；(10)化学镀铜：将步骤(9)得到的所述活化还原后的基材浸入化学镀铜液中进行化学镀铜处理，然后清洗，得到成品。2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，步骤(1)所述蓬松处理的温度为40
‑
90℃。3.根据权利要求1或2所述的工艺，其特征在于，步骤(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓红，邵永存，牟星宇，魏雯静，章晓冬，刘江波，
申请(专利权)人：上海天承化学有限公司，
类型：发明
国别省市：