System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种抑制剂及其制备方法和应用技术_技高网

一种抑制剂及其制备方法和应用技术

技术编号:40044296 阅读:7 留言:0更新日期:2024-01-16 20:12
本发明专利技术提供一种抑制剂,所述抑制剂的组分以重量份计包括30‑50份含硫氮化合物、70‑90份水和1‑2.5份防腐剂。利用含硫氮化合物被高电位排斥,比较容易到达孔中间的低电流密度区,同时起到运载的作用,使得孔内铜离子、氯离子和光剂充足,电镀速率提高,在结合整平剂的作用,可以很好的把盲孔填平同时提高通孔的TP值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于线路板电镀,具体涉及一种抑制剂及其制备方法和应用


技术介绍

1、在电子工业发展迅速的当下,印刷线路板越来越精细化,高密度集成化,电镀铜有关键性的作用,特别是在载板和半导体的制造中尤为重要;印刷电路板层与层的连接是通过各种孔的金属化来实现的,这些导通的孔包括通孔和盲孔,因此在金属化的过程中会同时遇到通孔和盲孔,这种情况下的电镀铜就叫做“通盲共镀”,特别是填盲孔可镀通孔同时进行时,很难确保在填平盲孔同时通孔能有高的tp值(电镀的深镀能力)。一般的电镀添加抑制剂来确保在填平盲孔同时通孔能有高的tp值,一般在200μm以下的薄板,在盲孔填平的情况下,通孔的tp能达到80%以上。

2、一般的电镀药水含有硫酸铜,有氯离子、光亮剂、抑制剂和整平剂,以提高镀层质量和深镀能力,其中抑制剂主要是起到润湿和运载作用,所以又被称为润湿剂和运载剂,它能很好的把光剂,氯离子和铜运载到低电流密度的孔中间,使得其电镀上铜的速度接近或者大于高电流密度的线路板表面,从而提高通孔的tp值。但是在较厚的线路板上,通孔的厚径比(ar)较大,一般的抑制剂无法满足填盲孔和镀通孔同时进行。

3、cn106757197a公开了一种电镀铜用抑制剂、其用途及含其的电镀铜电镀液,该抑制剂为二甲基胺衍生物取代的聚丙烯酰胺类聚合物,其结构通式为:其中,r代表烷基或烷氧基,n取自n≥2的整数,抑制剂用于制备电镀铜溶液,进而应用于印制线路板图形电镀,能够显著降低图形电镀线路的圆弧度,实现良好的图形电镀效果。cn115190921a涉及一种在基材上沉积金属层的方法,包括使基材与包含金属离子源和抑制剂的金属镀敷浴接触,并向基材施加电流密度,其中抑制剂是如下所述的聚羧酸化物醚。一般的电镀的抑制剂为peg聚醚类;而整平剂为含胺类与缩水甘油醚的反应缩合物、咪唑等化合物与含醚键的聚环氧化合物几类;光剂为sps等,很难在保证将盲孔填平的同时提高通孔的tp值。在较厚的线路板上,通孔的厚径比(ar)较大,一般的抑制剂无法满足填盲孔和镀通孔同时进行。

4、因此,开发一种在保证将盲孔填平的同时提高通孔的tp值的抑制剂用于电镀液的制备,是本领域亟待解决的问题。


技术实现思路

1、针对现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种抑制剂,使ar值较大的通孔和盲孔的填孔同时完成,并提高tp值。

2、为达此目的,本专利技术采用以下技术方案:

3、第一方面,本专利技术提供一种抑制剂,所述抑制剂的组分以重量份计包括30-50份含硫氮化合物、70-90份水和1-2.5份防腐剂。

4、优选地,所述含硫氮化合物的重量份为30-50份,例如可以为30份、32份、35份、40份、45份、48份、50份,以及上述点值之间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。

5、优选地,所述水的重量份为70-90份,例如可以为70份、72份、75份、80份、85份、90份,以及上述点值之间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。

6、所述防腐剂的重量份为1-2.5份,例如可以为1份、1.2份、1.5份、1.8份、2份、2.2份、2.5份,以及上述点值之间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。

7、优选地,所述含硫氮化合物包括十四烷基三甲基硫酸氢铵、十六烷基三甲基对甲苯磺酸铵、四丁基对甲苯磺酸铵、四丙基硫酸氢铵或3-(苄基二甲基铵基)丙烷基磺酸中的任意一种或至少两种的组合。

8、整平剂因为酰胺基含有带正电荷氮,容易吸附于阴极凸起具有尖峰效应的高电位区从而抑制高电位的电镀速率,起到整平作用,同样本专利技术的抑制剂也含有带正电荷的氮或者硫,也能起到整平的作用,因此本专利技术的抑制剂与整平剂有协同的作用,能增强药水的整平性。

9、利用十四烷基三甲基硫酸氢铵、十六烷基三甲基对甲苯磺酸铵、四丁基对甲苯磺酸铵、四丙基硫酸氢铵、3-(苄基二甲基铵基)丙烷基磺酸中含有的磺酸基和硫酸基带负电荷,可以被阴极的高电流密度区的负电荷高密度区排斥,同时氮、硫带有正电荷,被高电位排斥后该抑制剂就比较容易到达孔中间的低电流密度区,同时抑制剂起到运载的作用,使得孔内铜离子、氯离子和光剂充足,电镀速率提高,从而提高tp,在结合整平剂的作用,可以很好的把盲孔填平同时提高通孔的tp值。

10、优选地,所述防腐剂包括硫酸、硫酸铜或甲醛中的任意一种或至少两种的组合。

11、优选地,所述防腐剂包括硫酸的水溶液。

12、优选地,所述硫酸的水溶液中硫酸的质量百分含量为50-98%,例如可以为50%、55%、60%、70%、80%、85%、90%、98%,以及上述点值之间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。

13、优选地,所述防腐剂的浓度为2-10g/l,例如可以为2g/l、3g/l、5g/l、7g/l、8g/l、10g/l,以及上述点值之间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。

14、第二方面,本专利技术提供一种如第一方面所述抑制剂的制备方法,所述制备方法包括:

15、将含硫氮化合物、水和防腐剂混合,得到所述抑制剂。

16、优选地,所述混合的时间为30-60min,例如可以为30min、35min、40min、45min、50min、55min、60min,以及上述点值之间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。

17、优选地,所述混合的温度为20-30℃,例如可以为20℃、22℃、24℃、26℃、28℃、30℃,以及上述点值之间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。

18、第三方面,本专利技术提供一种如第一方面所述的抑制剂图相电路板填盲孔的电镀、线路板通盲共镀中的应用。

19、第四方面,本专利技术提供一种电镀液,所述电镀液包括如第一方面所述的抑制剂。

20、优选地,所述电镀液的组分以重量份计包括:10-20份所述抑制剂、0.5-2份光剂、10-20份整平剂、40-60份铜离子、0.00005-0.00007份氯离子和40-160份硫酸。

21、优选地,所述抑制剂的重量份为10-20份,例如可以为10份、12份、14份、16份、18份、20份,以及上述点值之间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。

22、优选地,所述光剂的重量份为0.5-2份,例如可以为0.5份、0.8份、1份、1.2份、1.5份、1.8份、2份,以及上述点值之间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。

23、优选地,所述整平剂的重量份为10-20份,例如可以为10份、12份本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抑制剂,其特征在于,所述抑制剂的组分以重量份计包括30-50份含硫氮化合物、70-90份水和1-2.5份防腐剂。

2.根据权利要求1所述的抑制剂,其特征在于,所述含硫氮化合物包括十四烷基三甲基硫酸氢铵、十六烷基三甲基对甲苯磺酸铵、四丁基对甲苯磺酸铵、四丙基硫酸氢铵或3-(苄基二甲基铵基)丙烷基磺酸中的任意一种或至少两种的组合。

3.根据权利要求1或2所述的抑制剂,其特征在于,所述防腐剂包括硫酸、硫酸铜或甲醛中的任意一种或至少两种的组合;

4.根据权利要求1-3任一项所述的抑制剂,其特征在于,所述防腐剂的浓度为2-10g/L。

5.一种如权利要求1-4任一项所述抑制剂的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述混合的时间为30-60min。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法,其特征在于,所述混合的温度为20-30℃。

8.一种如权利要求1-4任一项所述的抑制剂在图相电路板填盲孔的电镀、线路板通盲共镀中的应用。

9.一种电镀液,其特征在于,所述电镀液包括如权利要求1-4任一项所述的抑制剂。

10.根据权利要求9所述的电镀液,其特征在于,所述电镀液的组分以重量份计包括:10-20份所述抑制剂、0.5-2份光剂、10-20份整平剂、40-60份铜离子、0.00005-0.00007份氯离子和40-160份硫酸;

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【技术特征摘要】

1.一种抑制剂,其特征在于,所述抑制剂的组分以重量份计包括30-50份含硫氮化合物、70-90份水和1-2.5份防腐剂。

2.根据权利要求1所述的抑制剂,其特征在于,所述含硫氮化合物包括十四烷基三甲基硫酸氢铵、十六烷基三甲基对甲苯磺酸铵、四丁基对甲苯磺酸铵、四丙基硫酸氢铵或3-(苄基二甲基铵基)丙烷基磺酸中的任意一种或至少两种的组合。

3.根据权利要求1或2所述的抑制剂,其特征在于,所述防腐剂包括硫酸、硫酸铜或甲醛中的任意一种或至少两种的组合;

4.根据权利要求1-3任一项所述的抑制剂,其特征在于,所述防腐剂的浓度为2-10g/l。

5.一种如权利要求1-4任一项所述抑制剂的制备方法,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄叔房钱后才王科林章清章晓冬
申请(专利权)人:上海天承化学有限公司
类型:发明
国别省市:

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