【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例属于电子电路材料加工，具体为一种高阶低轮廓反转铜箔及其制备方法和应用。
技术介绍
1、随着信息技术向高频高速数字化、网络化方向迅速发展，超大容量的信息传输，超快速度和超高密度的信息处理，已成为信息技术追求的目标。目前市场上，电子铜箔作为覆铜板(ccl)，印刷线路板(pcb)以及锂离子电池的关键组成材料之一，广泛的应用于计算机、5g通讯、电讯仪表、家用电器、动力用锂电池、储能用锂电池数码等行业。近年来，随着5g通信技术、人工智能应用技术、物联网及互联网技术得到广泛应用与发展，驱动了国际pcb产业朝着高速高频化、高耐热、薄型及高密度化等方向快速发展。这就需要电子铜箔在pcb的高频信号完整性(si)、散热性、可靠性、多功能性等各方面都要有所提升。因此对电子铜箔的性能要求也是越来越高。
2、电子铜箔作为电子产品中信号传输的关键材料，它的表面轮廓度大小对信号传送损失的影响十分重要。常规电子铜箔由于其毛面粗糙度较大，无法满足高频高速信号的传输需求。为了减少高频信号在高速传输中的信号损失和衰减，需要采用表面粗糙度更低的高性能电子铜箔，例如反转铜箔(rtf)。通常，反转铜箔主要采用辊式连续电解法生产，电解生产中与阴极辊接触的生箔一侧为光面，为平整状结构形态，另一侧为毛面，为凹凸的峰谷状结构形态。不同于普通的高温高延伸率铜箔(hte)，反转铜箔是在生箔粗糙度较低的光面进行表面处理工艺。
3、但是上述中的现有技术方案存在以下缺陷：现有技术中的反转铜箔，存在无法在降低铜箔粗糙度的同时增加耐热性能和剥离强度的问题
技术实现思路
1、本专利技术实施例的目的在于提供一种高阶低轮廓反转铜箔，以解决上述
技术介绍
中提出的现有反转铜箔存在无法在降低铜箔粗糙度的同时增加耐热性能和剥离强度的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：
3、一种高阶低轮廓反转铜箔，具体是在电解液中进行电镀生成生箔，然后将生箔依次经过粗化、固化、黑化、镀锌防氧化及涂覆偶联剂制得；其中，所述电解液中包含生箔添加剂，且所述生箔添加剂为明胶、纤维素、胶原蛋白中一种或者多种组合。
4、优选的，所述高阶低轮廓反转铜箔的剥离强度大于0.55n/mm、处理面粗糙度小于2.1μm。
5、优选的，所述涂覆偶联剂采用的偶联剂为氨基硅烷、环氧基硅烷、乙烯基硅烷、酰氧基硅烷及烷基硅烷中的一种或多种复合组成。
6、本专利技术实施例的另一目的在于提供一种高阶低轮廓反转铜箔的制备方法，所述的高阶低轮廓反转铜箔的制备方法，包括以下步骤：
7、在温度为45-55℃、电流密度为7000-8000a/m2条件下于电解液中进行电镀生成生箔，然后将生箔依次在粗化液中进行粗化、在固化液中电镀进行固化、在黑化液中黑化、在镀锌液中镀锌防氧化，最终在镀锌防氧化形成的铜箔表面涂覆硅烷偶联剂，于130-175℃烘干，得到高阶低轮廓反转铜箔。
8、优选的，所述的高阶低轮廓反转铜箔作为一种5g通讯用高阶低轮廓反转铜箔，其制备方法包括如下步骤：
9、1)通过调节生箔添加剂成分和含量，生箔电流40ka，铜牙大小均一，分布均匀，且光面粗糙度rz≤1.6μm；
10、2)对生箔进行酸洗；
11、3)经过酸洗后的生箔光面进行粗化处理，优选的在粗化阶段采取低铜低酸电解液，研究开发一种光面微细瘤化处理新工艺，使光面瘤化颗粒小，分布均匀；
12、4)经过粗化处理后的铜箔进行固化处理，对粗化层颗粒进行加固，增加铜箔表面的比表面积，有效抑制粗化颗粒脱落，避免成品箔铜粉的产生；
13、5)对固化处理后的铜箔进行黑化处理，优选的在黑化工序研究开发一种新型耐热阻挡层电镀工艺，解决铜箔受热剥离脱落问题；
14、6)对铜箔进行镀锌防氧化处理；
15、7)最终在铜箔表面涂覆一层硅烷偶联剂，烘干，得到一种5g通讯用新一代低轮廓rtf电子铜箔。
16、本专利技术实施例的另一目的在于提供一种采用上述的制备方法制备得到的高阶低轮廓反转铜箔。
17、本专利技术实施例的另一目的在于提供一种上述的高阶低轮廓反转铜箔在制备通讯电子设备中的应用。
18、与现有技术相比，本专利技术实施例的有益效果是：
19、与现有技术相比，本专利技术实施例提供的高阶低轮廓反转铜箔是在电解液中进行电镀生成生箔，然后将生箔依次经过粗化、固化、黑化、镀锌防氧化及涂覆偶联剂等工序制成，在降低铜箔粗糙度的同时，增加了铜箔的耐热性能和剥离强度。所制备的高阶低轮廓反转铜箔无任何性能和外观缺陷，可以应用到5g用通讯电子设备中，且性能合格，无任何品质问题，有利于促进国内通讯事业的发展，解决了现有反转铜箔存在无法在降低铜箔粗糙度的同时增加耐热性能和剥离强度的问题。而且，本专利技术实施例提供的高阶低轮廓反转铜箔的制备方法简单，通过开发新型组合有机生箔添加剂降低生箔光面粗糙度≤1.6μm，开发新型瘤化添加剂、光面微细瘤化处理新工艺、控制处理面粗糙度≤2.1μm，开发耐热阻挡层及防氧化处理工艺及新型复合偶联剂体系核心工艺，将铜箔剥离强度提高至0.55n/mm以上(ppo基材)，显著提高了铜箔与高频高速基材间的剥离强度和高耐热性，解决了低粗糙度处理面剥离强度低的难题，具有广阔的市场前景。
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1.一种高阶低轮廓反转铜箔，其特征在于，所述高阶低轮廓反转铜箔是在电解液中进行电镀生成生箔，然后将生箔依次经过粗化、固化、黑化、镀锌防氧化及涂覆偶联剂制得；其中，所述电解液中包含生箔添加剂，且所述生箔添加剂为明胶、纤维素、胶原蛋白中一种或者多种组合。
2.根据权利要求1所述的高阶低轮廓反转铜箔，其特征在于，所述高阶低轮廓反转铜箔的剥离强度大于0.55N/mm、处理面粗糙度小于2.1μm。
3.根据权利要求2所述的高阶低轮廓反转铜箔，其特征在于，在所述电解液中，硫酸浓度是90-130g/L、二价铜离子浓度是50-90g/L；所述生箔添加剂的原料包括300-3000ppm明胶、5-20ppm胶原蛋白、30-300ppm纤维素。
4.根据权利要求3所述的高阶低轮廓反转铜箔，其特征在于，在所述粗化所使用的粗化液中，Cu2+浓度为5-25g/L，硫酸浓度为70-130g/L，WO42-的浓度为30-50ppm，氯离子的浓度不大于30ppm。
5.根据权利要求4所述的高阶低轮廓反转铜箔，其特征在于，所述固化是将粗化后的生箔在温度35-45℃、一
6.根据权利要求5所述的高阶低轮廓反转铜箔，其特征在于，在所述黑化使用的黑化液中，Ni2+浓度为1-5g/L，锆离子浓度为0-0.1g/L，钴离子浓度为10-60ppm，pH值为5.0-14.0。
7.根据权利要求6所述的高阶低轮廓反转铜箔，其特征在于，在所述镀锌防氧化使用的镀锌液中，Zn2+浓度为4-8g/L，焦磷酸钾40-80g/L，且镀锌液pH值为8.5-10。
8.根据权利要求7所述的高阶低轮廓反转铜箔，其特征在于，所述涂覆偶联剂采用的偶联剂为氨基硅烷、环氧基硅烷、乙烯基硅烷、酰氧基硅烷及烷基硅烷中的一种或多种复合组成。
9.一种如权利要求1-8任一所述的高阶低轮廓反转铜箔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
10.一种如权利要求1或2或3或4或5或6或7或8所述的高阶低轮廓反转铜箔在制备通讯电子设备中的应用。
...【技术特征摘要】
1.一种高阶低轮廓反转铜箔，其特征在于，所述高阶低轮廓反转铜箔是在电解液中进行电镀生成生箔，然后将生箔依次经过粗化、固化、黑化、镀锌防氧化及涂覆偶联剂制得；其中，所述电解液中包含生箔添加剂，且所述生箔添加剂为明胶、纤维素、胶原蛋白中一种或者多种组合。
2.根据权利要求1所述的高阶低轮廓反转铜箔，其特征在于，所述高阶低轮廓反转铜箔的剥离强度大于0.55n/mm、处理面粗糙度小于2.1μm。
3.根据权利要求2所述的高阶低轮廓反转铜箔，其特征在于，在所述电解液中，硫酸浓度是90-130g/l、二价铜离子浓度是50-90g/l；所述生箔添加剂的原料包括300-3000ppm明胶、5-20ppm胶原蛋白、30-300ppm纤维素。
4.根据权利要求3所述的高阶低轮廓反转铜箔，其特征在于，在所述粗化所使用的粗化液中，cu2+浓度为5-25g/l，硫酸浓度为70-130g/l，wo42-的浓度为30-50ppm，氯离子的浓度不大于30ppm。
5.根据权利要求4所述的高阶低轮廓反转铜箔，其特征在于，所述固化是将粗化后的生...
【专利技术属性】
技术研发人员：李大双，吴斌，王同，陆冰沪，丁士启，甘国庆，高钰，贾金涛，郑小伟，
申请(专利权)人：安徽铜冠铜箔集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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