由旋涂上的陶瓷薄膜组成的构图层制造技术

本发明专利技术包括一种形成硬掩模的方法，包括以下步骤：使聚合物预陶瓷前体薄膜沉积在基材的顶上；将聚合物预陶瓷前体薄膜转化成至少一个陶瓷层，其中陶瓷层的组成为Ｓｉ↓［ｖ］Ｎ↓［ｗ］Ｃ↓［ｘ］Ｏ↓［ｙ］Ｈ↓［ｚ］，其中０．１≤ｖ≤０．９，０≤ｗ≤０．５，０．０５≤ｘ≤０．９，０≤ｙ≤０．５，０．０５≤ｚ≤０．８，ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１；在陶瓷层的顶上形成已构图的光致抗蚀层；对陶瓷层构图，以将衬底基材的区域曝光，其中衬底基材的剩余区域被已构图的陶瓷层保护；并且将衬底基材的曝光区域蚀刻。本发明专利技术的另一个方面是掩埋的蚀刻停止层，其具有组成Ｓｉ↓［ｖ］Ｎ↓［ｗ］Ｃ↓［ｘ］Ｏ↓［ｙ］Ｈ↓［ｚ］，其中０．０５＜ｖ＜０．８，０＜ｗ＜０．９，０．０５＜ｘ＜０．８，０＜ｙ＜０．８，０．０５＜ｚ＜０．８，ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本专利技术要求了于2003年1月29日提交的美国临时专利申请60/443,361的权益，其内容和披露完全阐述在此结合作为参考。
技术介绍
专利
本专利技术涉及采用陶瓷层作为构图层。更特别地，其涉及使用陶瓷层制备作为集成电路和微电子器件的一部分的金属互连结构体。本专利技术提供了两个主要优点。首先，由于可以通过任何基于溶剂的方法例如旋涂施涂薄膜，陶瓷层加工是容易的。其次，陶瓷层独特的化学组成提供了在通过基于溶液的方法涂覆的典型层之间显著的化学对比。
技术介绍
采用硬掩模构图层和掩埋的蚀刻停止层被通常用于制备作为集成电路和微电子器件的一部分的金属互连结构体。为了成功使用这些层，通常需要许多特性。第一，它们应该可通过使用光刻掩模的干蚀刻方法(例如反应活性离子蚀刻)而确定，并且具有提供给其他层以化学对比的组成，以使得可以容易地生成结构体。第二，它们可能需要对在其中出现构图层未对准的情况下所需的光致抗蚀剂重制步骤，例如氧化性等离子体、还原性等离子体、酸性润湿浴等具有抵抗性。第三，它们必须展现出热稳定性，以使得它们可以经受需要升高的温度加工的其他过程。第四，它们需要对邻近层足够的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成硬掩模的方法，包括：使至少一个聚合物预陶瓷前体薄膜沉积在具有至少一个层的基材的顶上；将所述至少一个聚合物预陶瓷前体薄膜转化成至少一个陶瓷层，所述至少一个陶瓷层的组成为Ｓｉ↓［ｖ］Ｎ↓［ｗ］Ｃ↓［ｘ］Ｏ↓［ｙ］Ｈ↓［ｚ ］，其中０．１≤ｖ≤０．９，０≤ｗ≤０．５，０．０５≤ｘ≤０．９，０≤ｙ≤０．５，０．０５≤ｚ≤０．８，ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１；在所述至少一个陶瓷层的顶上形成已构图的光致抗蚀层；对所述至少一个陶瓷层构图，以将所述衬底基材的一 个或多个区域曝光，其中所述衬底基材的剩余区域被至少一个已构图的陶瓷层保护；将所述基材的所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：SM盖茨，JC赫德里克，EE黄，D普菲弗，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]