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本发明包括一种形成硬掩模的方法，包括以下步骤：使聚合物预陶瓷前体薄膜沉积在基材的顶上；将聚合物预陶瓷前体薄膜转化成至少一个陶瓷层，其中陶瓷层的组成为Ｓｉ↓［ｖ］Ｎ↓［ｗ］Ｃ↓［ｘ］Ｏ↓［ｙ］Ｈ↓［ｚ］，其中０．１≤ｖ≤０．９，０≤ｗ≤０．５...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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