电路成形基板制造方法和用于制造电路成形基板的材料技术

在形成于材料板中的孔内形成导电部分。在材料板的表面上设置金属箔来提供积层板。将积层板加热加压来提供电路成形基板。金属箔包括压力吸收部分和与压力吸收部分相邻接的坚硬部分。压力吸收部分的厚度因对其施加的压力而改变。用该方法提供的电路成形基板可以提供具有可靠电连接的高品质的高密度电路基板。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造电路形成基板的方法，该电路形成基板用于提供在各种电子设备中使用的电路基板，以及涉及用于制造电路成形基板的材料。
技术介绍
随着近年来电子设备的小型化和高密度化，具有安装于其上的电子元件的电路基板从单面电路基板变为双面、多层电路基板。因而开发出了可以集成越来越多电路和元件的高密度电路基板。图5A到图5G是用于制备电路基板的传统电路成形基板的剖面图，用于说明日本专利公开第6-268345号中所公开的所述电路基板的制造方法。如图5A所示，通过利用例如热辊的层压法，将薄膜17贴附到半固化片(pre-preg)12的两个表面。半固化片12由浸入诸如环氧树脂的热固性树脂的清漆(varnish)的玻璃纤维织物(增强材料)干燥后获得。半固化片12处于B阶段(B-stage)且具有100μm的厚度。薄膜17由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)制造，厚度为20μm。薄膜17可以用诸如环氧树脂的热固性树脂涂布。如图5B所示，通孔18通过诸如激光技术的工艺形成于半固化片12中。接下来，如图5C所示，用由热固性树脂、硬化剂、溶剂和诸如铜粉的导电粒子混合制得的导电膏(conductive paste)13填充通孔18。之后，如图5D所示，将薄膜17剥离。导电膏13从半固化片12上突出。然后，在半固化片12的两个表面都设置铜箔19。然后，通过热压设备(未图示)对铜箔19加压以加热半固化片12、铜箔19和导电膏13。如图5E所示，该操作使半固化片12热硬化并压缩导电膏13以使其与铜箔19电连接。此时，半固化片12中浸渍的树脂流到半固化片12的外面，成为树脂12A。然后，如图5F所示，切除端部的多余部分，由此提供电路形成基板。然后，将铜箔19蚀刻为预定的电路图案以得到图5G所示的电路图案15，从而提供双面电路基板。将该板切割来提供具有预定尺寸的电路基板16。为防止电路图案上附着多余的焊料，可以在电路图案15上形成焊料抗蚀剂。电路图案15可能还要经过最终处理，例如镀覆(plating)处理。图6A到图6E是用图5A到图5F所示方法制造的电路基板16获得的多层电路基板的剖面图，用以说明多层电路基板的制造方法。在作为核心的电路基板16的两个表面都定位和放置了用导电膏13A填充的半固化片12B和铜箔19A，并将其加热加压以提供其两个表面都有电路图案15A的多层电路基板20。在图5A到图5G所示的电路基板制造方法中，通过例如热压设备加热加压的导电膏13和13A可能导致如下问题。图7A到图7C为图5A到图5G所示的电路成形基板的剖面图。如图7A所示，将铜箔19放置在具有填充有导电膏13的通孔18的半固化片12的两个表面上。这些被夹在金属板14中间，被加热加压而被压缩。如图7B所示，施加于其的压力可以引起导电膏13变形，从而扭曲导电膏13的形状。然后，如图7C所示，形成电路图案15，导电膏13成为彼此相邻的层间连接部分13B和13C。如果是高密度电路基板，则由于导电膏13的变形引起层间连接部分13B和13C之间的绝缘距离减小，因而减弱了导电膏之间的电绝缘。对将半固化片12加热加压时，浸入半固化片12的树脂流动。当施加于导电膏13的压力过大时，导电膏13在面内方向12D上的延伸的比厚度方向12C上的压缩更大。因此，导电膏13中的导电粒子未被强烈地挤压而不相互接触，使得不能获得充分的电连接。如果每个通孔18的直径小于半固化片12的厚度，这种现象尤为明显。如图6A到图6G所示，制造多层电路基板20期间，作为中心的电路基板16具有由电路图案15提供的粗糙表面且厚度不均。电路基板16的粗糙表面和厚度不均导致两个表面上的导电膏13A在加热加压时不能平衡(unstably)地被压缩，因此使导电膏13更容易变形。
技术实现思路
在形成于材料板上的孔内形成导电部分。在材料板的表面上放置金属箔来提供积层板。将积层板加热加压以提供电路成形基板。金属箔包括压力吸收部分和与压力吸收部分相邻接的坚硬部分。压力吸收部分的厚度随施加于其的压力而改变。通过该方法提供的电路成形基板提供具有可靠电连接的高品质的高密度电路基板。附图说明图1A是用于示出根据本专利技术的一个示范性实施例的电路成形基板制造方法的电路成形基板剖面图。图1B是用于示出根据该实施例的电路成形基板制造方法的电路成形基板剖面图。图1C是用于示出根据该实施例的电路成形基板制造方法的电路成形基板剖面图。图1D是用于示出根据该实施例的电路成形基板制造方法的电路成形基板剖面图。图1E是加工根据实施例的电路成形基板中所用金属箔的加工设备的示意图。图2A是用于示出根据该实施例的电路基板制造方法的电路基板剖面图。图2B是用于示出根据该实施例的电路基板制造方法的电路基板剖面图。图2C是用于示出根据该实施例的电路基板制造方法的电路基板剖面图。图2D是用于示出根据该实施例的电路基板制造方法的电路基板剖面图。图2E是用于示出根据该实施例的电路基板制造方法的电路基板剖面图。图3是根据该实施例的电路基板的另一金属箔的剖面图。图4A是用于示出根据该实施例的电路成形基板制造方法的另一电路成形基板剖面图。图4B是用于示出根据该实施例的电路成形基板制造方法的另一电路成形基板剖面图。图4C是用于示出根据该实施例的电路成形基板制造方法的另一电路成形基板剖面图。图5A是用于示出电路成形基板制造方法的传统电路成形基板剖面图。图5B是用于示出电路成形基板制造方法的传统电路成形基板剖面图。图5C是用于示出电路成形基板制造方法的传统电路成形基板剖面图。图5D是用于示出电路成形基板制造方法的传统电路成形基板剖面图。图5E是用于示出电路成形基板制造方法的传统电路成形基板剖面图。图5F是用于示出电路成形基板制造方法的传统电路成形基板剖面图。图5G是用于示出电路成形基板制造方法的传统电路成形基板剖面图。图6A是用于示出电路基板制造方法的传统电路基板剖面图。图6B是用于示出电路基板制造方法的传统电路基板剖面图。图6C是用于示出电路基板制造方法的传统电路基板剖面图。图6D是用于示出电路基板制造方法的传统电路基板剖面图。图6E是用于示出电路基板制造方法的传统电路基板剖面图。图7A是用于示出电路成形基板制造方法的传统电路成形基板剖面图。图7B是用于示出电路成形基板制造方法的传统电路成形基板剖面图。图7C是用于示出电路成形基板制造方法的传统电路成形基板剖面图。附图标记1铜箔1a压力吸收部分2材料板3导电膏4金属板5电路图案6可变形层10电路基板具体实施方式图1A到图1D是用于示出根据本专利技术一个实施例的电路成形基板制造方法和用于制造电路基板的材料的剖面图。图1E是用于加工在电路基板中使用的铜箔1的加工设备的示意图。用于制造本实施例中电路成形基板的金属箔的铜箔1具有18μm的厚度。铜箔1作为用于制造电路成形基板的材料，在由阴极鼓1101输送时，经过硫酸铜的水溶液102。此时，在铜箔1不接触阴极鼓1101的表面1B上，通过电解作用电沉积并生长了一定量的铜，且形成了粗糙度，由此提供了十点平均粗糙度(Rz)约为10μm的粗面1B。在与表面1B相反而与阴极鼓1101相接触的铜箔1的表面1C上，提供突起状的铜以粗化表面1C，由此提供粗糙度Rz约为5μm的表面1C。于是，铜箔1具本文档来自技高网...

【技术保护点】
制造电路成形基板的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供金属箔，所述金属箔具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述金属箔包括压力吸收部分和坚硬部分，所述压力吸收部分设置于所述第一表面，所述坚硬部分与所述压力吸收部分相邻接，所述 压力吸收部分的厚度因施加于其上的压力而改变；提供表面上形成有孔的材料板；在所述材料板上的所述孔内形成导电部分；在所述材料板的所述表面上设置所述金属箔以提供积层板；以及加热加压所述积层板。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：西井利浩，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]