提供一种能够简单地形成较大的厚度,即使墨水的击中直径较小,线宽中也没有击中痕迹的导电性图案的形成方法。疏液剂(80)在围堰上面(12e)中具有对水110°以上的高接触角,因此对导电性液状材料(11)的接触角(θ)也很大。另外,围堰沟部(20)具有亲水性,因此,到达基板(10)的导电性液状材料(11),从设置在围堰上面(12e)中的疏液剂(80)受到压缩力,相反,从围堰沟部(20)受到张力。因此,导电性液状材料(11)能够沿着围堰沟部(20)的沟,在该纸面的垂直方向的前后扩展。另外,在围堰沟宽(B)大于液滴的大小(D)的情况下,可以更加稳定地将导电性液状材料(11)容纳在围堰沟部(20)中。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种使用喷墨方式的金属布线制造工序。
技术介绍
喷墨方式的图案形成中,要进行基于设置在基板上的凸起状分隔部件(以下称作围堰)的图案的细微化。为了将通过喷墨方式所喷出的导电性材料液体(有效称作墨水),容纳在通过围堰于基板所形成的凹部(以下称作围堰沟部)中,而让围堰具有疏液性,让基板具有亲水性,从而防止模式越过围堰(例如专利文献1)。专利文献1特开2002-305077号公报但是,在形成流通比较大的电流的导电性图案的情况下,为了让导电性图案自身的电阻值较低,而必需使其较厚,但由于围堰呈疏液性,因此能够滞留在通过围堰于基板所形成的凹部的墨水的量是非常有限的,无法确保导电性图案的厚度,作为流通较大的电流的导电性图案是很不理想的。另外,在通过喷墨方式所喷出的墨水到达基板的情况下,所到达的墨水,主要由墨水自身的粘度于基板的表面张力之间的关系决定所到达的墨水的大小(以下称作击中直径)。如果在基板上设置宽度比该击中直径小的凹部,将墨水喷到该凹部中,则围堰的上面会残留墨水(以下称作击中痕迹)。该击中痕迹与容纳在围堰中的墨水一起被施以热处理,由于击中痕迹自身也具有导电性,因此对基板的电气可靠性造成了损害。
技术实现思路
因此,本专利技术的目的在于,提供一种能够简单地形成较大的厚度,即使墨水的击中直径较小,线宽中也没有击中痕迹的。为解决上述问题,本专利技术的要点在于,包括在基板上形成围堰的工序;以及在上述围堰的上面的一部分或全部中涂布疏液剂的工序。通过像这样包括在基板上形成围堰的工序;以及在该围堰的上面的一部分或全部中涂布疏液剂的工序,在通过喷墨方式所喷出的墨水喷到围堰的上面的情况下,通过涂布在围堰的上面的一部分或全部中的疏液剂,能够防止墨水残留在围堰的上面。这样能够得到在围堰上面没有击中痕迹的导电性图案。本专利技术的要点在于,包括在基板上形成围堰的工序;让上述基板与上述围堰的一部分或全部亲水化的工序;以及在上述围堰的上面的一部分或全部中涂布疏液剂的工序。通过这样,能够得到在墨水的击中直径较小的线宽中没有击中痕迹的导电性图案。本专利技术的要点在于,疏液剂附着在作为与上述基板分开的部件的原版部件上,让上述原版部件与上述基板上的上述围堰的上面相接触,通过这样来将上述疏液剂转写到上述围堰的上面的一部分或全部中。这样一来,由于能够让疏液剂附着在作为与基板分开的部件的原版部件上,让原版部件与基板上的围堰的上面相接触,通过这样来将疏液剂转写到围堰的上面的一部分或全部中,因此,内部在围堰的上面或全部中设置疏液剂,而不会给亲水化的围堰沟带来影响。本专利技术的要点在于,围堰通过光刻法或转写法或印刷法形成。通过这样,能够形成具有比墨水的击中直径小的线宽的围堰。本专利技术的要点在于,围堰的材质是无机材料或有机材料。通过这样,本专利技术的适用能够与围堰的材质无关。本专利技术的要点在于,围堰的高度在1μm以上。通过这样,在围堰上面的一部分或全部中设置疏液剂时,如果围堰的高度为1μm以上,边能够防止疏液剂辅助在围堰的沟中。本专利技术的要点在于,让上述基板与上述围堰的一部分或全部亲水化的工序,包括臭氧氧化处理、等离子处理、电晕处理、紫外线照射处理、电子射线照射处理、酸处理、碱处理中的任一个处理。通过这样,通过让上述基板与上述围堰的一部分或全部亲水化的工序,包括臭氧氧化处理、等离子处理、电晕处理、紫外线照射处理、电子射线照射处理、酸处理、碱处理中的任一个处理,能够让基板与围堰的一部分或全部亲水化。本专利技术的要点在于,原版部件,是平板状或滚筒状。通过这样,能够容易地将附着在平板状或滚筒状原版部件中的疏液剂,转写到形成在基板上的围堰上面的一部分或全部中,让围堰上面的一部分或全部具有疏液性。本专利技术的要点在于,上述原版部件的材质,是至少包括硅氧烷结构的弹性体。通过这样,由于原版部件的材质,是至少包括硅氧烷结构的弹性体,因此能够得到弹性体原版部件,提高基板与围堰的一部分或全部之间的密合性。另外,还能够确保抗疏液剂性。本专利技术的要点在于,上述疏液剂是硅烷偶联剂或呈现出疏液性的高分子。通过这样,由于疏液剂是硅烷偶联剂或呈现出疏液性的高分子,因此围堰上面的一部分或全部中具有强疏液性,能够稳定地将墨水容纳在围堰沟部中。附图说明图1为说明基板以及在该基板上形成图案的工序的流程图。图2(a)~(f)为说明通过光刻法对围堰膜进行蚀刻,形成围堰的工序的基板剖面图。图3(a)、(b)为说明通过转写法形成围堰的工序的基板剖面图。图4(a)~(c)为说明通过印刷法对围堰膜进行蚀刻,形成围堰的工序的基板剖面图。图5为说明通过图1的流程图中的印刷法,直接形成围堰的工序(S102、S103)的基板剖面图。图6(a)~(c)为说明通过基于压花法的印刷法直接形成围堰的工序的基板剖面图。图7(a)~(c)为说明通过基于压印法的印刷法直接形成围堰的工序的基板剖面图。图8(a)~(e)为说明通过图1的流程图中的光刻法,对基板进行蚀刻形成围堰的工序(S121、S124、S125)的基板剖面图。图9(a)~(d)为说明通过图1的流程图中的转写法,对基板进行蚀刻形成围堰的工序(S122、S124、S125)的基板剖面图。图10(a)~(c)为说明通过图1的流程图中的印刷法,对基板进行蚀刻形成围堰的工序(S123、S124、S125)的基板剖面图。图11(a)为制作平板状原版部件时的俯视图,(b)为制作平板状原版部件时的图11(a)的A-A剖面图,(c)为所完成的平板状原版部件的立体图。图12(a)为涂布有疏液剂80的原版部件51的剖面图,(b)为说明将涂布有疏液剂80的原版面54a与基板10的围堰上面12e相接触,将原版面54a的疏液剂80,转写到基板10的围堰上面12e上的基板10以及原版部件51的剖面图,(c)为说明将原版部件51从基板10的围堰上面12e上脱离,将疏液剂80转写到基板10的围堰上面12e上之后的状态的基板10的剖面图。图13(a)为液滴喷头200全体的剖面立体图,(b)为喷出部的详细剖面图。图14(a)~(c)为说明从液滴喷头200所喷出的导电性液体材料11与基板10之间的关系的剖面图。图15(a)、(b)为说明制作环状原版部件61的工序的俯视图、剖面图,(c)为说明从模框62中所取出的环形原版部件61的立体图。图16为说明通过压花印刷法形成围堰,同时在必要的围堰膜12a的围堰上面12e中涂布疏液剂80的工序的基板剖面图。图17(a)为说明设置用来放置TFT的栅电极的方法的基板的局部俯视图,(b)为基板的部分剖面图。图中B...围堰沟宽,D...液滴的大小,L...击中直径,θ...接触角,10...基板,10a...表面,10b...图案,11、11a、11b...导电性液体材料,11c、11d...边界,12...围堰膜,12a、12aa、12ab、12ac...必要围堰膜,12b...不需要围堰膜,12c、12d...围堰壁侧面,12e...围堰上面,14...保护层,14a...必要保护层,14b...不需要保护层,16...光掩膜,16a...光掩膜图案,20...围堰沟部,30...薄膜,31...围堰壁,32...滚筒,33a...导电层用墨水,50...疏液剂,51...与基板材料不同的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种导电性图案的形成方法,其特征在于,包括:在基板上形成围堰的工序;以及向所述围堰的上面的一部分或全部涂布疏液剂的工序。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:丰田直之,
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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