一种超导磁体双接头的绝缘处理方法技术

本发明专利技术涉及聚变装置绝缘处理领域，公开了一种超导磁体双接头的绝缘处理方法，其中方法应用于在对超导磁体的整体线圈绝缘处理完成后，所述超导磁体线圈的双接头的单独绝缘处理过程。根据超导磁体双接头的特殊形状，对双接头处进行包绕绝缘层的绝缘处理。本发明专利技术为超导磁体线圈具备双接头的导体表面绝缘材料尺寸均匀和全包覆提供一种切实可行的解决方案。本发明专利技术的结构简单，操作简便，且能够保证绝缘强度及尺寸上的要求。度及尺寸上的要求。度及尺寸上的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种超导磁体双接头的绝缘处理方法


[0001]本专利技术涉及聚变装置绝缘处理
，特别是涉及一种超导磁体双接头的绝缘处理方法。

技术介绍

[0002]热核聚变能未来将作为一种清洁可持续能源为人类提供取之不尽，用之不竭的能量。为实现这一目标，国际热核聚变试验堆（ITER）将在未来十年内建成并实验。而作为为聚变提供高温等离子体约束的超导线圈的制造将是该计划极其重要的组成部分。由于超导线圈工作在非常苛刻的环境下，所以线圈的绝缘必须满足在复杂机械、电磁和热应力载荷下的电气绝缘性能要求。为保证不规则管路的绝缘性能，需要对其进行绝缘处理。目前针对不规则管路的绝缘处理方法上仍无现成经验可循。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种超导磁体双接头的绝缘处理方法，以解决目前针对不规则管路的绝缘处理方法上仍无现成经验可循问题。
[0004]为达到上述目的，本专利技术提供一种超导磁体双接头的绝缘处理方法，所述方法应用于在对超导磁体的整体线圈绝缘处理完成后双接头的单独绝缘处理过程，包括以下步骤：S1、对氦管及所述双接头半叠包包绕一层预浸渍带；S2、将Kapton薄膜按照第一预设形状对所述双接头的两端斜坡处进行一层包绕，直至所述双接头处的导体及氦管的第一预设尺寸处，并对具有所述第一预设形状的Kapton薄膜表面半叠包一层所述预浸渍带；对所述双接头半叠包一层复合带，包绕至所述双接头的直线段；所述复合带由所述预浸渍带和所述Kapton薄膜组成；S3、将所述复合带按照所述第一预设形状贴附在所述双接头的斜坡处，并对具有所述第一预设形状的复合带表面半叠包一层复合带，包绕至所述双接头处；S4、重复操作步骤S3至少两次，每一层半叠包包绕的复合带结尾处相对于上一层向前偏移第二预设尺寸；S5、将硅橡胶按照第二预设形状固定在绝缘层表面，并对具有所述第二预设形状的硅橡胶表面包绕一层硅橡胶条，再对硅橡胶条表面半叠包多层玻璃丝带；S6、对经过步骤S5处理后的所述双接头在预定温度下进行第一时长的固化；S7、对经过步骤S6加热固化后的所述双接头执行步骤S3的操作；S8、重复操作步骤S3至少三次，每一层半叠包包绕的复合带结尾处相对于上一层向前偏移第二预设尺寸；S9、对经过步骤S8处理后的所述双接头执行步骤S5的操作；S10、对经过步骤S9处理后的所述双接头执行步骤S6进行加热固化，完成对超导磁体双接头的绝缘处理。
[0005]进一步地，所述预浸渍带为25mm宽，0.25mm厚的高强玻璃纤维；所述Kapton薄膜的尺寸为21mm宽，0.05mm厚；所述硅橡胶条的尺寸为30mm宽，3mm厚；所述玻璃丝带为25mm宽，0.25mm厚的高强玻璃丝带。
[0006]进一步地，第一预设形状为裙摆状或花瓣状。
[0007]进一步地，第一预设尺寸为50mm。
[0008]进一步地，第二预设尺寸为12.5
‑
25mm。
[0009]进一步地，对经过步骤S4处理后的所述双接头包裹一层聚四氟乙烯薄膜。
[0010]进一步地，第二预设形状为金字塔型或完整的弓型。
[0011]进一步地，用加热带和保温被对经过步骤S5处理后的所述双接头进行包绕；其中，所述保温被以硅酸铝棉为内芯，外表面使用耐高温皮革包覆。
[0012]与现有技术相比，本专利技术实施例的有益效果在于：本专利技术提供一种超导磁体双接头的绝缘处理方法，根据超导磁体双接头的特殊形状，对双接头处进行包绕绝缘层的绝缘处理，为超导磁体线圈具备双接头的导体表面绝缘材料尺寸均匀和全包覆提供一种切实可行的解决方案。本专利技术工作在真空、低温环境下，适用于低温超导线圈中双接头的绝缘处理，结构简单，操作简便，且能够保证绝缘强度及尺寸上的要求，在聚变堆超导线圈绝缘处理完成后，对双接头单独绝缘处理领域具有较好的应用价值。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1是双接头的结构示意图；图2是双接头绝缘结构示意图；图3是本专利技术某一实施例提供的一种超导磁体双接头的绝缘处理方法的流程图；图4是本专利技术某一实施例提供的步骤S1完成后的效果图；图5是本专利技术某一实施例提供的双接头端部的GK处理效果图；图6是本专利技术某一实施例提供的步骤S10完成后的效果图。
具体实施方式
[0015]下面结合附图和实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0016]应当理解，文中所使用的步骤编号仅是为了方便描述，不对作为对步骤执行先后顺序的限定。
[0017]应当理解，在本专利技术说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本专利技术。如在本专利技术说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
[0018]术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
[0019]术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
[0020]针对目前不规则管路的绝缘处理方法上仍无现成经验可循的问题，本专利技术提出一种超导磁体双接头的绝缘处理方法，该方法应用于在对超导磁体的整体线圈绝缘处理完成后双接头的单独绝缘处理过程。双接头的结构和双接头绝缘结构分别如图1和2所示，其中，1
‑
双接头，2
‑
氦管和3
‑
导体。本申请双接头的绝缘处理为使绝缘层更加密实，绝缘性能更优，将此绝缘结构分成两部分进行包绕及固化，第一部分包括步骤S1至步骤S4，是对双接头的绝缘包绕过程，第二部分包括步骤S5至步骤S10，是对双接头的绝缘包绕及固化过程。如图3所示，一种超导磁体双接头的绝缘处理方法包括以下步骤：S1、对氦管及双接头半叠包包绕一层预浸渍带；步骤S1完成后的效果图如图4所示，其中，预浸渍带可增加双接头结构的不锈钢表面与绝缘层的粘结力。
[0021]S2、由于斜坡处的形状不规则，将Kapton薄膜按照第一预设形状对双接头的两端斜坡处进行一层包绕，直至双接头处的导体及氦管的第一预设尺寸处，并对具有第一预设形状的Kapton薄膜表面半叠包一层预浸渍带；对双接头半叠包一层复合带，包绕至双接头的直线段；复合带由预浸渍带和Kapton薄膜组成。双接头端部的GK处理效果图如图5所示，而端部GK处理对应的是步骤S2的前半部分，即步骤S2中的Kapton薄膜包绕+预浸渍带半叠包过程。其中，双接头本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超导磁体双接头的绝缘处理方法，所述方法应用于在对超导磁体的整体线圈绝缘处理完成后双接头的单独绝缘处理过程，其特征在于，包括以下步骤：S1、对氦管及所述双接头半叠包包绕一层预浸渍带；S2、将Kapton薄膜按照第一预设形状对所述双接头的两端斜坡处进行一层包绕，直至所述双接头处的导体及氦管的第一预设尺寸处，并对具有所述第一预设形状的Kapton薄膜表面半叠包一层所述预浸渍带；对所述双接头半叠包一层复合带，包绕至所述双接头的直线段；所述复合带由所述预浸渍带和所述Kapton薄膜组成；S3、将所述复合带按照所述第一预设形状贴附在所述双接头的斜坡处，并对具有所述第一预设形状的复合带表面半叠包一层复合带，包绕至所述双接头处；S4、重复操作步骤S3至少两次，每一层半叠包包绕的复合带结尾处相对于上一层向前偏移第二预设尺寸；S5、将硅橡胶按照第二预设形状固定在绝缘层表面，并对具有所述第二预设形状的硅橡胶表面包绕一层硅橡胶条，再对硅橡胶条表面半叠包多层玻璃丝带；S6、对经过步骤S5处理后的所述双接头在预定温度下进行第一时长的固化；S7、对经过步骤S6加热固化后的所述双接头执行步骤S3的操作；S8、重复操作步骤S3至少三次，每一层半叠包包绕的复合带结尾处相对于上一层向前偏移第二预设尺寸；S9、对经过步骤S8处理后的所述双接头执行步骤S5的操作；S...

【专利技术属性】
技术研发人员：王春雨，宋云涛，黄雄一，陆坤，俞小伍，胡兵，沈光，文军，刘辰，温新杰，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：