【技术实现步骤摘要】
一种非接触监测带电金属部件温度的方法
[0001]本专利技术属于金属部件测温
,具体涉及一种非接触监测带电金属部件温度的方法。
技术介绍
[0002]在半导体晶圆处理设备中,常需要监控通电发热金属部件的温度,确保其温度在合理范围内,进而保证半导体晶圆处理设备中各部件安全和工艺稳定,例如:射频线圈,通电线缆,变压器芯等部件安全和工艺稳定。
[0003]现有技术中在进行半导体晶圆处理工艺处理时,会采用热电偶直接接触射频线圈进行测温,其中,热电偶电路中的射频线圈会加载高频13.56MHz几十到几千瓦的功率。这种热电偶直接测温方式需要串接滤波器,屏蔽射频电磁场的干扰,操作相对复杂,需要较大空间安装滤波器,且存在射频电磁场屏蔽失效的可能,适用场景受到很大限制。
[0004]现有技术中,通常采用以下四种方式对金属部件进行测温:
[0005]1)、串接滤波器热电偶直接测温法
[0006]如图2所示的串接滤波器热电偶直接测温法,采用热电偶接触射频线圈进行测温,需要串接滤波器,屏蔽射频电磁场的干扰。这种方 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种非接触监测带电金属部件温度的方法,其特征在于,金属部件具有至少一个空腔模拟黑体,所述至少一个空腔模拟黑体是在所述金属部件上加工得到的至少一个深孔;所述非接触监测带电金属部件温度的方法根据红外测温计的安装空间确定至少一个红外测温计的型号,通过对应型号的红外测温计测量至少一个深孔位置的红外热辐射信号,以间接量测和监控金属部件的温度变化;其中所述金属部件为通电和/或发热状态的晶圆处理设备中的金属部件;被测量的深孔是处于热平衡状态下的深孔。2.根据权利要求1所述的非接触监测带电金属部件温度的方法,其特征在于,所述深孔的一端封闭,另一端开孔。3.根据权利要求2所述的非接触监测带电金属部件温度的方法,其特征在于,红外测温计的型号包括探头式红外测温计,通过探头式红外测温计测量所述至少一个深孔位置的红外热辐射信号,其实施步骤为:将至少一个红外测温计的测温探头对准所述至少一个深孔的开孔位置进行非接触红外测温。4.根据权利要求3所述的非接触监测带电金属部件温度的方法,其特征在于,探头式红外测温计的测温探头包括非金属材质的探头。5.根据权利要求2所述的非接触监测带电金属部件温度的方法,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:张受业,初春,
申请(专利权)人:盛吉盛半导体科技北京有限公司,
类型:发明
国别省市:
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