低电感门控晶闸管及其功率半导体组件制造技术

本发明专利技术公开了属于大功率电力半导体器件技术领域的一种低电感门控晶闸管及其功率半导体组件。该低电感门控晶闸管是一种大功率电力半导体器件，在一个呈圆形的外壳中放置了一个半导体芯片，半导体芯片引出的门极引线和阴极相互靠近，且位于外壳的同一侧，门极引线不凸出于外壳；门极引线加工成阶梯状，有一个与阴极辅助台面处于同一平面的门极引线安装面。该低电感门控晶闸管通过阴极辅助台面、门极引线安装面安装在印制电路板上组成低电感门控晶闸管功率半导体组件。由于阴极和门极引线无需伸出外壳以外，因此，生产加工变得十分简单。整个功率半导体组件中的门阴极电流通路完全连续，从而实现更低的电感，可以保证最佳的半导体器件开关性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于大功率电力半导体器件
，特别涉及一种低电感门控晶闸管及其功率半导体组件。
技术介绍
门控晶闸管一般包括晶闸管、门极可关断晶闸管(GTO)和集成门极换流晶闸管(IGCT)。为了提高门控晶闸管的工作性能，特别是开关性能，都希望尽量减少门极回路的电感。为此，在之前，人们提出了多种方案，而其中又以文献《低电感控制的门控晶闸管》(专利号CN99803524.6)所述方案最为完善。在该专利中，半导体器件具有一个凸出于管壳的环形门极引线，和一个具有大致相同半径并同样凸出于管壳的辅助阴极凸台。此类半导体器件与印制电路板组装成为半导体组件的方式主要有以下两种①半导体器件的门极和阴极引线被设计成多个扇段，而印制电路板上的安装孔周围则对应分布了数目和尺寸与之一致的切口。在安装过程中，半导体器件首先被插入安装孔，门极和阴极引线上的扇段位于印制板切口位置。然后，半导体器件绕管壳轴旋转，直至门极和阴极引线位于切口之间印制电路板的上方和下方范围为止，并最终在该处连接到印刷电路板上。②半导体器件辅助阴极引线或门极引线在其圆周上至少具有一个扇形或窄槽形的切口，而印制电路板的安转孔上则至少有一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低电感门控晶闸管，所述低电感门控晶闸管是大功率电力半导体器件，具有一个阳极、一个阴极和门极引线；其特征在于，该低电感门控晶闸管（１）具有一个呈圆形的外壳（２），在该外壳中放置了一个半导体芯片（３）；半导体芯片（３）引出门极引线（６），并和阴极（５）相互靠近，且位于外壳（２）的同一侧，门极引线（６）和阴极（５）都不凸出于外壳（２）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：童亦斌，张婵，
申请(专利权)人：北京交通大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]