用于填充通孔的方法技术

本发明专利技术公开一种填充通孔的方法，其特征在于：在通过电解电镀用电镀金属填充在基板中形成的通孔的情况下，当以保持恒定的电流密度作为所述电解电镀的电流密度执行所述电解电镀时，以高于能够完全填充所述通孔的恒定电流密度的高电流密度开始所述电解电镀；以及在以高电流密度开始所述电解电镀之后，通过在达到形成缝隙直径之前将电流密度变为低于所述高电流密度的电流密度，继续所述电解电镀，在所述缝隙直径下，即使当继续所述电解电镀时内径也不会减小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于填充通孔(导通孔)的方法，更具体地说，涉及一种用电镀金属通过电解电镀填充通孔的通孔填充方法，该电解电镀使用覆盖形成通孔的基板的整个表面的金属薄膜作为供电层。
技术介绍
在用于半导体器件等电子元件中的基板中，形成贯穿该基板的导通部(via)，并且在该基板的两个表面上形成的导电图案电连接。 这种导通部的形成方法包括例如用电镀金属通过电解电镀填充贯穿基板的通孔来形成导通部的方法。此方法在图4中示出。在图4所示的方法中，如图4A所示，首先在由绝缘材料制成的基板100中形成圆柱形通孔102之后，如图4B所示，通过无电解电镀在包括通孔102的内壁面的基板100的表面上形成薄膜金属层104。 此外，执行使用薄膜金属层104作为供电层的电解电镀，并在通孔102的内壁面和薄膜金属层104的露出表面上形成电镀金属层106。如图4C所示，首先进行此电解电镀，以便使通孔的内壁面上形成的电镀金属层的厚度(tin)等于其中通孔102所敞开的基板表面上形成的电镀金属层的厚度(tout)。 如图4D所示，当进行这种电解电镀时，达到缝隙直径(seamdiameter)，即，即使在进一步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用电镀金属通过电解电镀填充在基板中形成的通孔的方法，所述方法包括以下步骤：当以保持恒定的电流密度作为所述电解电镀的电流密度执行所述电解电镀时，以高于能够完全填充所述通孔的恒定电流密度的高电流密度开始所述电解电镀；以及在以 所述高电流密度开始所述电解电镀之后，通过在达到形成缝隙直径之前将电流密度变为低于所述高电流密度的电流密度，继续所述电解电镀，一旦达到所述缝隙直径，即使继续所述电解电镀内径也不会减小。

【技术特征摘要】
JP 2005-12-28 2005-3786381.一种用电镀金属通过电解电镀填充在基板中形成的通孔的方法，所述方法包括以下步骤当以保持恒定的电流密度作为所述电解电镀的电流密度执行所述电解电镀时，以高于能够完全填充所述通孔的恒定电流密度的高电流密度开始所述电解电镀；以及在以所述高电流密度开始所述电解电镀之后，通过在达到形成缝隙直径之前将电流密度变为低于所述高电流密度的电流密度，继续所述电解电镀，一旦达到所述缝隙直径，即使继续所述电解电镀内径也不会减小。2.根据权利要求1所述的用于填充通孔的方法，其中，采用以下高电流密度作为所述高电流密度，即在此高电流密度下，用通孔的内壁面上形成的电镀金属层的厚度(tin)和其中所述通孔所敞开的基板表面上形成的电镀金属层的厚度(tout)之间的比值[(tin/tout)×100]表示的深镀能力的初始值是90％或更大。3.根据权利要求1所述的用于填充通孔的方法，其中，将电流密度从初始高电流密度阶梯状地变为恒定电流密度或更小电流密度。4.根据权利要求1所述的用于填充通孔的方法，其中，所述通孔设为具有60到70μm内径的通孔，并且当所述内径由于在所述通孔的内壁面上形成的电镀金属层而达到约10μm时，电流密度设为0.9A/cm2或更小。5.根据权利要求1所述的用于填充通孔的方法，其中，采用其中形成具有相同内径的多个通孔的基板作为所述基板。6.根据权利要求1所述的用于填充通孔的方法，其中，采用其中形成具有不同内径...

【专利技术属性】
技术研发人员：真筱直宽，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]