半导体薄膜的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体薄膜的形成方法，其在对待形成半导体薄膜的目标硅片进行高SOURCERF的HebaseHDP工艺之前，先对预置的一批作为监控片的硅片进行偏置功率逐渐改变的低SOURCERF的非Hebase HDP工艺，以通过利用低SOURCERF的非HebaseHDP工艺可以实现避免铝材质的制程工艺腔体发生电弧产生铝元素颗粒污染物的目的，同时再结合逐渐升高该第一次HDP工艺的偏置功率的方式，实现在保证所述制程工艺腔体未发生电弧现象的情况下逐渐将该制程工艺腔体的范围恢复到适合后续监控片或者目标晶片进行高SOURCERF的HebaseHDP工艺所需要的稳定的腔体氛围的目的。的稳定的腔体氛围的目的。的稳定的腔体氛围的目的。

【技术实现步骤摘要】
半导体薄膜的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体薄膜的形成方法。

技术介绍

[0002]HDP工艺是半导体集成电路制造中的常用工艺之一，具有在淀积的同时还能进行刻蚀、有优良的填孔性，并且可在相对较低的温度下填充深宽比大的间隙的特性，并且，采用HDP工艺沉积的薄膜质量较好，未经退火处理薄膜的湿法刻蚀速率与热氧化硅接近，且杂质含量低，利于保证器件的工作范围和稳定性。因此，现有HDP工艺一般用于填充具有高的深宽比的间隙，如可以用HDP工艺形成的二氧化硅层来填充金属间介质层(PMD)、金属前介质层(IMD)、浅沟槽隔离(STI)的间隙。
[0003]然而，随着半导体技术的不断发展，在进入大高宽比的工艺后，采用氦气为反应气体的HDP工艺(简称为HebaseHDP工艺)被广泛运用，但是，HebaseHDP工艺需要高功率的射频源(简称为高SOURCERF)来满足填充需求，而在实际量产过程中，在制程工艺腔体维护后，直接对作业高SOURCERF的HebaseHDP工艺，会导致材质为铝材质的制程工艺腔体的表面发生异常放电的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体薄膜的形成方法，其特征在于，应用于高密度等离子体HDP工艺，所述HDP工艺采用铝材质的制程工艺腔体，所述形成方法包括如下步骤：提供作为监控片的预设数目个硅片，并将所述监控片放置在所述制程工艺腔体内的承载台上；对所述监控片进行偏置功率可控的第一次HDP工艺，以在保证所述制程工艺腔体未发生电弧现象的情况下，依次在各所述监控片的表面上形成第一半导体薄膜；当检测到表面上形成所述第一半导体薄膜的监控片的数目达到预设数目时，对所述监控片进行第二次HDP工艺，其中，所述第二次HDP工艺的偏置功率高于第一次HDP工艺，且所述第二次HDP工艺与所述第一次HDP工艺的反应气体不同。2.如权利要求1所述的半导体薄膜的形成方法，其特征在于，对所述监控片进行偏置功率可控的第一次HDP工艺的步骤包括：对所述监控片进行射频源的偏置功率由低到高逐渐升高的HDP工艺。3.如权利要求2所述的半导体薄膜的形成方法，其特征在于，所述第一次HDP工艺中的所述偏置功率的可控范围为：0～3000W。4.如权利要求3所述的半导体薄膜的形成方法，其特征在于，对所述监控片进行射频源的偏置功率由低到高逐渐升高的HDP工艺的步骤包括：将预设数目个硅片分为N组监控片，其中N大于等于2；从第一组监控片开始，按照预设步长依次升高每组监控片所执行的HDP工艺的所述偏置功率，以使每一组监控片在其对应的一偏置功率下进行所述第一次HDP工艺。5.如权利要求4所述的半导体薄膜的形成方法，其特征在于，所述预设步长为：500～1000W。6.如权利要求1所述的半导体薄膜的形成方法，其特征在于，所述第一次HDP工艺的反应气体为氧气...

【专利技术属性】
技术研发人员：王剑敏，许国清，夏麟，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：