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本发明提供了一种半导体薄膜的形成方法，其在对待形成半导体薄膜的目标硅片进行高SOURCERF的HebaseHDP工艺之前，先对预置的一批作为监控片的硅片进行偏置功率逐渐改变的低SOURCERF的非Hebase HDP工艺，以通过利用低SOU...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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