【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
电路结构和无源器件。
技术介绍
期望紧邻着集成电路芯片或管芯设置去耦电容。随着芯片或管芯的切换速度和电流需求变得越来越高,必须增大该电容。因此,高密度集成电路芯片或管芯需要极其大量的无源元件、作为结果增加的印刷线路板(PWB)的电路密度、以及趋向于数千兆Hz范围内的更高频率,这些因素结合在一起增加了封装基板或PWB上的表面安装的无源元件的压力。通过将嵌入式无源元件(例如电容器、电阻器、电感器)与封装基板或PWB一体化,可以得到改善的性能、更好的稳定性、更小的占用空间以及更低的成本。电容器在大部分电路设计中是主要的无源元件。适合嵌入式电容器元件的典型材料,例如,聚合物和高介电常数(高-k)的陶瓷粉合成物或高-k陶瓷粉和玻璃粉的混合物,通常限于毫微法拉/cm2和0.1微法拉/cm2的电容密度。已经进行了多种将薄膜电容器嵌入到有机基板中的尝试,例如利用以薄叠片形式使用聚酰亚胺或环氧树脂中的陶瓷填充剂。然而,已经证明加工和处理薄基芯叠片是困难的。附图说明通过下面的详细说明、所附权利要求和附图,各个实施例的特点、方案和优点将变得更加显而易见,在附图中图1示出了适于安装在 ...
【技术保护点】
一种方法,其包括: 直接在第一导电材料的薄片上形成陶瓷材料; 在该陶瓷材料上形成第二导电材料;以及 烧结该陶瓷材料。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:坚吉兹帕兰独兹,Y闵,
申请(专利权)人:英特尔公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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