树脂布线基板及使用它的半导体器件和层叠型半导体器件制造技术

本发明专利技术揭示一种树脂布线基板及使用它的半导体器件和层叠型半导体器件，在树脂基材（１１）的一个表面上，连续形成比在树脂基材（１１）的另一个表面上形成的第２树脂覆盖膜（２０）要厚、而且具有大面积的第１树脂覆盖膜（１９）。另外，将第２树脂覆盖膜（２０）分离成多个形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及安装半导体元件的树脂布线基板及使用树脂布线基板的半导 体器件和层叠型半导体器件。
技术介绍
对于半导体器件，除了要求小型化和薄型化，还加上要求低成本。因此，在BGA(Ball Grid Array,球栅阵列)结构及CSP (Chip Size Package,芯片级 封装)结构的半导体器件中，作为安装半导体元件的基板，采用树脂布线基板。 通常，在树脂布线基板的两面设置布线图形，使用树脂布线基板的半导体器件 在树脂布线基板的一个面上安装半导体元件，在树脂布线基板的另一个面上设 置与外部连接端连接用的焊锡球。另外，利用保护布线图形及通路部分的阻焊 剂，覆盖树脂布线基板的两面的除了与半导体元件连接用的接合部和连接焊锡 球用的连接盘部的区域。然而，近年来，在这样的半导体器件中，根据小型化及薄型化的要求，使 用厚度约为0.3mra以下的非常薄的基板。因此，在这样的半导体器件中，产生 了容易发生翘曲的问题。对于这个问题，在特开平3-40457号公报中提供了一种结构，作为抑制半 导体器件翘曲的结构，该结构是用封装树脂覆盖安装在树脂布线基板的一个面 上的全部半导体元件，进行覆盖封装，同时在与形成该封装树脂的区域相对应 的另一个面的区域，也形成同样的封装树脂。但是，由于半导体元件的厚度通常为0.2mm以上，封装树脂的厚度必须比 该厚度要厚，因此在基板两面形成相同程度的厚度的封装树脂的上述以往结构 中，不能完全满足薄型化的要求。另外，这样的结构对于BGA型封装也有完全 不能应用的问题。另外，在特开平9-172104号公报中提出了下述的结构，作为抑制半导体 器件翘曲的其它结构。即提出的结构是，将覆盖树脂布线基板的一个面的阻焊 剂的覆盖面积与覆盖树脂布线基板的另一个面的阻悍剂的覆盖面积的比例设 定为l: 1.3 1: 1.7的范围内，而且，将覆盖树脂布线基板的一个面的阻焊 剂的厚度与覆盖树脂布线基板的另一个面的阻焊剂的厚度的比例设定为3: l 5: 1的范围内。但是，若采用这样的结构，则树脂布线基板的刚性增大。因此，若对这样 结构的树脂布线基板将半导体元件进行倒装芯片安装，则由于树脂布线基板与 半导体元件的热膨胀系数的差异而产生的热应力将作用于树脂布线基板与半 导体元件的连接部，容易产生该连接部的连接不良、或半导体元件在树脂布线 基板侧的拐角部附近(也包含半导体元件的内部)的损坏。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述问题，其目的在于提供一种树脂布线基板及使用树脂布线 基板的半导体器件和层叠型半导体器件，该树脂布线基板在半导体元件安装 时，能够减小对树脂布线基板与半导体元件的连接部及半导体元件在树脂布线 基板侧的拐角部附近(也包含半导体元件的内部)施加的热应力、而且能够减小 整体翘曲。艮口，为了达到上述目的，本专利技术有关的树脂布线基板，至少具有树脂基 材；在前述树脂基材的一个表面的半导体元件安装区域中形成的多个连接端； 在前述树脂基材的另一个表面上形成的多个外部连接端；在前述一个表面的除 了前述半导体元件安装区域以外的外部区域中形成的第l树脂覆盖膜；以及在 前述另一个表面上、形成为露出前述各外部连接端的至少一部分的形状的第2 树脂覆盖膜，前述第l树脂覆盖膜比前述第2树脂覆盖膜要厚，而且具有较大 面积，并且连续形成，前述第2树脂覆盖膜分离成多个形成。另外，在上述本专利技术有关的树脂布线基板中，前述第l树脂覆盖膜与前述 第2树脂覆盖膜也可以用同一材料形成。另外，其材料也可以是阻焊剂。另外，在上述本专利技术有关的树脂布线基板中，前述树脂基材的厚度也可以 是安装在前述树脂基材上的半导体元件的厚度以下。另外，在上述本专利技术有关的树脂布线基板中，前述外部连接端及前述第2树脂覆盖膜，也可以主要形成在前述另一个表面的除了与前述半导体元件安装 区域相对应的区域以外的区域。另外，在上述本专利技术有关的树脂布线基板中，前述外部连接端及前述第2 树脂覆盖膜，也可以仅形成在前述另一个表面的与前述半导体元件安装区域相 对应的区域。另外，在上述本专利技术有关的树脂布线基板中，前述第2树脂覆盖膜也可以 在前述外部连接端之间的至少一部分分离。另外，在上述本专利技术有关的树脂布线基板中，还可以在前述一个表面的前 述外部区域设置多个层叠用连接端。另外，本专利技术有关的半导体器件，具有上述本专利技术有关的树脂布线基板。另外，本专利技术有关的第l层叠型半导体器件，由第1半导体器件及第2半 导体器件构成，前述第1半导体器件具有上述本专利技术有关的树脂布线基板作为层叠基板，前述第2半导体器件具有在上述本专利技术有关的树脂布线基板中、还在前述一个表面的前述外部区域中设置多个层叠用连接端的树脂布线基板， 使用前述第1半导体器件的树脂布线基板的外部连接端作为基板间连接端，通过层叠用突起电极连接前述第2半导体器件的前述层叠用连接端与前述第1半导体器件的前述基板间连接端。另外，本专利技术有关的第2层叠型半导体器件，由第1半导体器件及第2半 导体器件构成，前述第1半导体器件具有层叠基板，前述层叠基板至少具有树脂基材； 在前述树脂基材的一个表面的半导体元件安装区域中形成的多个连接端；在前 述树脂基材的另一个表面上形成的多个基板间连接端；在前述一个表面的除了 前述半导体元件安装区域以外的外部区域中形成的第l树脂覆盖膜；以及在前 述另一个表面上、形成为露出前述各基板间连接端的至少一部分的形状的第2 树脂覆盖膜，前述第1树脂覆盖膜形成得比前述第2树脂覆盖膜要薄，前述第2半导体器件具有在上述本专利技术有关的树脂布线基板中、还在前述 一个表面的前述外部区域中设置多个层叠用连接端的树脂布线基板，通过层叠用突起电极，连接前述第2半导体器件的前述层叠用连接端与前述第1半导体器件的前述基板间连接端。另外，在上述本专利技术有关的第2层叠型半导体器件中，前述第l半导体器 件的前述第1树脂覆盖膜，也可以形成为面积小于前述第1半导体器件的前述第2树脂覆盖膜。另外，在上述本专利技术有关的第2层叠型半导体器件中，前述第l半导体器 件的前述第2树脂覆盖膜，也可以形成为比该前述第l半导体器件上安装的半 导体元件的厚度要厚。另外，在上述本专利技术有关的第2层叠型半导体器件中，前述第2半导体器 件的前述第1树脂覆盖膜，也可以形成为比该前述第2半导体器件上安装的半 导体元件的厚度要厚。根据本专利技术有关的树脂布线基板，由于在安装半导体元件的区域中树脂基 材容易变形，因此能够减少连接部的应力，而且由于利用第l树脂覆盖膜使树 脂基材的变形缓和，因此能够减小整体翘曲。另外，本专利技术有关的树脂布线基 板由于能够减少外周部的翘曲，因此对于层叠型半导体器件是有用的。因而， 根据本专利技术有关的树脂布线基板，能够实现薄型、连接可靠性高、能够减少半 导体元件在树脂布线基板侧的拐角部附近(也包含半导体元件的内部)的损坏 等连接不良的BGA结构的半导体器件(也包含层叠型半导体器件)。艮口，根据本专利技术有关的树脂布线基板，由于比第2树脂覆盖膜厚、而且具 有较大面积的第1树脂覆盖膜在树脂基材的外部区域连续形成，第2树脂覆盖 膜分离成多个形成，因此树脂基材的与半导体元件安装区域相对应的部分(半 导体元件安装部)能够柔软变形。这样，能够减少对半导体元件与树脂布线基 板的连接部(详细来说，半导体元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种树脂布线基板，其特征在于，至少具有：　　　　树脂基材；　　　　在所述树脂基材的一个表面的半导体元件安装区域中形成的多个连接端；　　　　在所述树脂基材的另一个表面上形成的多个外部连接端；　　　　在所述一个表面的除了所述半导体元件安装区域以外的外部区域中形成的第１树脂覆盖膜；以及　　　　在所述另一个表面上、形成为露出所述各外部连接端的至少一部分的形状的第２树脂覆盖膜，　　　　所述第１树脂覆盖膜比所述第２树脂覆盖膜要厚，而且具有较大面积，并且连续形成，所述第２树脂覆盖膜分离成多个形成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：川端毅，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]