一种瞬态电压抑制元件及其制备方法技术

一种瞬态电压抑制元件，包括两块经刻蚀处理的双面覆铜ＰＣＢ板、位于抑制元件两端的铜箔、半圆通孔电镀层，其特征在于：在所述两ＰＣＢ板之间置有粘合层高分子基复合材料，所述两ＰＣＢ板内表面置有图案呈中心对称、并相互之间留有缝隙互不相接的铜箔，所述内表面铜箔通过半圆通孔电镀层与端部铜箔电连接，抑制元件两端的铜箔电绝缘。本发明专利技术还公开了所述的一种瞬态电压抑制元件的制备方法。本发明专利技术具有加工工艺简单、响应时间快，达到纳秒级；产品电容小、体积小、双向无极性、适合表面贴装工艺等特点，非常适合于高频，高速传输线路和小型化的便携式设备及终端应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属半导体芯片
，具体涉及。
技术介绍
由于电子产品越来越向小型化的趋势发展，尤其是半导体芯片技术的突飞猛 进，电子产品遭受瞬态过电压而损坏的比例越来越大。因此瞬态电压抑制元件在 近几年来发展的势头非常迅猛。用来抑制瞬态电压的保护元器件主要包括有压敏电阻，齐纳二极管，硅基 瞬态电压抑制二极管，传统的压敏电阻由于收到多次冲击后，容易老化；电容较 高，漏电流比较大，不适合保护中高频，高速传输线路。硅基瞬态电压抑制二极 管，虽然有钳位电压低，电容较低，不容易老化等优点，但是体积偏大，成本高， 不能满足便携式移动终端等市场的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种响应时间快，适合高频、高速传输线路和便携式设 备及终端的瞬态电压抑制器以及提供这种瞬态电压抑制器的制备方法。为达到上述目的，采用的技术方案是 一种瞬态电压抑制元件，包括两块经 刻蚀处理的双面覆铜PCB板、位于抑制元件两端的铜箔、半圆通孔电镀层，其特 征在于在所述两块PCB板之间置有粘合层高分子基复合材料，所述两块PCB 板内表面置有图案呈中心对称、并相互之间留有缝隙互不相接的铜箔，缝隙的宽 度为0. 01至0.本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种瞬态电压抑制元件，包括经刻蚀处理的双面覆铜ＰＣＢ板（４）和（４’）、位于抑制元件两端的铜箔（１）和（１’）、半圆通孔电镀层（３）和（３’），其特征在于：在所述ＰＣＢ板（４）和（４’）之间置有粘合层高分子基复合材料（５），所述ＰＣＢ板（４）和（４’）内表面置有图案呈中心对称、并相互之间留有缝隙（６）互不相接的铜箔（７）和（７’），所述内表面铜箔（７）通过半圆通孔电镀层（３）与铜箔（１）电连接，所述内表面铜箔（７’）通过半圆通孔电镀层（３’）与铜箔（１’）电连接，所述抑制元件两端的铜箔（１）和（１’）电绝缘。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张建，
申请(专利权)人：上海思麦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]