一种高分子基瞬态电压抑制元件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种高分子基瞬态电压抑制元件及其制造方法。所述高分子基瞬态电压抑制元件，包括线路板基体，置于线路板基体两端的端电极，两金属线分别与两端电极焊接相连，金属线的周围以及置于两金属线的另一端部的微电极间充填有高分子压敏材料，高分子压敏材料的外侧置有保护层。印在中间层的高分子基压敏材料具有瞬态电压的抑制功能，当元件上有瞬态电压通过时，金属线端口微电极间的高分子基压敏材料被瞬态电压击穿放电，起到保护被并联的元件的作用。使用本发明专利技术制造方法可以获得所需的微电极，大大提高了产品的一致性；同时通过调整高分子压敏材料组合配比，可以得到不同特性的产品，满足不同的需求。

High molecular based transient voltage suppression element and manufacturing method thereof

The invention discloses a polymer based transient voltage suppression element and a manufacturing method thereof. The polymer based transient voltage suppressor element, which comprises a circuit board substrate, electrode substrate end ends disposed on the wiring board, two wire and welding electrodes connected at both ends, and placed two wire microelectrode around the wire to the other end of the room filled with macromolecular pressure-sensitive material, outside the macromolecular pressure-sensitive material provided with protective layer. Inhibition of functional polymer based varistor materials on the middle layer with transient voltage, when the components are by transient voltage, polymer based varistor materials of metal microelectrodes were between the line port transient voltage breakdown discharge, play a protective role of components are parallel. Manufacturing method of the present invention can obtain the microelectrode required, greatly improves the consistency of the product; at the same time by adjusting the macromolecular pressure-sensitive material combination, can get different characteristics of the products, to meet the different needs.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种瞬态电压抑制元件，特别是涉及一种高分子基瞬态电压抑制 元件及其制造方法。
技术介绍
由于电子产品越来越向小型化的趋势发展，尤其是半导体芯片技术的突飞猛 进，电子产品遭受瞬态过电压而损坏的比例越来越大。因此瞬态电压抑制元件近 几年来发展的势头非常迅猛。用来抑制瞬态电压的保护元器件主要包括有压敏电阻、齐纳二极管、硅基 瞬态电压抑制二极管以及高分子基瞬态电压抑制元件。与齐纳二极管、压敏电阻以及硅基瞬态电压抑制二极管产品相比，高分子基 瞬态电压抑制元件具备响应时间快，达到纳秒级；产品电容小，非常适合于高频或者高速率传输线路；体积小适合于日益小型化的便携式设备及终端。采用普通线路板工艺方法制作的高分子基瞬态电压抑制元件，由于受到加工 工艺的限制，内部两个微电极的制作很困难，并且电极和压敏材料浆料之间的组 合配比不易控制。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种高分子基瞬态电压抑制元件及其制造 方法，特别是如何制造微电极，以及实现电极和高分子压敏材料浆料的配合工艺。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案 一种高分子基瞬态电压抑 制元件，包括线路板基体，置于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高分子基瞬态电压抑制元件，包括线路板基体（１），置于线路板基体（１）两端的端电极（２），其特征在于：两金属线（５）分别与所述两端电极（２）焊接相连，所述金属线（５）的周围、以及置于所述两金属线（５）另一端部的微电极（７）间充填有高分子压敏材料（６），所述高分子压敏材料（６）的外侧置有保护层（８）。

【技术特征摘要】
1. 一种高分子基瞬态电压抑制元件，包括线路板基体(1)，置于线路板基体(1)两端的端电极(2)，其特征在于两金属线(5)分别与所述两端电极(2)焊接相连，所述金属线(5)的周围、以及置于所述两金属线(5)另一端部的微电极(7)间充填有高分子压敏材料(6)，所述高分子压敏材料(6)的外侧置有保护层(8)。2. 权利要求1所述一种高分子基瞬态电压抑制元件的制造方法，包括以下步骤:① 双面覆铜线路板基体(l)经蚀刻形成两面对称的图形，作元件的外部焊接 端电极(2);② 所述端电极(2)的外侧边缘打通孔(9);③ 所述两端通孔(9)电镀镀铜层(3)，使线路板基体(l)的上、下端电极(2) 导通，再在所述通孔(9)和上、下端电极(2)表面镀覆钯金镀层(4); 在线路板的一面，两个所述端电极(2)间通过超声波压焊工艺焊接一根金属线(5);⑤在焊接所述金属线(5)的一面印涂一层高分子压敏材料(6)，并将其固化； (D在所述金属线(5)的中心位置用激光将...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建，
申请(专利权)人：上海思麦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]