高散热内存模块结构制造技术

一种高散热内存模块结构，是将镶嵌于一内存模块板上的半导体组件中芯片的表平面暴露于空气中，亦可进一步在一般内存模块板上将半导体组件进行涂底胶或封模后，以研磨方式直至该半导体组件中芯片的表平面完全暴露于空气中，以增进该内存模块的散热特性。此外，亦可利用一热接口物质将一散热片紧密粘着在表平面暴露的芯片上，达到更可强化整个内存模块的散热功能，同时，亦可使整个制程上具有方便性与经济性的效益。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高散热内存模块结构，尤指一种将半导体组件中芯片的表平面暴露于空 气中，以改善发散热量的内存模块结构。
技术介绍
内存模块，如图14及图15所示，指一个印刷电路板5 1表面上有镶嵌数个半导体组件5 2。当装置在印刷电路板5 l上的半导体组件5 2，其操作速度愈来愈快时，就有更多的热 量从该半导体组件5 2内的芯片5 3产生。因此，有效散发热量就愈形重要。目前于业界上要解决热量的问题， 一般的做法是使用一热接口物质(Thermal Interface Material, T頂)将一散热片附接在该半导体组件5 2上。而该热接口物质由硅 胶所组成，虽然具有良好的热传导性质，可传递由该半导体组件5 2产生的热至该散热片； 然而，由于该半导体组件5 2是将芯片5 3经过封装而包覆于封模胶材6内，因此，该热接 口物质并无法直接与该半导体组件5 2内的芯片5 3接触，进而使得散热的效果有所折扣。 故， 一般无法符合使用者于实际使用时所需。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种可改善内存模块的 散热性的高散热内存模块结构。为了解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是 一种高散热内存模块结构，其包 括数个半导体组件、 一内存模块板、及数个芯片，该内存模块板上镶嵌有各半导体组件；该 各芯片位于各半导体组件于该内存模块板上，其特点是所述各芯片的表平面裸露于空气中本专利技术采用的另一种技术方案是 一种高散热内存模块结构，其包括数个半导体组件、一内存模块板、及数个芯片，该内存模块板镶嵌有各个半导体组件，各芯片位于各半导体组件于该内存模块板上；其特点是还包括至少一个散热片，该散热片用以发散或散布各半导体组件所产生的热量。如此，将镶嵌于一内存模块板上的半导体组件中芯片的表平面暴露于空气中；亦可进一 步在一般内存模块板上将半导体组件进行涂底胶或封模后，以研磨方式直至该半导体组件中 芯片的表平面完全暴露于空气中，以增进该内存模块的散热特性。此外，亦可利用一热接口物质将一散热片紧密粘着在表平面暴露的芯片上，达到更可强化整个内存模块的散热功能 附图说明图1是本专利技术的第 一实施例内存模块示意图。图2是图1的剖面示意图。图3是图2中A的放大示意图。图4是本专利技术的第二实施例第一散热板内存模块剖面示意图。图5是本专利技术的第二实施例第二散热板内存模块剖面示意图。图6是本专利技术的第三实施例涂胶研磨示意图。图7是本专利技术的第三实施例的剖面示意图。图8是本专利技术的第三实施例第一散热板分解示意图。图9是本专利技术的第三实施例第二散热板分解示意图。图10是本专利技术的第三实施例第一散热板内存模块示意图。图ll是本专利技术的第三实施例第二散热板内存模块示意图。图12是本专利技术的第三实施例第一散热板内存模块剖面示意图。13是图12中B的放大示意图。图14是已知的内存模块示意图。图15是图14的内存模块剖面示意图。标号说明半导体组件12、 1 2 a 芯片13、 13a 散热片1 4a、 14b 锡球2热界面物质4 半导体组件5 2 胶材6内存模块板11、 1 1 a 平面l 2 1表平面13 1、 13 1a 平面1 4 1 a、 14 1b 底胶3印刷电路板51 芯片5 3 具体实施例方式请参阅图1 图3所示，本专利技术为一种高散热内存模块结构，至少包含有一内存模块板l 1、数个半导体组件l 2及数个芯片1 3，可改善内存模块的散热特性。该内存模块板ll镶嵌有各半导体组件l2，由各半导体组件l2的平面12l以锡球 2与该内存模块板1 l相连接，且各半导体组件l 2上含有各芯片1 3，由各芯片l 3位于各半导体组件l 2于该内存模块板1 l上，而各芯片l 3的表平面1 3 l裸露于空气中，其 中，各半导体组件l 2放置于该内存模块板1 l的一侧或二侧。当本专利技术于组装时，将数组半导体组件l 2镶嵌于一内存模块板1 l上，由各半导体组 件1 2中芯片1 3的表平面1 3 1直接暴露于空气中。实施例2，请进一步参阅图4及图5所示，本专利技术尚可在该第一实施例的结构中，进一步 于各芯片l 3上加上一散热片1 4a或数个散热片l 4b，以发散或散布各半导体组件1 2所 产生的热量，其中，该散热片l 4a、 1 4b由金属或合金所制成。当本专利技术于组装时，系进一步在该第一实施例的结构上，藉由一高热传导性质的胶材所 制成的热接口物质(Thermal Interface Material, T頂)4，由该热界面物质4将该散热片 14由该热界面物质4将该散热片1 4 a、 14 b的平面1 4 1 a、 14 1 b直接粘着在各芯片1 3的表平面131以紧密贴靠在内存模块上。实施例3，请参阅图6 图13所示，本专利技术亦可选取一般的内存模块，在该内存模块中的 内存模块板l la上进行涂底胶(underfill) 3或封模后，利用研磨方式，直至各半导体组 件l 2a中芯片l 3a的表平面l 3 la完全暴露于空气中，并且进一步于各芯片1 3 a上加上 一散热片l 4a或l 4b，以发散或散布各半导体组件1 2a所产生的热量，其中，该散热片 1 4a、 1 4b由金属或合金所制成。当本专利技术于组装时，系进一步在该第一实施例的结构上，藉由一由高热传导性质的胶材 所制成的热接口物质4，由该热界面物质4将该散热片14a、 14b的平面l 4 la、 1 4 1 b直 接粘着在各芯片l 3a的表平面l 3 la以紧密贴靠在内存模块上。如是，藉由第一实施例的结构，即可达到增进该内存模块的散热特性，而本专利技术的第二 实施例及第三实施例是分别于第一实施例的结构上，或选取一般的内存模块，进一步利用该 热接口物质4将散热片1 4a、 1 4b与芯片l 3、 1 3a相接连接，更可强化该内存模块的 散热功能。因此，本专利技术在改善该内存模块的散热性同时，亦可使整个制程上具有方便性与 经济性的效益。综上所述，本专利技术的高散热内存模块结构，可有效改善现有技术的种种缺点，利用裸露 于空气中的芯片或进一步以热接口物质将散热片与该芯片相接连接，不仅可在改善内存模块 散热性的同时，亦可使整个制程上具有方便性与经济性的效益。权利要求1.一种高散热内存模块结构，其包括数个半导体组件、一内存模块板、及数个芯片，该内存模块板上镶嵌有各半导体组件；该各芯片位于各半导体组件于该内存模块板上，其特征在于所述各芯片的表平面裸露于空气中。2.根据权利要求l所述的高散热内存模块结构，其特征在于所述各 半导体组件放置于该内存模块板的一侧。3.根据权利要求l所述的高散热内存模块结构，其特征在于所述各 半导体组件放置于该内存模块板的二侧。4.根据权利要求l所述的高散热内存模块结构，其特征在于所述各 半导体组件的平面以锡球与该内存模块板相连接。5.根据权利要求l所述的高散热内存模块结构，其特征在于所述各 芯片的表平面直接暴露于空气中。6.根据权利要求5所述的高散热内存模块结构，其特征在于所述各 芯片的表平面进一步以一热接口物质与至少一散热片的平面相接连接。7.根据权利要求6所述的高散热内存模块结构，其特征在于所述热 接口物质由高热传导性质的胶材制成。8.根据权利要求6所述的高散热本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高散热内存模块结构，其包括数个半导体组件、一内存模块板、及数个芯片，该内存模块板上镶嵌有各半导体组件；该各芯片位于各半导体组件于该内存模块板上，其特征在于：所述各芯片的表平面裸露于空气中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林文强，潘伟光，王家忠，
申请(专利权)人：钰桥半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]