【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在半导体基板等固体试样的表面掾杂(添加)杂质的等离子体掺 杂方法及实施该方法的装置。
技术介绍
在固体试样的表面掺杂杂质的技术，例如有U.S专利4912065号揭示的将 杂质离子化以低能量掺杂到固体中的等离子体掺杂方法。以下，参照图14说明以往的作为杂质掺杂的方法的等离子体惨杂方法。 图14是以往的等离子体掺杂法所采用的等离子体掺杂装置的基本结构。图 14中，在真空容器100内设置了用于放置硅基板等试样109的试样电极106。 在真空容器100的外部设置用于供给含有所要元素的掺杂原料气体，例如B2H6 的供气装置102及将真空容器100内的内部减压的泵103，可以将真空容器100 内部保持在规定的压力。由微波波导管119经作为介质窗的石英板107将微波 辐射到真空容器100内。通过该微波和由电磁铁114形成的直流磁场的相互作 用，在真空容器100内的虚线120所示的区域形成电子回旋加速器共振等离子 体。通过电容器121将高频电源IIO与试样电极106相连接，控制试样电极106 的电位。在这种结构的等离子体掺杂装置中，从供气装置102输入的掺杂原料气...
【技术保护点】
等离子体掺杂装置，其特征在于，具备真空容器、用于将气体输入上述真空容器内的供气装置、用于从上述真空容器内排出气体的排气装置、用于将上述真空容器内的压力控制在规定压力的调压阀、用于在上述真空容器内放置试样的试样电极、等离子体发生装置、装有作为２个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路、以及通过上述等离子体发生装置用匹配电路将高频功率供给上述等离子体发生装置的高频电源。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：奥村智洋，中山一郎，水野文二，佐佐木雄一朗，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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