晶圆加工装置及晶圆加工方法制造方法及图纸

技术编号:37175791 阅读:27 留言:0更新日期:2023-04-20 22:44
本发明专利技术涉及一种晶圆加工装置及晶圆加工方法。该晶圆加工装置包括:晶圆固定机构,包括设置于其顶部的真空吸盘,所述真空吸盘用于吸附固定晶圆;密封盖板,其环绕所述晶圆固定机构地设置于所述真空吸盘的下方,用于密封所述晶圆固定机构;多个氮气喷嘴,设置于所述密封盖板上,至少部分所述氮气喷嘴用于朝向所述晶圆的背面喷射氮气;其中,所述多个氮气喷嘴被构造为在所述晶圆的径向上由内向外地喷射氮气;以及控制单元,配置为在加工晶圆时控制所述多个氮气喷嘴实时地喷射氮气。本发明专利技术的晶圆加工装置能够很好地减少晶圆背面形成的脏污,且所耗费的氮气和清洗水较少,成本低。成本低。成本低。

【技术实现步骤摘要】
晶圆加工装置及晶圆加工方法


[0001]本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种晶圆加工装置及晶圆加工方法。

技术介绍

[0002]在晶圆的加工过程中,晶圆经常需要使用大量的显影液或化学品进行显影、清洗等工艺动作,大量的液体容易喷溅到晶圆背面,继而造成背面脏污。
[0003]目前,通常在晶圆加工完成后,使用喷水喷嘴和喷气喷嘴对晶圆的正面和背面进行清洗。但是,由于此时晶圆背面的脏污已经凝结干涸,很难清洗干净,且会耗费大量的清洗水和氮气,成本较高,且若使用较大的水流或气流速度进行清洗,可能会导致晶圆被吹飞。
[0004]在公告号为CN106711059B的专利中,其通过使用防护环去遮挡喷溅的液体,但是为了达到防护效果,防护环与晶圆之间的间隙设计的很小,使其安装精度要求很高,安装不便。同时,由于间隙很小,有较大的划伤晶圆背面、影响晶圆正常加工的风险。此外,防护环的设置,使得晶圆背面的清洗十分困难。

技术实现思路

[0005]基于现有技术中的上述缺陷,本专利技术的目的在于提供一种晶圆加工装置及晶圆加工方法,其能够很好地本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工装置,其特征在于,所述晶圆加工装置包括:晶圆固定机构,包括设置于其顶部的真空吸盘,所述真空吸盘用于吸附固定晶圆;密封盖板,其环绕所述晶圆固定机构地设置于所述真空吸盘的下方,用于密封所述晶圆固定机构;多个氮气喷嘴,设置于所述密封盖板上,至少部分所述氮气喷嘴用于朝向所述晶圆的背面喷射氮气;其中,所述多个氮气喷嘴被构造为在所述晶圆的径向上由内向外地喷射氮气;以及控制单元,配置为在加工晶圆时控制所述多个氮气喷嘴实时地喷射氮气。2.根据权利要求1所述的晶圆加工装置,其特征在于,在所述密封盖板的一径向上,设置有至少两个间隔开的氮气喷嘴。3.根据权利要求2所述的晶圆加工装置,其特征在于,位于径向内侧的氮气喷嘴的喷射口的高度高于位于径向外侧的氮气喷嘴的喷射口的高度。4.根据权利要求2或3所述的晶圆加工装置,其特征在于,在同一径向上的氮气喷嘴中,所述控制单元配置为控制径向内侧的氮气喷嘴的氮气喷射速度大于径向外侧的氮气喷嘴的氮气喷射速度。5.根据权利要求4所述的晶圆加工装置,其特征在于,所述氮气喷嘴包括相互连通的竖直流道和倾...

【专利技术属性】
技术研发人员:洪成都曾麒文
申请(专利权)人:苏州桔云科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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