System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 晶圆烘烤方法及装置制造方法及图纸_技高网

晶圆烘烤方法及装置制造方法及图纸

技术编号:44366909 阅读:9 留言:0更新日期:2025-02-25 09:46
本申请实施例公开了一种晶圆烘烤方法及装置。其中,晶圆烘烤装置包括晶圆承载组件、烘烤组件和搬运组件,烘烤组件包括至少一个压力烤箱,压力烤箱被配置为烘烤晶圆。通过本申请实施例,先对存放有晶圆的压力烤箱内的压力进行一次正负压的振荡调节,从而将大气泡抽出封装材料,并将未抽出的大气泡分化成数个小气泡;然后调升压力烤箱内的温度与压力,从而软化气泡和封装材料,提高气泡的运动速率,并保持压力烤箱内的预设压力以充分地将气泡从封装材料内挤出,或者将气泡进一步地打散,使其无法在晶圆内形成“空洞”,使得经烘烤后的晶圆内的气泡含量满足要求。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及晶圆制造,尤其涉及一种晶圆烘烤方法及装置


技术介绍

1、在半导体芯片的封装过程中,为了使晶粒微小化、多功能性并符合绿色制造要求,业内通常会使用晶圆封胶/注胶与堆栈等技术,但封胶/堆栈材料都会吸收或包覆水汽,而产易挥发物质或于制程中产生气泡,进而影响后续产品的质量。

2、目前,很多厂家会对晶圆进行烘烤,以去除芯片及封装材料中的气泡。然而在实际烘烤过程中发现,部分气泡无法通过封装材料与晶圆之间的间隙逸出,导致经过烘烤后的晶圆依然会存在较多气泡。


技术实现思路

1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本申请提出一种晶圆烘烤方法及装置,以解决现有技术中晶圆烘烤中气泡去除不彻底的问题。

2、在第一方面,本申请提供一种晶圆烘烤方法,包括:

3、对存放有晶圆的压力烤箱内的压力进行一次正负压的振荡调节;

4、调升所述压力烤箱内的温度与压力,在此期间,当所述压力烤箱内的压力升至预设压力后保持所述压力烤箱内的压力;

5、调低所述压力烤箱内的温度,再取出所述压力烤箱内的晶圆。

6、基于上述的晶圆烘烤方法,先对存放有晶圆的压力烤箱内的压力进行一次正负压的振荡调节,从而将大气泡抽出封装材料,并将未抽出的大气泡分化成数个小气泡;然后调升压力烤箱内的温度与压力,从而软化气泡和封装材料,提高气泡的运动速率,以将气泡从封装材料内挤出,或者将气泡进一步地打散,使其无法在晶圆内形成“空洞”,使得经烘烤后的晶圆内的气泡含量满足要求。

7、在上述的晶圆烘烤方法的一个或多个实施例中,在对所述压力烤箱内的压力进行一次正负压的振荡调节后,调升所述压力烤箱内的压力至预设压力并保持。

8、在上述的晶圆烘烤方法的一个或多个实施例中,在调升所述压力烤箱内的压力至预设压力并保持后,对所述压力烤箱内的温度进行分段调节。

9、在上述的晶圆烘烤方法的一个或多个实施例中,所述对所述压力烤箱内的温度进行分段调节包括:当所述压力烤箱内的压力升至预设压力并保持后,调升所述压力烤箱内的温度至第一预设温度并保持。

10、在上述的晶圆烘烤方法的一个或多个实施例中,在所述压力烤箱内的温度保持第一预设温度达到预设时间后,逐渐调升所述压力烤箱内的温度至第二预设温度并保持。

11、在上述的晶圆烘烤方法的一个或多个实施例中,在将晶圆放入所述压力烤箱前,对晶圆进行预处理,所述预处理包括对晶圆进行寻边定位。

12、在上述的晶圆烘烤方法的一个或多个实施例中,具有预设温度和预设压力的气流自所述压力烤箱的至少一端和至少一侧流向待烘烤的晶圆。

13、在上述的晶圆烘烤方法的一个或多个实施例中,在调低所述压力烤箱内的温度的同时,继续保持所述压力烤箱内的压力为预设压力。

14、在第二方面,本申请提供一种基于上述晶圆烘烤方法的装置,包括:

15、晶圆承载组件,所述晶圆承载组件被配置为承载晶圆;

16、烘烤组件,所述烘烤组件包括至少一个压力烤箱,所述压力烤箱被配置为烘烤晶圆;

17、搬运组件,所述搬运组件被配置为搬运晶圆至预设位置。

18、在上述的晶圆烘烤装置的一个或多个实施例中,所述晶圆烘烤装置还包括预处理组件,所述预处理组件被配置为调整所述晶圆的摆放方向;

19、和/或,

20、所述晶圆烘烤装置还包括冷却组件,所述冷却组件被配置为冷却完成烘烤后的晶圆;

21、和/或,

22、所述压力烤箱包括压力腔体、烘烤腔体和循环组件,其中,

23、所述烘烤腔体设于所述压力腔体内,所述烘烤腔体与所述压力腔体之间限定形成间隙空间,所述间隙空间与所述烘烤腔体的内部空间共同构成气流通路;

24、所述循环组件被配置为驱动所述压力腔体内的气体在所述气流通路内循环流动;

25、所述烘烤腔体的至少一侧开设有多个气流孔道,所述气体在循环流动过程中流经所述间隙空间时能够通过所述气流孔道进入所述内部空间。

26、本申请上述一个或多个实施例,至少具有如下一种或多种有益效果:

27、先对存放有晶圆的压力烤箱内的压力进行一次正负压的振荡调节,从而将大气泡抽出封装材料,并将未抽出的大气泡分化成数个小气泡;然后调升压力烤箱内的温度与压力,从而软化气泡和封装材料,提高气泡的运动速率,并保持压力烤箱内的预设压力以充分地将气泡从封装材料内挤出,或者将气泡进一步地打散,使其无法在晶圆内形成“空洞”,使得经烘烤后的晶圆内的气泡含量满足要求。

28、本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。

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【技术保护点】

1.一种晶圆烘烤方法,其特征在于,所述晶圆烘烤方法包括:

2.根据权利要求1所述的晶圆烘烤方法,其特征在于,在对所述压力烤箱内的压力进行一次正负压的振荡调节后,对所述压力烤箱内的温度进行分段调节。

3.根据权利要求2所述的晶圆烘烤方法,其特征在于,所述对所述压力烤箱内的温度进行分段调节包括:

4.根据权利要求3所述的晶圆烘烤方法,其特征在于,在所述压力烤箱内的温度保持第一预设温度达到预设时间后,逐渐调升所述压力烤箱内的温度至第二预设温度并保持。

5.根据权利要求1所述的晶圆烘烤方法,其特征在于,在将晶圆放入所述压力烤箱前,对晶圆进行预处理,所述预处理包括对晶圆进行寻边定位。

6.根据权利要求1所述的晶圆烘烤方法,其特征在于,具有预设温度和预设压力的气流自所述压力烤箱的至少一端和至少一侧流向待烘烤的晶圆。

7.根据权利要求1所述的晶圆烘烤方法,其特征在于,在调低所述压力烤箱内的温度的同时,继续保持所述压力烤箱内的压力为预设压力。

8.一种晶圆烘烤装置,基于权利要求1至7任一项所述的晶圆烘烤方法,其特征在于,所述晶圆烘烤装置包括:

9.根据权利要求8所述的晶圆烘烤装置,其特征在于,所述晶圆烘烤装置还包括预处理组件,所述预处理组件被配置为调整所述晶圆的摆放方向;

...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆烘烤方法,其特征在于,所述晶圆烘烤方法包括:

2.根据权利要求1所述的晶圆烘烤方法,其特征在于,在对所述压力烤箱内的压力进行一次正负压的振荡调节后,对所述压力烤箱内的温度进行分段调节。

3.根据权利要求2所述的晶圆烘烤方法,其特征在于,所述对所述压力烤箱内的温度进行分段调节包括:

4.根据权利要求3所述的晶圆烘烤方法,其特征在于,在所述压力烤箱内的温度保持第一预设温度达到预设时间后,逐渐调升所述压力烤箱内的温度至第二预设温度并保持。

5.根据权利要求1所述的晶圆烘烤方法,其特征在于,在将晶圆放入所述压力烤箱前,对晶圆进...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾麒文洪成都
申请(专利权)人:苏州桔云科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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