电感耦合等离子体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电感耦合等离子体装置，包括机体、反应室，反应室上方设有电感耦合线圈，电感耦合线圈与机体之间通过连接装置连接，连接装置包括水平轴，电感耦合线圈可绕水平轴旋转，使电感耦合线圈可以相对于反应室倾斜一定的角度，可以补偿由于抽气方式等不对称结构带来的等离子体分布的对称性破缺，可以得到更均匀的等离子体，从而获得更好的工艺结果。本发明专利技术主要用于半导体晶片加工设备，也适用于其它类似的设备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体晶片加工设备，尤其涉及一种电感耦合等离子体装置。
技术介绍
目前，随着电子技术的高速发展，人们对集成电路的集成度要求越来越高，这就要求 生产集成电路的企业不断地提高半导体晶片的加工能力。等离子体装置广泛地应用于制造 IC (集成电路)或MEMS (微电子机械系统)器件的制造工艺中。其中ICP (电感耦合等离子 体装置)被广泛应用于刻蚀等工艺中。在低压下，反应气体在射频功率的激发下，产生电 离形成等离子体，等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活 性粒子，这些活性反应基团和被刻蚀物质表面发生各种物理和化学反应并形成挥发性的生 成物，从而使材料表面结构、性能发生变化。如图l所示的电感耦合等离子体装置，是目前半导体刻蚀设备中大多数采用的结构。 在半导体加工过程中，从介电窗1中央的进气口2进入反应室3的工艺气体被上方的电感耦合 线圈4电离形成等离子体，生成的等离子体刻蚀晶片5表面的材质。系统中分子泵从出气口6 抽出反应室3的气体排出。在这一过程中，使气体产生电离形成等离子体的射频功率来自于 电感耦合线圈4。如图2所示，现有技术中的电感耦合线圈本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电感耦合等离子体装置，包括机体、反应室，反应室上方设有电感耦合线圈，其特征在于，所述电感耦合线圈与所述机体之间通过连接装置连接，所述连接装置包括水平轴，所述电感耦合线圈可绕水平轴旋转。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：申浩南，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]