一种堆叠纳米片GAA-FET器件及其制作方法技术

本申请提供一种堆叠纳米片GAA

【技术实现步骤摘要】
一种堆叠纳米片GAA
‑
FET器件及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体领域，特别涉及一种堆叠纳米片GAA
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FET器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路特征尺寸持续微缩，传统三栅或双栅的鳍式场效应晶体管(Fin Field
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Effect Transistor，FinFET)在3nm以下节点受到限制，而与主流后高k金属栅FinFET工艺兼容的纳米环栅晶体管(Gate
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all
‑
around Field
‑
Effect Transistor，GAA
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FET)将是实现尺寸微缩的下一代关键结构，GAA
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FET的沟道主要为堆叠纳米片(Stacked Nanosheet)结构。然而，在GAA
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FET的源漏区和沟道的交叠区域存在带带隧穿(Band
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To
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Band Tunneling，BTBT)漏电，导致器件关态漏电急剧增加。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种堆叠纳米片GAA
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FET器件的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一半导体层和第二半导体层交替层叠的堆叠层；刻蚀所述堆叠层形成鳍，并在所述鳍上形成假栅和第一侧墙；从外向内刻蚀所述第一半导体层两端的部分区域，在所述第一半导体层两端形成第二侧墙；去除所述第一半导体层释放纳米片沟道，所述第二半导体层作为沟道；横向刻蚀所述第二侧墙和所述沟道的交叠区域形成空隙；在所述空隙中形成界面氧化层，以及交替层叠的第一高k介质层和第二高k介质层，直至将所述空隙完全填充；环绕所述沟道形成界面氧化层和第三高k介质层，并形成包围所述沟道的金属栅。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述空隙中形成界面氧化层，以及交替层叠的第一高k介质层和第二高k介质层，包括：形成包围所述沟道的界面氧化层，以及交替层叠的第一高k介质层和第二高k介质层；去除所述沟道之间的交替层叠的第一高k介质层和第二高k介质层，保留所述沟道和所述第二侧墙之间的空隙中的界面氧化层，以及交替层叠的第一高k介质层和第二高k介质层。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一高k介质层和所述第二高k介质层的材料包括以下材料的至少一种：AlOx、MnOx、ZrOx、TiOx、MoOx、LaOx、MgOx、ScOx、YOx、NdOx。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第三高k介质层为Hf基高k材料，第三高k介质层的材料包括以下材料的至少一种：HfO2、HfSiOx、HfON、HfSiON、HfAlOx、HfLaOx。5.根据权利要求1
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4任一所述的制作方法，其特征在于，所述交替...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚佳欣，魏延钊，张青竹，殷华湘，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：