一种三相桥电路的陶瓷封装工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种三相桥电路的陶瓷封装工艺，包括以下步骤：S1.陶瓷基板与外壳成型：使用包含氧化铝和氧化铍的无机材料以及有机材料烧结成陶瓷基板；将陶瓷生片在氮氢混合气中进行烧结，烧结后制成外壳；S2、管座上涂胶与贴片：使用点胶机点胶，将芯片贴在基板上，并在指定温度的环境下固化0.5

【技术实现步骤摘要】
一种三相桥电路的陶瓷封装工艺


[0001]本专利技术涉及封装
，具体为一种三相桥电路的陶瓷封装工艺。

技术介绍

[0002]封装技术是一种将芯片的焊区与封装的外引脚互联起来，并用绝缘的材料外壳打包起来的技术。现有封装包括塑料封装和金属封装等；
[0003]塑料封装材料是以环氧树脂为基础成分，添加的各种添加剂的混合物，塑料封装作为一种非气密性封装，最主要的缺点就是塑封半导体器件容易吸收潮气，潮气侵入芯片与微量杂质结合在一起，使器件受侵蚀而功能退化或损坏；并且由于塑料框架和芯片之间的热膨胀系数不同，使塑料包封料在芯片上产生热膨胀应力，导致塑料封装导热性差，热阻大；大功率器件充分散热和贮存温度范围受到很大的限制。
[0004]金属封装的缺点是价格贵，外形笨重，不能够满足半导体产业高速集成化发展的需求。
[0005]虽然塑料封装方式在尺寸、质量、成本和实用性等方面都优于陶瓷封装，但是陶瓷封装最大的优势——气密性，带来的优良的防潮防湿性能和高可靠性，恰恰是塑料封装的“软肋”。陶瓷封装还具有高频绝缘性能良好，在电、热、机械方面极其稳定的特点
[0006]由于半导体器件向高密度、高速度、超小型、多功能、低功耗、低成本方向发展，它们所需要的封装技术已不再像以前那样只是对半导体器件进行保护和转换、而是将封装本身同电路、元件甚至整机结合在一起、组成电路的一部分，将封装与电路、系统的参数、性能融为一体，这是不可分离的。
[0007]合格的封装能够对主体产品进行物理保护，标准规格化互连，并且在集成电路的集成度迅猛增加及大功率器件的出现，芯片运行的发热量也急剧上升，迫切的需要一种封装材料及工艺来解决这个问题。

技术实现思路

[0008]本专利技术的目的在于提供一种三相桥电路的陶瓷封装工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0009]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种三相桥电路的陶瓷封装工艺，包括以下步骤：
[0010]S1.陶瓷基板与外壳成型：
[0011]使用包含氧化铝和氧化铍的无机材料以及有机材料烧结成陶瓷基板；
[0012]将陶瓷生片在氮氢混合气中进行烧结，烧结后制成外壳；
[0013]S2、管座上涂胶与贴片：使用点胶机点胶，将芯片贴在基板上，并在指定温度的环境下固化0.5
‑
1.5h；
[0014]S3.等离子清洗：通过等离子清洗机对固化后的管座进行清洗；
[0015]S4、引线键合：安装引线和劈刀，设置参数后通过引线键合机进行键合；
[0016]S5、盖板封接、将管座与盖板放入缝焊设备中，对缝焊设备进行无氧处理，盖上盖板启动机器进行缝焊；
[0017]S6、检漏：将样品放入氟油中，进行漏气检验；
[0018]S7、环境测试：将样品放入相应的试验箱中按照设定试验程序执行。
[0019]优选的，所述S1中有机材料包括粘合剂、塑化剂和有机溶剂中的一种或几种。
[0020]优选的，所述S1中制得的外壳进行电镀处理，所述电镀处理为对外壳暴露的金属进行镀Ni，然后将金属零件钎焊到陶瓷基体上，最后将暴露的金属进行表面镀Au。
[0021]优选的，所述钎焊为Ag
‑
Cu钎焊。
[0022]优选的，所述S2中的指定温度为140℃
‑
160℃。
[0023]优选的，所述S4中设置参数为：
[0024]金丝规格：23μm
‑
28μm；
[0025]将用于夹持键合机的夹具的温度控制在150
±
2℃；
[0026]将键合机的劈刀压力控制在17
±
2gf。
[0027]优选的，所述S5中的无氧处理为抽真空或充氮气。
[0028]优选的，所述S6中的漏气检验为将样品放入氟油中，如果出现明显的氟油泡说明有漏气存在，否则即为通过测试。
[0029]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0030]封装材料使用氧化铝(AL2O3)、氧化铍(BeO)等材料,这类材料的热导率很高，介电常数低，适用于高频三相桥大功率电路；该封装具有气密性很好，有足够高的机械强度，表面光滑，绝缘破坏电压高，在高温度，大湿度的条件下可以保证产品的性能稳定等特点。
附图说明
[0031]图1为本专利技术流程图。
具体实施方式
[0032]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0033]请参阅图1，本专利技术提供一种技术方案：一种三相桥电路的陶瓷封装工艺，包括以下步骤：
[0034]S1.陶瓷基板与外壳成型：
[0035]使用包含氧化铝和氧化铍的无机材料以及有机材料烧结成陶瓷基板，内部基板对芯片起到固定、支撑、散热的作用，有机材料包括粘合剂、塑化剂、有机溶剂，无机材料中添加玻璃粉末的目的主要是为了调整养护率的热膨胀系数、介电常数等；
[0036]将陶瓷生片在氮氢混合气中进行烧结，烧结后制成外壳，陶瓷封装外壳主要对芯片和引线框架起到密封和保护作用；
[0037]S2、管座上涂胶与贴片：使用点胶机点胶，将芯片贴在基板上，并在指定温度的环境下固化0.5
‑
1.5h；
[0038]S3.等离子清洗：通过等离子清洗机对固化后的管座进行清洗；
[0039]S4、引线键合：安装引线和劈刀，设置参数后通过引线键合机进行键合；
[0040]S5、盖板封接、将管座与盖板放入缝焊设备中，对缝焊设备进行无氧处理，盖上盖板启动机器进行缝焊；
[0041]S6、检漏：将样品放入氟油中，进行漏气检验；
[0042]S7、环境测试：将样品放入相应的试验箱中按照设定试验程序执行。
[0043]进一步的，所述S1中有机材料包括粘合剂、塑化剂和有机溶剂中的一种或几种。
[0044]进一步的，所述S1中制得的外壳进行电镀处理，所述电镀处理为对外壳暴露的金属进行镀Ni，然后将金属零件钎焊到陶瓷基体上，最后将暴露的金属进行表面镀Au。
[0045]进一步的，所述钎焊为Ag
‑
Cu钎焊。
[0046]进一步的，所述S2中的指定温度为140℃
‑
160℃。
[0047]进一步的，所述S4中设置参数为：
[0048]金丝规格：23μm
‑
28μm；
[0049]将用于夹持键合机的夹具的温度控制在150
±
2℃；
[0050]将键合机的劈刀压力控制在17
±
2gf。
[0051]进一步的，所述S5中的无氧处理为抽真空或充氮气。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三相桥电路的陶瓷封装工艺，其特征在于：包括以下步骤：S1.陶瓷基板与外壳成型：使用包含氧化铝和氧化铍的无机材料以及有机材料烧结成陶瓷基板；将陶瓷生片在氮氢混合气中进行烧结，烧结后制成外壳；S2、管座上涂胶与贴片：使用点胶机点胶，将芯片贴在基板上，并在指定温度的环境下固化0.5
‑
1.5h；S3.等离子清洗：通过等离子清洗机对固化后的管座进行清洗；S4、引线键合：安装引线和劈刀，设置参数后通过引线键合机进行键合；S5、盖板封接、将管座与盖板放入缝焊设备中，对缝焊设备进行无氧处理，盖上盖板启动机器进行缝焊；S6、检漏：将样品放入氟油中，进行漏气检验；S7、环境测试：将样品放入相应的试验箱中按照设定试验程序执行。2.根据权利要求1所述的一种三相桥电路的陶瓷封装工艺，其特征在于：所述S1中有机材料包括粘合剂、塑化剂和有机溶剂中的一种或几种。3.根据权利要求1所述的一种三相桥电路的陶瓷封装工艺，其特征在于：所述S1中制得的外壳进行电镀处理，所述电镀处理为对外壳暴露的...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛显镕，崔怀军，
申请(专利权)人：西安广勤电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：