【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含阶梯式结构的微电子装置和相关存储器装置、电子系统以及方法
[0001]优先权要求
[0002]本申请案要求于2020年6月22日提交的标题为“包含阶梯式结构的微电子装置和相关存储器装置、电子系统以及方法(Microelectronic Devices Including Stair Step Structures,and Related Memory Devices,Electronic Systems,and Methods)”的第16/908,287号美国专利申请案的提交日的权益。
[0003]在各种实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计和制造领域。更具体地说，本公开涉及包含阶梯式结构的微电子装置和相关存储器装置、电子系统以及方法。
技术介绍
[0004]微电子行业的持续目标是增大例如非易失性存储器装置(例如，NAND快闪存储器装置)的存储器装置的存储器密度(例如，每存储器裸片的存储器单元数目)。增大非易失性存储器装置中的存储器密度的一种方式为利用竖直存储器阵列(也被称为“三维(3D)存储器阵列”)...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种微电子装置，其包括：堆叠结构，其包括按层布置的交替的导电结构和绝缘结构，所述层个别地包括所述导电结构中的一者和所述绝缘结构中的一者；第一支撑柱结构，其在所述微电子装置的第一区域内延伸穿过所述堆叠结构，所述第一支撑柱结构与下伏于所述堆叠结构的源极结构电隔离；第二支撑柱结构，其在所述微电子装置的第二区域内延伸穿过所述堆叠结构，所述第二支撑柱结构包括与所述源极结构电连通的导电材料；以及桥接结构，其在所述第一支撑柱结构中的至少一些相邻第一支撑柱结构之间延伸。2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述桥接结构中的至少一个桥接结构物理地将所述第一支撑柱结构中的一者连接到所述第一支撑柱结构中的另一者。3.根据权利要求2所述的微电子装置，其进一步包括位于所述第一支撑柱结构中的所述两者之间并且与所述至少一个桥接结构接触的替换栅极槽。4.根据权利要求3所述的微电子装置，其中所述替换栅极槽和所述第一支撑柱结构中的所述两者包括相同的材料成分。5.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述桥接结构通过衬里材料与所述源极结构电隔离。6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述桥接结构包括多晶硅。7.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述桥接结构包括与所述源极结构接触的电介质衬里材料。8.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第一支撑柱结构中的至少一些位于阶梯式区域内。9.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第一支撑柱结构包括与所述桥接结构相同的材料成分。10.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述导电材料包括钨。11.一种存储器装置，其包括：堆叠结构，其包括层，所述层各自包括至少一个导电结构和与所述至少一个导电结构竖直相邻的至少一个绝缘结构；阶梯式结构，其具有包括所述层中的至少一些的水平末端的阶状物；源极结构，其下伏于所述堆叠结构；第一支撑柱结构，其竖直地延伸穿过所述阶梯式结构到达所述源极结构，所述第一支撑柱结构中的至少一者通过所述源极结构内的桥接结构耦合到所述第一支撑柱结构中的至少另一者；以及第二支撑柱结构，其包括竖直地延伸穿过所述堆叠结构并且与所述源极结构电连通的导电材料。12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述第二支撑柱结构位于所述阶梯式结构的水平边界之外。13.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述第一支撑柱结构与所述源极结构电隔离。
14.根据权利要求11所述的存储器装置，其进一步包括位于所述第一支撑柱结构中的所述至少一者与所述第一支撑柱结构中的所述至少另一者之间的槽结构。15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中所述槽结构物理地接触所述桥接结构。16.根据权利要求11至15中任一权利要求所述的存储器装置，其中所述第二支撑柱结构在竖直方向上...
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