尺寸测量结构及其形成方法技术

一种尺寸测量结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，衬底包括监测区；位于监测区上的第一监测结构，第一监测结构包括若干相互分立的测量结构，各测量结构包括第一监测层和位于第一监测层上的第二监测层，第一监测层包括若干第一图形层和相邻第一图形层之间的第一开口，第二监测层包括若干第二图形层和相邻第二图形层之间的第二开口，提高了关键尺寸测量的准确性，以及光刻工艺的准确性。以及光刻工艺的准确性。以及光刻工艺的准确性。

【技术实现步骤摘要】
尺寸测量结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种尺寸测量结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，当所形成的图案化材料层的图形宽度是此电子元件特性的重要参数时(或此图形宽度是各图案化晶片层中最小者时)，此宽度即称为关键尺寸(Critical Dimension，CD)。由于关键尺寸的变化对电子元件的特性有重大的影响，所以关键尺寸的误差必须严加控制在一定范围之内，以免降低元件的品质。为了监控关键尺寸，通常在切割道内放置监测图形，如关键尺寸测试条(Critical Dimension Bar，CD Bar)，通过量测CD
‑
bar进行制程参数监控，来保障光刻图形的正常形成。
[0003]现有光刻工艺建立时，由于客户版图通常非常复杂，且很多因为商务保密原因，制造厂商不能拿到全部设计图形，通常根据产品设计要求，选定几个关键结构来进行工艺设定。在衬底台阶起伏很大的工艺中，例如功率(Power)、BCD(Bipolar
‑
CMOS
‑
DMOS)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种尺寸测量结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括监测区；位于所述监测区上的第一监测结构，所述第一监测结构包括若干相互分立的测量结构，各测量结构包括第一监测层和位于所述第一监测层上的第二监测层，所述第一监测层包括若干第一图形层和相邻第一图形层之间的第一开口，所述第二监测层包括若干第二图形层和相邻第二图形层之间的第二开口。2.如权利要求1所述的尺寸测量结构，其特征在于，所述若干第一图形层和所述若干第二图形层均沿第一方向排布，所述第一图形层在沿所述第一方向上具有第一尺寸，所述第二图形层和所述第二开口在沿所述第一方向上的周期排布尺寸为第一周期值，所述第一尺寸小于所述第一周期值的两倍。3.如权利要求2所述的尺寸测量结构，其特征在于，所述若干测量结构包括若干第一类测量结构，各所述第一类测量结构包括所述第一图形层和位于所述第一图形层上的第二开口，在沿所述第一方向上，所述第二开口暴露出部分所述第一图形层顶部表面。4.如权利要求2所述的尺寸测量结构，其特征在于，所述若干测量结构包括若干第二类测量结构，各所述第二类测量结构包括所述第一开口和位于所述第一开口上的第二开口，在沿所述第一方向上，所述第一开口在所述衬底表面的投影位于所述第二开口在所述衬底表面的投影范围之内。5.如权利要求2所述的尺寸测量结构，其特征在于，所述若干测量结构包括若干第三类测量结构，各所述第三类测量结构包括所述第一图形层和位于所述第一图形层上的第二图形层，在沿所述第一方向上，所述第二图形层覆盖所述第一图形层表面和侧壁。6.如权利要求2所述的尺寸测量结构，其特征在于，所述若干测量结构包括若干第四类测量结构，各所述第四类测量结构包括所述第一开口和所述第二图形层，在沿所述第一方向上，所述第二图形层位于所述第一开口内以及所述第一开口上。7.如权利要求2所述的尺寸测量结构，其特征在于，所述第一图形层和所述第一开口在沿所述第一方向上的周期排布尺寸为第二周期值，所述第二周期值与所述第一尺寸的比值范围为2：1至10：1；所述第二图形层在沿所述第一方向上具有第二尺寸，所述第一周期值与所述第二尺寸的比值范围为2：1至10：1。8.如权利要求2所述的尺寸测量结构，其特征在于，所述第二图形层在沿所述第一方向上具有第二尺寸，相邻的所述第二图形层之间以及相邻的所述第二图形层之间的间距均大于最小设计值，所述第一尺寸大于或等于所述第二尺寸与所述最小设计值的差值。9.如权利要求1所述的尺寸测量结构，其特征在于，所述监测区包括第一区和第二区，所述第一监测结构位于所述第一区；所述尺寸测量结构还包括：位于所述第二区上的第二监测结构，所述第二监测结构包括至少一个第三开口；位于所述第二区上的第三监测结构，所述第三监测结构包括至少一个第四图形层。10.如权利要求1所述的尺寸测量结构，其特征在于，所述衬底还包括芯片区和相邻芯片区之间的划片区；所述监测区位于所述划片区内。11.如权利要求10所述的尺寸测量结构，其特征在于，所述尺寸测量结构还包括：位于所述芯片区上的第一器件层和位于所述第一器件层上的第二器件层。12.如权利要求1所述的尺寸测量结构，其特征在于，包括：提供聚焦深度值，所述聚焦
深度值的范围为0.3μm至0.6μm；所述第一图形层的高度范围为大于所述聚焦深度值的1/3。13.如权利要求1所述的尺寸测量结构，其特征在于，所述第一图形层包括栅极、源漏区、金属层、侧墙、隔离层、浮栅、存储栅中的一者或多者；所述第二图形层包括栅极、源漏区、金属层、侧墙、隔离层、浮栅、存储栅中的一者或多者。14.一种尺寸测量结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括监测区；在所述监测区上形成第一监测结构，所述第一监测结构包括若干相互分立的测量结构，各测量结构包括第一监测层和位于所述第一监测层上的第二监测层，所述第一监测层包括若干第一图形层和相邻第一图形层之间的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王雷，张顾斌，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：