用于改善半导体装置的不对齐及不对称性的小波系统及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种用于制造半导体装置晶片的小波分析系统及方法，所述系统包含：不对齐计量工具，其可操作以测量晶片上的至少一个测量位点，从而产生输出信号；以及基于小波的分析引擎，其可操作以通过将至少一个小波变换应用于所述输出信号来产生至少一个经小波变换信号，且通过分析所述经小波变换信号来产生质量度量。量度量。量度量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于改善半导体装置的不对齐及不对称性的小波系统及方法
[0001]相关申请案的交叉引用
[0002]特此参考2020年6月25日申请且标题为“基于小波的叠加(OVL)计算及不对称性提取(WAVELET BASED OVERLAY(OVL)CALCULATIONS AND ASYMMETRY EXTRACTION)”的第63/043,828号美国临时专利申请案，所述申请案的公开内容特此以引用的方式并入本文且特此主张其优先权。
[0003]还参考与本申请案的目标物相关的申请人的下列专利及专利申请案，所述申请案的公开内容特此以引用的方式并入本文中：
[0004]标题为“用于确定光刻焦点及曝光的方法(METHOD FOR DETERMINING LITHOGRAPHIC FOCUS AND EXPOSURE)”的第7,656,512号美国专利案；
[0005]标题为“叠加计量及控制方法(OVERLAY METROLOGY AND CONTROL METHOD)”的第7,804,994号美国专利案；
[0006]标题为“多个图案化参数的测量(MEA本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于制造半导体装置晶片的小波分析系统，所述系统包括：不对齐计量工具，其可操作以测量晶片上的至少一个测量位点，从而产生输出信号；及基于小波的分析引擎，其可操作以：通过将至少一个小波变换应用于所述输出信号来产生至少一个经小波变换信号；及通过分析所述经小波变换信号来产生质量度量。2.根据权利要求1所述的小波分析系统，且其中所述不对齐计量工具是电子束不对齐计量工具。3.根据权利要求1或权利要求2所述的小波分析系统，且其中所述分析包括将所述经小波变换信号的特定部分与所述测量位点内的特定位置相关联。4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的小波分析系统，且其中所述质量度量包括以下至少一者的不对称性的指示：在所述测量位点内形成的至少一个个别结构；在所述测量位点内形成的至少一个群组的结构；及所述测量位点。5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的小波分析系统，且其中所述质量度量包括形成在所述晶片上的第一层与第二层之间的不对齐的指示。6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的小波分析系统，且其中所述质量度量可操作以用于至少一个经调整制造参数的产生中。7.根据权利要求6所述的小波分析系统，且其中所述至少一个经调整制造参数用于所述制造所述半导体装置晶片。8.一种制造半导体装置晶片的小波分析方法，所述方法包括：提供第一晶片；使用第一组制造参数在所述晶片上形成至少第一层；使用第二组制造参数在所述晶片上形成至少第二层；随后通过使用不对齐计量工具测量所述第一晶片上的测量位点来产生输出信号；通过将至少一个小波变换应用于所述输出信号来产生至少一个经小波变换信号；通过分析所述经小波变换信号来产生质量度量；通过至少部分基于所述质量度量调整至少一个制造参数而产生至少经调整组制造参数，所述至少一个制造参数选自所述第一组制造参数及所述第二组制造参数中的至少一者；及随后使用所述经调整组制造参数在所述第一晶片及一第二晶片中的至少一者上形成至少一个层。9.根据权利要求8所述的小波分析方法，且其中所述小波变换是连续小波变换。10.根据权利要求8或权利要求9所述的小波分析方法，且其中所述分析包括将所述经小波变换信号的特定部分与所述测量位点内的特定位置相关联。11.根据权利要求8到10中任一权利要求所述的小波分析方法，且其中所述质量度量包括所述第一层与所述第二层之间的不对齐的指示。12.根据权利要求11所述的小波分析方...

【专利技术属性】
技术研发人员：L，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：