一种在线检测金属通孔断路的测试结构和测试方法技术

本发明专利技术提供一种在线检测金属通孔断路的测试结构和测试方法，提供掺杂的基底；基底上设有接触孔层；接触孔层上设有第一金属层；第一金属层上设有第一金属通孔层；第一金属通孔层上设有第二金属层；接触孔层包含有多个接触孔，多个接触孔与第一金属层连接；第一金属通孔层包含有多个第一通孔；多个第一通孔中填充有金属，多个第一通孔与第二金属层连接。利用E

【技术实现步骤摘要】
一种在线检测金属通孔断路的测试结构和测试方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种在线检测金属通孔断路的测试结构和测试方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术节点向越来越小的方向发展，后段金属间距也变得越来越小，连接上下层金属的通孔的尺寸也会面临高深宽比的问题，要刻蚀和填充非常小的通孔，不仅对刻蚀是个很大的挑战，以及对后续通孔的填充也对金属填充工艺提出严峻挑战。稍有不慎就很容易出现通孔断路的问题。因此寻求快速检验通孔质量的方法至关重要，可以尽早发现问题，减小影响。传统方法中测试结构的通孔链中金属与基底直接是悬空结构，金属没有与基底进行连接，检测通孔的填充问题需要通过测试WAT才能发现，这样不能及早发现工艺过程的问题，影响很大。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种在线检测接触孔断路的测试结构和测试方法，用于解决现有技术中由于后段金属与基底之间没有直接连接，导致不能及时发现通孔的填充导致断路的问题。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在线检测金属通孔断路的测试结构，其特征在于，至少包括：掺杂的基底；位于所述基底上的接触孔层；位于所述接触孔层上的第一金属层；位于所述第一金属层上的第一金属通孔层；位于所述第一金属通孔层上的第二金属层；所述接触孔层包含有多个接触孔，所述多个接触孔与所述第一金属层连接；所述第一金属通孔层包含有多个第一通孔；所述多个第一通孔中填充有金属，所述多个第一通孔与所述第二金属层连接。2.根据权利要求1所述的在线检测金属通孔断路的测试结构，其特征在于：所述基底为硅基底。3.根据权利要求1所述的在线检测金属通孔断路的测试结构，其特征在于：通过离子注入的方式获得所述掺杂的基底。4.根据权利要求1所述的在线检测金属通孔断路的测试结构，其特征在于：所述接触孔层中包含两个接触孔。5.根据权利要求1所述的在线检测金属通孔断路的测试结构，其特征在于：所述第一金属通孔层中包含两个第一通孔。6.根据权利要求1所述的在线检测金属通孔断路的测试结构，其特征在于：还包括位...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙淑苗，杨志刚，张庆，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：