用于检测金属栅扩散的半导体结构及检测方法技术

本发明专利技术提供一种用于检测金属栅扩散的半导体结构及检测方法，在制备金属栅极的同时制备检测金属栅极，且使得检测金属栅极跨越多个有源区并与至少一个有源区接触，且使得对应设置的检测栅极金属接触与源区金属接触之间的距离大于对应设置的栅极金属接触与源区金属接触之间的距离，从而在对金属栅极进行金属扩散检测时，拉长的检测金属栅极接出的检测栅极金属接触的位置由于经过数个有源区及隔离结构从而可及时有效的检测出导通电流较小的金属扩散效应，以能适时的改善制作工艺，进而稳定器件效能，确保产品良率及后续可靠性的评估。估。估。

【技术实现步骤摘要】
用于检测金属栅扩散的半导体结构及检测方法


[0001]本专利技术属于集成电路生产制造领域，涉及一种用于检测金属栅扩散的半导体结构及检测方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，高工艺节点的半导体器件的栅极结构中通常采用金属栅(MG)，而栅介质层则通常采用高介电常数层(HK)，HK和MG叠加形成HKMG结构。HKMG的栅极结构通常采用栅极替换工艺实现，也即先采用沉积、光刻和刻蚀工艺在栅极结构的形成区域形成伪栅极结构，其中，伪栅极结构通常由栅氧化层和多晶硅栅叠加而成，之后在伪栅极结构的侧面形成侧墙，采用源漏离子注入工艺在伪栅极结构两侧形成源区和漏区，完成HKMG之前的所有正面工艺之后，再去除伪栅极结构，在伪栅极结构去除区域形成凹槽，之后在凹槽中形成HKMG。
[0003]随着器件尺寸的缩小，伪栅极结构去除后的凹槽会缩小，HKMG的填充厚度会受到限制。通常在HKMG中需要采用功函数层，即在N型半导体器件中采用N型功函数层如TiAl，N型功函数层的功函数接近半导体衬底如硅衬底的导带，有利于降低N型半导体器件的阈值电压，在P型半导体器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于检测金属栅扩散的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底中设置有多个有源区，所述有源区包括对应设置的源极及漏极，且临近的所述有源区由隔离结构分割；金属栅极，所述金属栅极位于所述半导体衬底上，且所述金属栅极与所述有源区一一对应接触设置；检测金属栅极，所述金属栅极位于所述半导体衬底上，所述检测金属栅极与所述金属栅极同步形成，且所述检测金属栅极跨越多个所述有源区并与至少一个所述有源区接触设置；金属接触，所述金属接触包括位于所述有源区上的源区金属接触、位于所述金属栅极上的栅极金属接触以及位于所述检测金属栅极上的检测栅极金属接触，且对应设置的所述检测栅极金属接触与所述源区金属接触之间的距离大于对应设置的所述栅极金属接触与所述源区金属接触之间的距离。2.根据权利要求1所述的用于检测金属栅扩散的半导体结构，其特征在于：所述检测金属栅极跨越N个所述有源区，其中2≤N；所述检测金属栅极均与跨越的每个所述有源区接触设置。3.根据权利要求1所述的用于检测金属栅扩散的半导体结构，其特征在于：所述有源区包括P型有源区及N型有源区中的一种或组合。4.根据权利要求1所述的用于检测金属栅扩散的半导体结构，其特征在于：所述检测金属栅极包括位于所述半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁琦，黄俊，李仁雄，彭路露，宁宁，
申请(专利权)人：联合微电子中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：