电致发光测试方法及设备技术

本公开提供了一种电致发光测试方法及设备，属于半导体检测技术领域。该电致发光测试方法，包括：在外延片的表面切割出多个切口，各切口沿外延片的外边缘依次间隔排布，切口由外延片的表面延伸至外延片的n型层；提供多个n电极触点，将各n电极触点分别与各切口接触；提供p电极探头，驱动p电极探头依次与外延片的表面上的测试点接触，从而获取外延片的测试数据。本公开能够提高电致发光测试的准确度。本公开能够提高电致发光测试的准确度。本公开能够提高电致发光测试的准确度。

【技术实现步骤摘要】
电致发光测试方法及设备


[0001]本公开涉及半导体检测
，特别涉及一种电致发光测试方法及设备。

技术介绍

[0002]LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。LED具有高效节能、绿色环保的优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。LED制作时，先在衬底上外延生长出外延层，形成LED外延片，再在LED外延片上设置电极，并对LED外延片进行切割，得到至少两个相互独立的LED芯片，最后对LED芯片进行封装，得到LED。
[0003]在相关技术中，外延层生长完成后，需要对外延片进行测试，判断其是否符合最终的产品需求。测试方法主要包括目检、金相显微镜、光致发光(PL)测试、电致发光(EL)测试、透射电镜(TEM)与X射线衍射(XRD)等。其中，电致发光测试为一种常用的测试方式，通过向外延片输入电流，以使得外延片的出光，并以此采集相应的测试数据，用于判断其是否符合最终的产品需求。
[0004]然而，由于外延片的表面欧姆接触较差，导致测试结果准确度较低。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种电致发光测试方法及设备，能够提高电致发光测试的准确度。所述技术方案如下：
[0006]一方面，本公开实施例提供了一种电致发光测试方法，包括：
[0007]在外延片的表面切割出多个切口，各所述切口沿所述外延片的外边缘依次间隔排布，所述切口由所述外延片的表面延伸至所述外延片的n型层；
[0008]提供多个n电极触点，将各所述n电极触点分别与各所述切口接触；
[0009]提供p电极探头，驱动所述p电极探头依次与所述外延片的表面上的测试点接触，从而获取所述外延片的测试数据。
[0010]在本公开的一种实现方式中，所述切口的长度为0.5～5mm。
[0011]在本公开的一种实现方式中，当所述外延片的尺寸为2～4inch时，所述切口与所述外延片的外边缘之间的距离不大于3mm；
[0012]当所述外延片的尺寸为6～12inch时，所述切口与所述外延片的外边缘之间的距离不大于4mm。
[0013]在本公开的一种实现方式中，所述切口的延伸轨迹与所述外延片的外边缘相匹配。
[0014]在本公开的一种实现方式中，驱动所述p电极探头依次与所述外延片的表面上的测试点接触，包括：
[0015]通过步进电机驱动所述p电极探头在x方向、y方向、z方向上移动，所述x方向、所述y方向和所述z方向相互垂直，且所述x方向和所述y方向均垂直于所述p电极探头的朝向，所
述z方向平行于与所述p电极探头的朝向；
[0016]所述p电极探头在所述x方向和所述y方向上的移动步距为1～10mm，所述p电极探头在所述z方向上的移动距离不大于4mm。
[0017]在本公开的一种实现方式中，驱动所述p电极探头依次与所述外延片的表面上的测试点接触，包括：
[0018]确定所述p电极探头的移动边界，所述p电极探头的移动边界与所述外延片的外边缘相匹配，且所述p电极探头的移动边界与所述外延片的外边缘之间的距离为2～4mm。
[0019]在本公开的一种实现方式中，获取所述外延片的测试数据，包括：
[0020]所述p电极探头包括p电极触点和光纤；
[0021]导通所述p电极触点和目标n电极触点，所述目标n电极触点为，处于所述外延片的中心与所述p电极触点之间连线的延长线上的所述n电极触点；
[0022]通过所述p电极触点获取所述外延片的电学数据，通过所述p电极探头的光纤，获取所述外延片的光学数据。
[0023]另一方面，本公开实施例提供了一种电致发光测试设备，应用于前文所述的电致发光测试方法，所述电致发光测试设备包括：
[0024]n电极组件，包括基座和多个n电极触点，各所述n电极触点均位于所述基座的同一面，且沿所述基座的外边缘依次间隔排布；
[0025]p电极组件，包括步进电机、移动座和p电极探头，所述移动座与所述步进电机传动连接，所述p电极探头与所述移动座的一面相连，所述p电极探头的朝向与所述n电极触点的朝向相同。
[0026]在本公开的一种实现方式中，所述p电极探头包括p电极触点和光纤；
[0027]所述光纤围设在所述p电极触点的四周，且所述p电极触点和所述光纤均与所述移动座相连。
[0028]在本公开的一种实现方式中，所述n电极触点为金属铟；
[0029]所述p电极触点为金属银。
[0030]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0031]在通过本公开实施例提供的电致发光测试方法对外延片进行电致发光测试时，首先在外延片的表面切割出多个切口，使得切口由所述外延片的表面延伸至所述外延片的n型层。接着，将各所述n电极触点分别与各所述切口接触。由于切口由所述外延片的表面延伸至所述外延片的n型层，所以n电极触点能够直接与n型层接触，从而降低了n电极触点与n型层接触导通后的体电阻，进而提高了测试的准确度。然后，驱动p电极探头依次与所述外延片的表面上的测试点接触，实现了p电极探头与外延片之间的扫描式接触，有利于充分的获取外延片的测试数据。最后，导通p电极探头和n电极触点，通过p电极探头获取外延层的测试数据。
[0032]也就是说，通过本公开实施例提供的电致发光测试方法，能够有效的降低n电极触点与n型层接触导通后的体电阻，从而提高了测试的准确度。并且，通过p电极探头与外延片之间的扫描式接触，有利于充分的获取外延片的测试数据，从而也提高了测试的准确度。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1是本公开实施例提供的一种电致发光测试方法的流程图；
[0035]图2是本公开实施例提供的一种电致发光测试设备的结构示意图；
[0036]图3是本公开实施例提供的n电极组件的仰视图；
[0037]图4是本公开实施例提供的p电极组件的仰视图；
[0038]图5是本公开实施例提供的另一种电致发光测试方法的流程图；
[0039]图6是本公开实施例提供的切口布置图；
[0040]图7是本公开实施例提供的测试过程示意图。
[0041]图中示例如下：
[0042]10、n电极组件；
[0043]110、基座；120、n电极触点；
[0044]20、p电极组件；
[0045]210、步进电机；220、移动座；230、p电极探头；231、p电极触点；232、光纤；
[0046]100、外延片；
[0047]1100、切口。
具体实施方式
[0048]为使本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电致发光测试方法，其特征在于，包括：在外延片(100)的表面切割出多个切口(1100)，各所述切口(1100)沿所述外延片(100)的外边缘依次间隔排布，所述切口(1100)由所述外延片(100)的表面延伸至所述外延片(100)的n型层；提供多个n电极触点(120)，将各所述n电极触点(120)分别与各所述切口(1100)接触；提供p电极探头(230)，驱动所述p电极探头(230)依次与所述外延片(100)的表面上的测试点接触，从而获取所述外延片(100)的测试数据。2.根据权利要求1所述的电致发光测试方法，其特征在于，所述切口(1100)的长度为0.5～5mm。3.根据权利要求1所述的电致发光测试方法，其特征在于，当所述外延片(100)的尺寸为2～4inch时，所述切口(1100)与所述外延片(100)的外边缘之间的距离不大于3mm；当所述外延片(100)的尺寸为6～12inch时，所述切口(1100)与所述外延片(100)的外边缘之间的距离不大于4mm。4.根据权利要求1所述的电致发光测试方法，其特征在于，所述切口(1100)的延伸轨迹与所述外延片(100)的外边缘相匹配。5.根据权利要求1所述的电致发光测试方法，其特征在于，驱动所述p电极探头(230)依次与所述外延片(100)的表面上的测试点接触，包括：通过步进电机(210)驱动所述p电极探头(230)在x方向、y方向、z方向上移动，所述x方向、所述y方向和所述z方向相互垂直，且所述x方向和所述y方向均垂直于所述p电极探头(230)的朝向，所述z方向平行于与所述p电极探头(230)的朝向；所述p电极探头(230)在所述x方向和所述y方向上的移动步距为1～10mm，所述p电极探头(230)在所述z方向上的移动距离不大于4mm。6.根据权利要求1所述的电致发光测试方法，其特征在于，驱动所述p电极探头(230)依次与所述外延片(100)的表面上的测试点接触，包括：确定所述p电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈张笑雄，朱汶，王群，龚逸品，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：