半导体装置制造方法及图纸

实施方式提供一种能够检测在电路内流动的电流的半导体装置。一个实施方式的半导体装置具备：基板、第一导电体、第二导电体、第一晶体管、第二晶体管和第三导电体。第一导电体及第二导电体分别相互分离地设置于基板的上表面上。第一晶体管设置于第一导电体的上表面上，具有与第一导电体电连接的第一端。第二晶体管设置于第二导电体的上表面上，具有与第二导电体电连接的第一端。第三导电体包括在第一晶体管及第二晶体管的上方具有平板形状的第一部分，将第一晶体管的第二端与第二晶体管的第一端之间电连接。第一端之间电连接。第一端之间电连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001][关联申请][0002]本申请享受以日本专利申请2021－151461号(申请日：2021年9月16日)为基础申请的优先权。本申请通过参照此基础申请包括基础申请的全部内容。


[0003]实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

[0004]作为实现高输出的半导体装置，已知有功率模块。功率模块构成为集成了多个功率半导体的一个封装。

技术实现思路

[0005]实施方式提供一种能够检测在电路内流动的电流的半导体装置。
[0006]实施方式的半导体装置，具备：基板，第一导电体及第二导电体，分别相互分离地设置于上述基板的上表面上；第一晶体管，设置于上述第一导电体的上表面上，具有与上述第一导电体电连接的第一端；第二晶体管，设置于上述第二导电体的上表面上，具有与上述第二导电体电连接的第一端；以及第三导电体，包括有在上述第一晶体管及上述第二晶体管的上方具有平板形状的第一部分，将上述第一晶体管的第二端与上述第二晶体管的上述第一端之间电连接。
附图说明
[0007]图1是表示第一实施方式的半导体装置的外部构造的立体图。
[0008]图2是表示第一实施方式的半导体装置的电路结构的一例的电路图。
[0009]图3是表示第一实施方式的半导体装置的内部的平面布局的一例的俯视图。
[0010]图4是表示第一实施方式的半导体装置的内部的立体构造的一例的主视图。
[0011]图5是表示第一实施方式的半导体装置的内部的立体构造的一例的侧视图。
[0012]图6是表示第二实施方式的半导体装置的内部的平面布局的一例的俯视图。
[0013]图7是表示第三实施方式的半导体装置的内部的平面布局的一例的俯视图。
[0014]图8是表示第四实施方式的半导体装置的内部的平面布局的一例的俯视图。
[0015]图9是表示第四实施方式的半导体装置的内部的立体构造的一例的主视图。
[0016]图10是表示第四实施方式的半导体装置的内部的立体构造的一例的侧视图。
具体实施方式
[0017]以下，参照附图对实施方式进行说明。附图的尺寸及比例不一定与实际的相同。
[0018]另外，在以下的说明中，对具有大致相同的功能及结构的结构要素标注相同的附图标记。在特别区分具有相同结构的要素彼此的情况下，有时在同一附图标记的末尾附加
相互不同的字符或数字。
[0019]1.第一实施方式
[0020]对第一实施方式的半导体装置进行说明。
[0021]第一实施方式的半导体装置是功率模块。第一实施方式的半导体装置例如适用于铁道车辆用的电力变换装置，或可再生能源发电系统用的工业用设备等。
[0022]1.1结构
[0023]对第一实施方式的半导体装置的结构进行说明。
[0024]1.1.1外部构造
[0025]首先，对第一实施方式的半导体装置的外部构造进行说明。
[0026]图1是表示第一实施方式的半导体装置的外部构造的一例的立体图。半导体装置1具备基底基板10、壳体11以及盖12及13作为外部构造。基底基板10、壳体11以及盖12及13形成半导体装置1的容器。在半导体装置1的容器内收容有包括半导体元件的电路结构(未图示)。
[0027]基底基板10是半导体装置1的支承体。基底基板10具有平板形状。基底基板10对应于半导体装置1的容器的下部。基底基板10例如在四角具有螺纹孔。基底基板10能够经由螺纹孔相对于半导体装置1的外部设备(未图示)固定。基底基板10例如包括铜(Cu)或陶瓷。
[0028]在基底基板10的上表面上设有壳体11。壳体11是具有方筒形状的绝缘体。壳体11对应于半导体装置1的容器的侧部。壳体11相对于基底基板10固定。壳体11例如由聚苯硫醚(PPS：Poly－Pheny lene Sulfide)。
[0029]在壳体11的上表面上设有盖12及13。盖12及13是具有平板形状的绝缘体。盖12及13对应于半导体装置1的容器的上部。盖12及13相对于壳体11固定。盖12及13例如包括PPS。
[0030]通过组装以上那样的基底基板10、壳体11以及盖12及13，在容器的内部形成用于配置电路结构的空间。在以下的说明中，将与基底基板10和壳体11的接触面平行的平面设为XY平面。在XY平面内，将基底基板10的长边方向及短边方向分别设为X方向及Y方向。将壳体11相对于基底基板10的延伸方向设为Z方向或上方向。+X方向视图，+Y方向视图和－Z方向视图分别对应于主视图、侧视图和平面视图。
[0031]另外，半导体装置1还包括端子14、15、16及17。
[0032]端子14、15、16及17分别是将半导体装置1的外部设备与内部的电路结构之间电连接的汇流条(未图示)的端部。在图1的例子中，示出了2个端子14、2个端子15、3个端子16以及8个端子17。另外，端子14、15、16及17各自的数量不限于图1的例子，可以设计为任意的数量。
[0033]2个端子14是输入端子。2个端子14具有P(Positive，正)极性。2个端子14彼此电连接。2个端子14在壳体11和盖13之间沿Y方向并列配置。
[0034]2个端子15是输入端子。2个端子15具有N(Negative，负)极性。2个端子15彼此电连接。2个端子15在盖12和盖13之间沿Y方向并列配置。
[0035]3个端子16是输出端子。3个端子16也被称为AC(Alternating Current，交流电)端子。3个端子16彼此电连接。3个端子16在壳体11和盖12之间沿Y方向并列配置。
[0036]8个端子17是控制端子及监视端子。控制端子例如是用于控制是否驱动在半导体装置1的电路结构中包括的半导体元件的端子。监视端子例如是用于监视半导体装置1的电
路结构的电特性的端子。8个端子17在盖12的沿X方向相对的2边上分别各配置4个。
[0037]1.1.2电路结构
[0038]接着，对第一实施方式的半导体装置的电路结构进行说明。
[0039]图2是表示第一实施方式的半导体装置的电路结构的一例的电路图。在图2的例子中，示出了半导体装置1包括晶体管Tup及Tlow以及电感L作为在内部电路配置中包括的电气元件的情况。
[0040]晶体管Tup及Tlow是MOS(Metal－Oxide－Semiconductor)晶体管。晶体管Tup及Tlow是n型晶体管。晶体管Tup及Tlow串联连接。
[0041]电感L是半导体装置1的电路结构中的寄生电感。电感L将晶体管Tup与Tlow之间串联连接。
[0042]具体而言，晶体管Tup具有与节点P连接的漏极端、与电感L的第一端连接的源极端、与节点G1连接的栅极端。晶体管Tlow具有与电感L的第二端连接的漏极端、与节点N连接的源极端和与节点G2连接的栅极端。电感L的第一端及晶体管Tup的源极端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：基板；第一导电体及第二导电体，分别相互分离地设置于所述基板的上表面上；第一晶体管，设置于所述第一导电体的上表面上，具有与所述第一导电体电连接的第一端；第二晶体管，设置于所述第二导电体的上表面上，具有与所述第二导电体电连接的第一端；以及第三导电体，包括在所述第一晶体管及所述第二晶体管的上方具有平板形状的第一部分，将所述第一晶体管的第二端和所述第二晶体管的所述第一端之间电连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，第三导电体还包括：第二部分，将所述第一部分与第一端子之间电连接；以及第三部分，将所述第一部分与第二端子之间电连接。3.根据权利要求2所述的半导体装置，还具备相对于所述基板固定的容器，所述第一端子及所述第二端子设置于所述容器的外侧。4.根据权利要求1所述的半导体装置，还具备：第四导电体，不经由所述第三导电体而将所述第一晶体管的所述第二端与第一端子之间电连接；以及第五导电体，不经由所述第三导电体而将所述第二晶体管的所述第一端与第二端子之间电...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹田骏，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：