用于电子设备的基准制造技术

一种用于电子设备的衬底可以包括一层或多层。所述衬底可以包括限定在衬底中的空腔。所述空腔可以适于容纳半导体管芯。所述衬底可以包括定位成靠近空腔的基准标记。所述基准标记可以暴露在所述衬底的第一表面上。所述基准标记可以包括第一区域，其包括电介质填充材料。所述基准标记可以包括第二区域，其包括导电填充材料。在示例中，第二区域围绕第一区域。在另一示例中，电介质填充材料具有与导电填充材料相比更低的反射率，以提供第一区域和第二区域之间的对比度。区域之间的对比度。区域之间的对比度。

【技术实现步骤摘要】
用于电子设备的基准


[0001]本文一般性地但非以限制的方式涉及包括基准标记的电子设备。

技术介绍

[0002]利用基准标记作为参考点来确定第一对象和第二对象之间的位置关系，例如电子设备的第一部件和电子设备的第二部件之间的位置关系。
附图说明
[0003]在附图(其并不一定按比例绘制)中，相同的附图标记可以在不同的视图中描述类似的部件。具有不同字母后缀的相似附图标记可以表示类似部件的不同实例。附图通过示例而非限制的方式一般性地示出了本文中所讨论的各种实施例。
[0004]图1示出了根据本专利技术主题的示例的电子设备的一个示例的示意性截面图。
[0005]图2示出了根据本专利技术主题的示例的电子设备的一个示例的示意性平面图。
[0006]图3示出了根据本专利技术主题的示例的图2的电子设备的线3
‑
3处的详细示意图，包括基准标记的一个示例。
[0007]图4示出了根据本专利技术主题的示例的基准标记的另一示例的示意图。
[0008]图5示出了根据本专利技术主题的示例的基准标记的又一示例的示意图。
[0009]图6示出了根据本专利技术主题的示例的基准标记的再一示例的示意图。
[0010]图7示出了根据本专利技术主题的示例的基准标记的进一步示例的示意图。
[0011]图8示出了根据本专利技术主题的示例的电子设备的另一示例的示意图。
[0012]图9示出了系统级图，示出了包括如本公开中所描述的电子设备中的一个或多个的电子设备(例如，系统)的示例。
[0013]图10示出了用于制造包括本文描述的电子设备中的一个或多个的电子设备的方法的示例。
具体实施方式
[0014]本专利技术人已经认识到，除了其他问题以外，尤其要解决的问题可以包括确定第一对象(例如，衬底)相对于第二对象(例如，半导体管芯，比如互连桥接器)的位置。另外，本专利技术人已经认识到，除了其他问题以外，尤其要解决的问题可以包括增加相对于第一对象(例如，在衬底中限定的空腔)定位第二对象(例如，半导体管芯)的准确度和精度。此外，本专利技术人已经认识到，除了其他问题以外，尤其要解决的问题可以包括将基准标记与电子设备的其他结构(例如，过孔或电迹线)区分开。
[0015]本专利技术主题可以帮助提供对这些问题的解决方案，例如，利用用于电子设备的衬底。衬底可以包括一层或多层。例如，一层或多层可以包括电介质材料和一条或多条电迹线。在另一示例中，可以在衬底中限定空腔。空腔可以适于容纳半导体管芯。
[0016]电子设备包括一个或多个基准标记。基准标记有助于确定电子设备的部件之间的
位置关系。例如，基准标记有助于相对于电子设备的第二部件定位电子设备的第一部件。在示例中，半导体管芯可以定位成靠近衬底的空腔。例如，空腔可以容纳半导体管芯，例如从而将管芯嵌入衬底内。
[0017]衬底可以包括在衬底的第一表面上暴露的基准。半导体管芯可以包括管芯的第一表面上的基准标记。基准标记可以包括具有电介质填充材料的第一区域。基准标记可以包括具有导电材料的第二区域。在示例中，第二区域围绕第一区域。例如，第二区域环绕第一区域。在又一示例中，第一区域的电介质填充材料具有与第二区域的导电材料相比更低的反射率，以提供第一区域和第二区域之间的对比度。在另一示例中，基准标记的区域之间的对比度增强了基准标记的可检测性。例如，第一区域和第二区域之间的对比度有助于将基准标记与电子设备的其他结构区分开。
[0018]该概述旨在提供本专利申请的主题的概述。其不旨在提供本专利技术的排他性的或详尽的解释。详细描述继续并提供关于本专利申请的进一步信息。
[0019]图1示出了根据本专利技术主题的示例的电子设备100的一个示例的示意性截面图。电子设备100包括衬底110。衬底110可以包括一层或多层，并且一层或多层可以包括电介质材料120和电迹线(例如，图2的电迹线210)。电子设备100可以包括过孔130，并且过孔130可以促进衬底110的一层或多层之间的电连通。
[0020]在一些示例中，衬底110在衬底110中限定空腔140。例如，可以将光刻胶施加到衬底110，并且可以固化光刻胶。电介质材料120可以耦合到衬底110，并且可从衬底110去除固化的光刻胶(例如，通过溶解固化的光刻胶)。从衬底110去除光刻胶可以在衬底110中产生空腔140。在另一示例中，去除电介质材料120(例如，例如用激光烧蚀)，并且从衬底110去除电介质材料120产生空腔140。
[0021]如图1所示，空腔140可以部分地延伸穿过衬底110。在示例中，空腔140从衬底110的顶表面延伸，并且延伸到衬底110的厚度中。例如，空腔140延伸穿过衬底110的厚度，并且附加层(例如，包括电介质材料和电迹线)耦合到衬底110。在另一示例中，空腔140的底部由导电材料限定。空腔140可以具有矩形周界，但是本专利技术主题不限于此。空腔140的周界可以具有各种形状(例如，正方形、圆形、三角形、其他多边形形状或无定形形状)。
[0022]电子设备100可以包括半导体管芯150，包括但不限于无源管芯、互连桥接器、逻辑管芯、存储器管芯、TSV管芯等。在示例中，半导体管芯150耦合到衬底110的表面(例如，衬底110的顶表面)。半导体管芯150可以被封装在电介质材料(例如，电介质材料120等)中。
[0023]在另一示例中，空腔140可以适于(例如，大小和形状被确定为)容纳半导体管芯150。在示例中，半导体管芯150是第一半导体管芯150，并且第一半导体管芯150可以促进电子设备100的部件的电连通(例如，第二半导体管芯和第三半导体管芯之间的电连通)。半导体管芯150可以耦合到衬底110的限定空腔140的一部分的表面(例如，底表面或壁)。例如，半导体管芯150可以定位在衬底110的空腔140中，并且半导体管芯150可以耦合到限定空腔140的一部分的底表面(例如，铜层)。半导体管芯150可以包括半导体材料。
[0024]如本文所述，半导体管芯150可以是第一半导体管芯150，并且管芯150可以促进电子设备100的部件之间的电连通(例如，第二管芯和第三管芯之间的连通)。第一半导体管芯150可以包括管芯触点160。管芯触点160可以包括导电引脚、焊盘、插座等。管芯触点160可以促进半导体管芯150与电子设备的附加结构(例如，图2中所示的过孔130或电迹线210)的
电连通。
[0025]例如，(例如，第一电介质材料120和电迹线的)附加层可以耦合到衬底110，并且附加层可以将半导体管芯150封装(例如，包围、围绕等)在衬底110中。电迹线可以耦合到管芯触点160，并且电迹线可以来往于半导体管芯150传送电信号。另外，电迹线可以耦合到第二管芯和第三管芯(或附加管芯)，并且电信号可以通过第一半导体管芯150从第二管芯传输到第三管芯(或从第三管芯传输到第二管芯)。第一半导体管芯150可以电互连两个或更多个管芯(例如，第二管芯和第三管芯)。
[0026]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于电子设备的衬底，包括：一层或多层，包括电介质材料和一条或多条电迹线；空腔，限定在所述衬底中，其中，所述空腔适于容纳半导体管芯；以及基准标记，定位成靠近所述空腔，并且所述基准标记暴露在所述衬底的第一表面上，所述基准标记包括：第一区域，包括电介质填充材料；第二区域，包括导电填充材料，其中，所述第二区域围绕所述第一区域；并且其中，所述电介质填充材料具有与所述导电填充材料相比更低的反射率，以提供所述第一区域和所述第二区域之间的对比度。2.根据权利要求1所述的衬底，其中：所述第一区域具有有着第一覆盖区域的圆形轮廓；所述第二区域具有有着第二覆盖区域的圆形轮廓；以及所述第二区域围绕所述第一区域，使得所述第一覆盖区域在所述第二覆盖区域内。3.根据权利要求1所述的衬底，其中，所述衬底包括表面层，所述表面层包括电介质材料，并且所述第二区域与所述表面层相邻。4.根据权利要求1所述的衬底，其中，所述第一区域与所述第二区域同心地对准。5.根据权利要求1所述的衬底，还包括围绕所述第一区域和所述第二区域两者的第三区域，所述第三区域包括所述电介质填充材料。6.根据权利要求5所述的衬底，其中，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中的每一个具有圆形轮廓。7.根据权利要求6所述的衬底，其中：所述第一区域具有第一径向尺寸；所述第二区域具有第二径向尺寸；所述第三区域具有第三径向尺寸；并且所述第三径向尺寸不同于所述第二径向尺寸。8.根据权利要求5所述的衬底，还包括：第四区域，围绕所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中的每一个；并且其中，所述第四区域包括所述导电填充材料。9.根据权利要求1所述的衬底，其中，所述基准标记的所述第二区域的所述导电填充材料与所述衬底的所述一条或多条电迹线电隔离。10.根据权利要求1所述的衬底，还包括位于所述空腔中的所述半导体管芯。11.根据权利要求10所述的衬底，其中，所述半导体管芯包括位于所述半导体管芯的边缘附近的管芯基准标记。12.一种电子设备，包括：半导体管芯，包括：周界边缘；以及管芯基准标记，靠近所述管芯的所述周界边缘暴露在所述管芯的第一表面上，其中，所述管芯基准标记包括：具有圆形轮廓的第一管芯基准区域，所述第一管芯基准区域包括电介质填充材料；
具有圆形轮廓的第二管芯基准区域，所述第二管芯基准区域包括导电填充材料，其中，所述第二区域围绕所述第一区域；并且其中，所述电介质填充材料具有与所述导电填充材料相比更低的反射率，以提供所述第一区域和所述第二区域之间的对比度；以及衬底，包括一层或多层，所述衬底具有被配置为容纳所述半导体管芯的空腔。...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：