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本发明提供一种用于检测金属栅扩散的半导体结构及检测方法，在制备金属栅极的同时制备检测金属栅极，且使得检测金属栅极跨越多个有源区并与至少一个有源区接触，且使得对应设置的检测栅极金属接触与源区金属接触之间的距离大于对应设置的栅极金属接触与源区金...
该专利属于联合微电子中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过联合微电子中心有限责任公司授权不得商用。

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