鳍式场效应管、ESD保护电路、滤波电路以及电子设备制造技术

一种鳍式场效应管、ESD保护电路、滤波电路以及电子设备，该鳍式场效应管(FinFET)，包括：一个或多个并列排布的鳍、多个有效栅极(G1,G2,G3)、第一冗余多晶硅(P1)；该一个或多个鳍均沿第一方向延伸，该多个有效栅极(G1,G2,G3)、该第一冗余多晶硅(P1)均沿着第二方向延伸并覆盖于该一个或多个列排布的鳍(Fin)的表面上；该第一冗余多晶硅(P1)位于该多个有效栅极(G1,G2,G3)的一侧，该多个有效栅极(G1,G2,G3)中的每个有效栅极(G1,G2,G3)两侧的鳍分别为FinFET的源极端和漏极端；该多个有效栅极(G1,G2,G3)耦合到FinFET的栅极端；该第一冗余多晶硅(P1)耦合于FinFET的栅极端和电阻电位端之间。上述FinFET，充分利用冗余多晶硅，以冗余多晶硅作为电阻，减少电阻的占用面积，使芯片更加小型化。片更加小型化。片更加小型化。片更加小型化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱千明，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：