集成电路布局制造技术

本发明专利技术公开一种集成电路布局，包括沿着拼接线邻接的第一标准单元和第二标准单元。第一标准单元包括第一主动区，其邻近该拼接线的边缘与该拼接线间隔距离D1。第一栅极线跨过第一主动区并超过边缘一长度L1。第一虚设栅极线位于该第一主动区两侧，且端部与该拼接线间隔距离S。第二标准单元包括第二主动区，其邻近该拼接线的边缘与该拼接线间隔距离D2。第二栅极线跨过第二主动区并超过该边缘一长度L2。第二虚设栅极线位于该第二主动区两侧，且端部与该拼接线间隔距离S。长度L1、长度L2、距离S、距离D1和距离D2具有关系式L1≤D1

【技术实现步骤摘要】
集成电路布局


[0001]本专利技术涉及一种半导体集成电路布局，特别是涉及一种由具有相同单元高度(cell height)但不同主动区宽度(active region width)的不同标准单元所组成的集成电路布局。

技术介绍

[0002]随着效能提升及多种应用需求，集成电路(IC)的设计日趋复杂，动辄包含数十万甚至上百万个逻辑栅。为了设计上的方便，业界会将集成电路(IC)中常常使用到的特定功能先利用逻辑栅设计好，并且将它们制作成标准单元(Standard cell)，例如与非门(NAND)、或非门(NOR)、D型正反器(D
‑
Flip
‑
Flop)、锁存器(latch)、输入输出单元(I/O)、放大器(OP Amp)、模拟数字转换器(ADC)、数字模拟转换器(DAC)等，并经过制作工艺验证确定可量产制造后，将标准单元库(Standard cell library)授权给芯片设计者使用，利用例如电路模拟(logic Simulator)、逻辑电路合成(Logic Synthesizer)、自动布局与绕线(Automatic Placer&Router)等电脑辅助设计(computer
‑
aided design，CAD)工具将这些标准单元排列组合出需要的电路功能，由此可在短时间内就正确建构出复杂庞大的集成电路系统。
[0003]为了提供较大的设计弹性及获得理想的效能，标准单元库(Standard cell library)通常会包含不同功率的标准单元供给芯片设计者混合使用。依据目前设计规范所提供的这些不同功率的标准单元具有不同的单元高度(cell height)，混合组合后容易产生闲置布局区域，造成空间浪费，且产生的布局会具有较低的图案规律性，提高了制造的困难度。因此，目前采用的方式是将不同单元高度(cell height)的标准单元分别组成不同电路区块(routing block)，然后再用金属绕线完成电路区块之间的电连接。然而，这不仅限制了混合使用的设计弹性，也由于绕线长度增加而提高了功率损耗。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种设计改良的标准单元及由其产生的集成电路布局，可提供较高设计弹性及可制造性(manufacturability)。
[0005]本专利技术一实施例提供了一种集成电路布局，包括沿着一拼接线邻接的第一列和第二列标准单元，其中该拼接线沿着一第一方向延伸。一第一标准单元位于该第一列标准单元，包括一第一主动区，包括邻近该拼接线的一边缘、一第一栅极线，位于该第一主动区上，且沿着一第二方向延伸至超过该第一主动区的该边缘一长度L1，其中该第二方向垂直于该第一方向，以及两第一虚设栅极线，位于该第一主动区两侧，且平行于该第一栅极线。一第二标准单元位于该第二列标准单元，包括一第二主动区，包括邻近该拼接线的一边缘、一第二栅极线，位于该第二主动区上，且沿着该第二方向延伸至超过该第二主动区的该边缘一长度L2，以及两第二虚设栅极线，位于该第二主动区两侧，且平行于该第二栅极线。该两第一虚设栅极线以及该两第二虚设栅极线分别与该拼接线间隔一距离S，该第一主动区的该
边缘与该拼接线间隔一距离D1，该第二主动区的该边缘与该拼接线间隔一距离D2，其中该长度L1、该长度L2、该距离S、距离D1以及距离D2具有以下关系式：
[0006]L1≤D1
‑
S；
[0007]L2≤D2
‑
S；以及
[0008]D1≠D2。
[0009]本专利技术另一实施例提供了一种集成电路布局，包括一上侧单元边界，沿着一第一方向延伸。一上侧主动区，包括沿着该第一方向延伸且邻近该上侧单元边界的一第一边缘以及一第二边缘，其中该第一边缘与该上侧单元边界间隔一距离D3，该第二边缘与该上侧单元边界间隔一距离D4。一第一栅极线，沿着一第二方向延伸跨过该上侧主动区且延伸超过该第一边缘一长度L3，该第一方向与该第二方向互相垂直。一第二栅极线，沿着该第二方向延伸跨过该上侧主动区且延伸超过该第二边缘一长度L3。两虚设栅极线，位于该上侧主动区两侧，沿着该第二方向延伸且与该上侧单元边界间隔一距离S，其中该距离D3、该距离D4、该距离S、该长度L3以及该长度L4具有以下关系式：
[0010]L3≤D3
‑
S；
[0011]L4≤D4
‑
S；以及
[0012]D3≠D4。
附图说明
[0013]图1为根据本专利技术一实施例的集成电路布局的平面示意图。
[0014]图2为根据本专利技术一实施例的集成电路布局的部分放大平面示意图。
[0015]图3为根据本专利技术一实施例的集成电路布局的部分放大平面示意图。
[0016]图4为根据本专利技术一实施例的集成电路布局的部分放大平面示意图。
[0017]图5为根据本专利技术一实施例的集成电路布局的部分放大平面示意图。
[0018]图6为根据本专利技术一实施例的集成电路布局的部分放大平面示意图。
[0019]图7为根据本专利技术一实施例的集成电路布局的部分放大平面示意图。
[0020]图8为根据本专利技术一实施例的集成电路布局的部分放大平面示意图。
[0021]图9为根据本专利技术一实施例的集成电路布局的部分放大平面示意图。
[0022]图10为根据本专利技术一实施例的集成电路布局的部分放大平面示意图。
[0023]主要元件符号说明
[0024]10:集成电路布局
[0025]12:标准单元
[0026]102:主动(有源)区
[0027]1021:鳍状结构
[0028]104:栅极线
[0029]106:虚设栅极线
[0030]202:主动区
[0031]2021:鳍状结构
[0032]204:栅极线
[0033]206:虚设栅极线
[0034]306:虚设栅极线
[0035]3021:上侧主动区
[0036]3022:下侧主动区
[0037]3041:栅极线
[0038]3042:栅极线
[0039]3043:栅极线
[0040]102a:边缘
[0041]12X:单元边界
[0042]12X+1:上侧单元边界
[0043]12X+2:下侧单元边界
[0044]12Y:单元边界
[0045]202a:边缘
[0046]302a:第一边缘
[0047]302b:第二边缘
[0048]302c:第三边缘
[0049]302d:第四边缘
[0050]BN:拼接线
[0051]CW:切割窗
[0052]Cell
‑
A:标准单元
[0053]Cell
‑
A1:标准单元
[0054]Cell
‑
B:本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路布局，包括:沿着拼接线邻接的第一列标准单元和第二列标准单元，该拼接线沿着第一方向延伸；第一标准单元，位于该第一列标准单元，包括:第一主动区，包括邻近该拼接线的边缘；第一栅极线，位于该第一主动区上，且沿着第二方向延伸至超过该第一主动区的该边缘一长度L1，其中该第二方向垂直于该第一方向；以及两第一虚设栅极线，位于该第一主动区两侧，且平行于该第一栅极线；第二标准单元，位于该第二列标准单元，包括:第二主动区，包括邻近该拼接线的边缘；第二栅极线，位于该第二主动区上，且沿着该第二方向延伸至超过该第二主动区的该边缘一长度L2；以及两第二虚设栅极线，位于该第二主动区两侧，且平行于该第二栅极线，其中该两第一虚设栅极线以及该两第二虚设栅极线分别与该拼接线间隔一距离S，该第一主动区的该边缘与该拼接线间隔一距离D1，该第二主动区的该边缘与该拼接线间隔一距离D2，其中该长度L1、该长度L2、该距离S、距离D1以及距离D2满足以下关系式：L1≤D1
‑
S；L2≤D2
‑
S；以及D1≠D2。2.如权利要求1所述的集成电路布局，其中沿着该第二方向，该第一标准单元与该第二标准单元具有相同单元高度。3.如权利要求1所述的集成电路布局，其中该长度L2大于或等于该长度L1。4.如权利要求1所述的集成电路布局，其中沿着该第二方向，该两第一虚设栅极线以及该两第二虚设栅极线具有相同的栅极线长度。5.如权利要求1所述的集成电路布局，其中沿着该第二方向，该第一栅极线与该两第一虚设栅极线具有相同的栅极线长度。6.如权利要求1所述的集成电路布局，其中沿着该第二方向，该第二栅极线的一栅极线长度小于该两第二虚设栅极线的一栅极线长度。7.如权利要求1所述的集成电路布局，其中该第一栅极线与该拼接线间隔一距离S1，该第二栅极线与该拼接线间隔一距离S2，其中该距离S1与该距离S2分别大于或等于该距离S。8.如权利要求1所述的集成电路布局，其中该第一标准单元包括多个该第一栅极线沿着该第一方向排列在该第一主动区上，该第二标准单元包括多个该第二栅极线沿着该第一方向排列在该第二主动区上，且至少部分该多个该第一栅极线与至少部分该多个该第二栅极线沿着该第二方向对齐。9.如权利要求8所述的集成电路布局，其中该多个该第一栅极线的末端沿着该第一方向互相对齐。10.如权利要求1所述的集成电路布局，其中沿着该第二方向，该两第一虚设栅极线对齐于该两第二虚设栅极线。11.一种集成电路布...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈瑞瑶，王伟任，吴昆源，陈建孚，许振贤，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：