一种适形化兼具光学电性调整保护之拉伸封装结构设计制造技术

本发明专利技术提供一种微发光二极管显示器，藉由于习知的微发光二极管显示器中，进一步增加导电材料层，或于封装层中添加至少一功能性材料，藉以达到抗静电的功效。本发明专利技术提供的微发光二极管显示器解决一般微发光二极管显示器容易受到静电击穿造成组件损伤的问题。容易受到静电击穿造成组件损伤的问题。容易受到静电击穿造成组件损伤的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种适形化兼具光学电性调整保护之拉伸封装结构设计


[0001]本专利技术关于显示器领域，特别关于一种微发光二极管显示器。

技术介绍

[0002]一般微发光二极管显示器的制造流程中，微发光二极管显示器会面临静电损害的问题。由于微发光二极管显示器于制备过程中，以及后续进行出/入料运送、机械手臂移动、雷射切割、滚轮传输、保护膜剥离及贴合等程序会造成电荷累积，当电荷累积达到临界值时，便会造成介电崩溃而产生静电放电，对微发光二极管显示器造成损害而导致功能异常。举例，于一般微发光二极管显示器的制备过程中，由于支撑层一般为塑料类的膜材，因此支撑层容易累积电荷，而柔性薄膜晶体管阵列模块受到支撑层的累积静止电荷的影响，导致柔性薄膜晶体管阵列模块中的薄膜晶体管的闸极需要更大的正电压，才能将薄膜晶体管关闭，因此于Id
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Vg特性曲线中会观察到临界电压(Vth)严重偏移，影响薄膜晶体管的开关功能。若支撑层电荷累积达到临界值产生静电放电，甚至会导致薄膜晶体管受损，导致薄膜晶体管的开关功能失效。另外，微发光二极管显示器的封装层的表面也容易出现电荷累积，也是造成静电放电损害微发光二极管显示器的主要原因之一。当封装层的表面产生电荷累积，便会使灰尘被吸附在封装层的表面，当电荷累积达到临界值时，便会造成介电崩溃而产生静电放电，对微发光二极管显示器造成损害而导致功能异常。
[0003]因此如何防止微发光二极管显示器的电荷累积，避免电荷累积造成微发光二极管显示器的损害而导致功能异常，是目前有待解决的问题。

技术实现思路
r/>[0004]本专利技术的一目的在于解决微发光二极管显示器的电荷累积，导致微发光二极管显示器的损害而导致功能异常的问题。
[0005]基于本专利技术的目的，本专利技术提供一种微发光二极管显示器，包括支撑层、光学胶层、柔性基板、柔性薄膜晶体管阵列模块及封装层；其中光学胶层设置于支撑层的上表面，柔性基板设置于光学胶层的上表面，柔性薄膜晶体管阵列模块设置于柔性基板的上表面，封装层覆盖柔性薄膜晶体管阵列模块的上表面，其特征在于，进一步包括至少一个导电材料层设置于远离柔性薄膜晶体管阵列模块的一侧。
[0006]于本专利技术的一实施例中，当导电材料层为1个，且导电材料层设置于光学胶层和柔性基板之间时，导电材料层的薄层电阻(sheet resistance)为10～106Ω/
□
。
[0007]于本专利技术的一实施例中，当导电材料层为1个，且导电材料层设置于支撑层和光学胶层之间时，导电材料层的薄层电阻为10～106Ω/
□
。
[0008]于本专利技术的一实施例中，当导电材料层为1个，且导电材料层设置于支撑层的部分上表面时，导电材料层的薄层电阻为106～10
12
Ω/
□
。
[0009]于本专利技术的一实施例中，当导电材料层为2个，包括第一导电材料层及第二导电材料层，其中第一导电材料层设置于支撑层的下表面，其中第二导电材料层设置于支撑层和
光学胶层之间时，第一导电材料层及第二导电材料层的薄层电阻皆为106～10
12
Ω/
□
。
[0010]于本专利技术的一实施例中，所述的导电材料层的材料为铟锡氧化物、掺铝氧化锌(Aluminum
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doped zinc oxide,AZO)、掺氟氧化锡(Fluorine
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doped tin oxide,FTO)、纳米银线、纳米碳管、导电聚合物或其组合，其中导电聚合物可为聚3，4
‑
乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(poly(3,4
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ethylenedioxythiophene)polystyrene sulfonate,PEDOT:PSS)。
[0011]本专利技术提供一种微发光二极管显示器，包括支撑层、光学胶层、柔性基板、柔性薄膜晶体管阵列模块及封装层；其中光学胶层设置于支撑层的上表面，柔性基板设置于光学胶层的上表面，柔性薄膜晶体管阵列模块设置于柔性基板的上表面，封装层覆盖柔性薄膜晶体管阵列模块的上表面，其特征在于，封装层包括封装材料及至少一功能性材料，其中功能性材料为导电材料、抗静电材料、高介电材料或其组合材料。
[0012]于本专利技术的一实施例中，所述的高介电材料指相对介电常数介于1～1,000之间的介电材料，较佳为相对介电常数介于10～100之间的介电材料。
[0013]于本专利技术的一实施例中，当功能性材料为导电材料、高介电材料或其组合材料时，功能性材料为颗粒状，且功能性材料的粒径介于1～1,000纳米之间。
[0014]于本专利技术的一实施例中，当功能性材料为抗静电材料时，抗静电材料为固态或液态。
[0015]于本专利技术的一实施例中，功能性材料的折射率大于2。
[0016]于本专利技术的一实施例中，金属线路的材料可为耐拉伸金属，其中耐拉伸金属为金、银、铜、钼或铝。
[0017]于本专利技术的一实施例中，金属线路为预拉伸(pre
‑
strained)的态样，藉以抵销拉伸所带来的长度变化。
[0018]于本专利技术的一实施例中，柔性基板的材料为聚酰亚胺(Polyimide,PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate,PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate,PET)或其组合等常见的柔性基板材料。
[0019]于本专利技术的一实施例中，发光组件可为发光二极管、次毫米发光二极管(Mini LED)、微发光二极管(Micro LED)或有机发光二极管(OLED)。
[0020]于本专利技术的一实施例中，所述的功能性材料为金属材料、石墨烯、纳米碳管、碳黑、导电聚合物、金属氧化物或其混合物。
[0021]于本专利技术的一实施例中，所述的金属材料为金、银、铜或钼等金属。
[0022]于本专利技术的一实施例中，所述的导电聚合物可为聚3，4
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乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐。
[0023]于本专利技术的一实施例中，所述的金属氧化物为氧化锆(ZrO2)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)或氧化钛(TiOx)。
[0024]于本专利技术的一实施例中，所述的抗静电材料为阳离子型抗静电剂、阴离子型抗静电剂或两性型抗静电剂。
[0025]于本专利技术的一实施例中，所述的高介电材料为氧化锌、二氧化硅、二氧化钛、氧化锆、硫酸钡、钛酸钡、碳酸钙或其混合物。
[0026]于本专利技术的一实施例中，封装层为单层结构，封装层的材料包括封装材料及功能性材料，且封装层的表面电阻为104～10
11
Ω。
[0027]于本专利技术的一实施例中，封装层为双层结构，分为第一封装层及第二封装层，第二封装层设置于第一封装层的上表面，第一封装层的材料为封装材料，第二封装层的材料包括封装材料及功能性材料，封装层的表面电阻为104～10
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管显示器，包括支撑层、光学胶层、柔性基板、柔性薄膜晶体管阵列模块及封装层；其中所述光学胶层设置于所述支撑层的上表面，所述柔性基板设置于所述光学胶层的上表面，所述柔性薄膜晶体管阵列模块设置于所述柔性基板的上表面，所述封装层覆盖所述柔性薄膜晶体管阵列模块的上表面，其特征在于，包括至少一个导电材料层设置于远离所述柔性薄膜晶体管阵列模块的一侧。2.如权利要求1所述的微发光二极管显示器，其特征在于，当所述导电材料层为1个，且所述导电材料层设置于所述光学胶层和所述柔性基板之间时，所述导电材料层的薄层电阻为10～106Ω/
□
。3.如权利要求1所述的微发光二极管显示器，其特征在于，当所述导电材料层为1个，且所述导电材料层设置于所述支撑层和所述光学胶层之间时，所述导电材料层的薄层电阻为10～106Ω/
□
。4.如权利要求1所述的微发光二极管显示器，其特征在于，当所述导电材料层为1个，且所述导电材料层设置于所述支撑层的部分上表面时，所述导电材料层的薄层电阻为106～10
12
Ω/
□
。5.如权利要求1所述的微发光二极管显示器，其特征在于，当所述导电材料层为2个时，包括第一导电材料层及第二导电材料层，其中所述第一导电材料层设置于所述支撑层的下表面，其中所述第二导电材料层设置于所述支撑层和所述光学胶层之间，所述第一导电材料层及所述第二导电材料层的薄层电阻皆为106～10
12
Ω/
□
。6.如权利要求1所述的微发光二极管显示器，其特征在于，所述导电材料层的材料为铟锡氧化物、掺铝氧化锌、掺氟氧化锡、纳米银线、纳米碳管、导电聚合物或其组合，其中所述导电聚合物为聚3，4
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乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐。7.一种微发光二极管显示器，包括支撑层、光学胶层、柔性基板、柔性薄膜晶体管阵列模块及封装层；其中所述光学胶层设置于所述支撑层的上表面，所述柔性基板设置于所述光学胶层的上表面，所述柔性薄膜晶体管阵列模块设置于所述柔性基板的上表面，所述封装层覆盖所述柔性薄膜晶体管阵列模块的上表面，其特征在于，所述封装层包括封装材料及至少一功能性材料，其中所述功能性材料为导电材料、抗静电材料、高介电材料或其组合材料。8.如权利要求7所述的微发光二极管显示器，其特征在于，当所述功能性材料为所述导电材料、所述高介电材料或其组合材料时，所述功能性材料为颗粒状，且所述功能性材料的粒径介于1～...

【专利技术属性】
技术研发人员：范佳铭，赖玟佑，周贤颖，陈伯纶，陈俊达，林柏青，
申请(专利权)人：英特盛科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：