晶体管器件、用于产生晶体管器件的方法技术

本公开涉及晶体管器件、用于产生晶体管器件的方法。根据实施例，晶体管器件包括半导体本体，该半导体本体包括第一表面、与第一表面相对的第二表面和侧面、有源区域以及横向地围绕有源区域的边缘终止区、在第二表面处的第一导电类型的漏极区、在漏极区上的第一导电类型的漂移区以及在漂移区上的与第一导电类型相对的第二导电类型的本体区。在有源区域中，第一导电类型的源极区布置在本体区上。本体区具有在有源区域中比在边缘终止区中更高的掺杂浓度。浓度。浓度。

【技术实现步骤摘要】
晶体管器件、用于产生晶体管器件的方法


[0001]本公开涉及半导体的领域，并且特别地涉及晶体管器件和用于产生晶体管器件的方法。

技术介绍

[0002]用于功率电子应用的晶体管器件通常用硅（Si）半导体材料制造。用于功率应用的普通晶体管器件包括Si CoolMOS
®
、Si功率MOSFET和Si绝缘栅双极晶体管（IGBT）。
[0003]晶体管器件通常包括有源单元场，该有源单元场包括多个晶体管单元，每个晶体管单元具有晶体管结构。通常，晶体管器件的有源单元场被边缘终止结构横向地围绕，该边缘终止结构用于避免半导体器件由于边缘效应而击穿并且用于改进器件的性能。
[0004]用于功率应用的晶体管器件可以是基于电荷补偿原理，特别地具有用于电荷补偿的超结结构。超结器件（通常也被称为补偿器件）包括漂移区，该漂移区具有第一掺杂类型（导电类型）的多个区和与第一掺杂类型互补或相对的第二掺杂类型（导电类型）的多个区。通常，相对掺杂的第一和第二区每个都具有垂直于器件的主表面延伸的垂直柱的形式。当阻断电压施加到超结器件时，横向电场上升并清本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管器件，包括半导体本体，包括：第一表面、与第一表面相对的第二表面和侧面；有源区域和横向地围绕所述有源区域的边缘终止区；在所述第二表面处的第一导电类型的漏极区，在所述漏极区上的所述第一导电类型的漂移区，在所述漂移区上的与所述第一导电类型相对的第二导电类型的本体区，其中，在所述有源区域中，所述第一导电类型的源极区布置在所述本体区上，其中，所述本体区具有在所述有源区域中比在所述边缘终止区中更高的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中，所述本体区延伸到所述半导体本体的所述侧面。3.根据权利要求1或权利要求2所述的晶体管器件，其中，形成在所述漂移区和所述本体区之间的pn结在所述有源区域中比在所述边缘终止区中位于离所述第一表面的更大深度处的所述半导体本体中。4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶体管器件，其中，在所述有源区域中提供多个栅电极，其中，每个栅电极位于延伸到所述半导体本体中的栅极沟槽中。5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体管器件，还包括超结结构，所述超结结构包括第二导电类型的多个柱，所述第二导电类型的多个柱基本上垂直于所述第一表面延伸且位于所述边缘终止区中和所述有源区域中的所述漂移区中。6.根据权利要求5所述的晶体管器件，其中，所述边缘终止区包括过渡区、内边缘终止区和外边缘终止区，其中，所述第二导电类型的柱布置在所述过渡区中和所述内边缘终止区中，并且所述外边缘终止区没有所述第二导电类型的柱。7.根据权利要求6所述的晶体管器件，其中，在所述有源区中，所述第二导电类型的柱电连接到源极电位，在所述过渡区中，所述第二导电类型的柱中的一个或多个电连接到源极电位，并且在所述内终止区中，所述第二导电类型的柱中的一个或多个是电浮置的。8.根据权利要求6或权利要求7所述的晶体管器件，其中，在所述有源区和所述过渡区中，提供穿过所述本体区的用于所述第二导电类型的每个柱的第一接触部，其中，所述第一接触部包括导电材料，并且在所述内终止区中，提供穿过所述本体区的用于所述第二导电类型的每个柱的第二接触部，其中，所述第二接触部包括绝缘材料。9.根据权利要求5至8中任一项所述的晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：L，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：