用于激光束晶片划切设备的晶片卡盘制造技术

本公开涉及用于激光束晶片划切设备的晶片卡盘。用于激光束晶片划切设备的卡盘包括晶片支撑板，该晶片支撑板具有用于保持设置在划切带上的晶片的上表面。上表面包括形貌结构化表面区，当设置在划切带上的晶片放置在上表面上时，该形貌结构化表面区部分地或完全地与晶片边缘重叠。形貌结构化表面区提供上表面和划切带之间的接触面积的减小。切带之间的接触面积的减小。切带之间的接触面积的减小。

【技术实现步骤摘要】
用于激光束晶片划切设备的晶片卡盘


[0001]本公开涉及晶片处理的领域，并且特别地涉及晶片卡盘以及用于激光束晶片划切的方法。

技术介绍

[0002]晶片处理中的一个特定过程包括将晶片安装在划切带上并通过使用激光束晶片划切设备将晶片分离成管芯。更特别地，安装在划切带上的晶片被放置在晶片卡盘的晶片支撑板的上表面上，并且激光束当在晶片上经过时用来将晶片切割成管芯。
[0003]问题在于，在切割过程（管芯分离）期间保持晶片的划切带可能在晶片边缘外部的区域（即，激光束直接射到带的地方）中粘附到晶片卡盘的晶片支撑板。这可能因带残留物粘附到卡盘的晶片支撑板而导致卡盘污染，并且导致进一步的困难（即，管芯碰撞），即，当带与其上的切割晶片一起被剥离时，已经切割的管芯彼此碰撞，或者带被如此强地粘附到卡盘使得其根本不能被剥离。卡盘污染的过程是自加剧的，并且此外，在过度切割区域中，卡盘的上表面可能直接被激光束损坏。
[0004]传统上，使用卡盘的化学清洗和高温清洗来从卡盘的支撑板去除带残留物。这通常大约一天一次地执行，并且非常昂贵。
[0005]避免这些困难的另一种方式是使用特别适合于激光划切的划切带。这是要求极高的，因为后续过程必须与新的划切带精确匹配。因此，如果使用不同的划切带，则许多后续过程将必须改变。
[0006]第三种可能性是在到达晶片边缘之前停止激光束并在后端（BE）中执行晶片在晶片边缘的区域中的折断，在所述后端中划切带展开。然而，从实际的观点来看这也是不可行的，因为在BE中折断晶片边缘产生在过程的那个阶段（例如，在BE拾取和放置过程期间）不可接受的颗粒污染。

技术实现思路

[0007]根据本公开的一方面，用于激光束晶片划切设备的卡盘包括晶片支撑板，所述晶片支撑板具有用于保持设置在划切带上的晶片的上表面。上表面包括形貌结构化表面区，当将设置在划切带上的晶片放置在上表面上时，该形貌结构化表面区部分地或完全地与晶片边缘重叠。形貌结构化表面区提供上表面和划切带之间的接触面积的减小。
[0008]根据本公开的另一方面，激光束晶片划切设备包括如上所述的卡盘。该激光束晶片划切设备还包括用于产生激光束的激光单元，该激光束被配置成当在晶片上经过时将晶片切割成管芯。
[0009]根据本公开的另一方面，划切晶片的方法包括将晶片放置在卡盘的晶片支撑板的上表面上。划切带设置在上表面和晶片之间。上表面包括与晶片边缘重叠的形貌结构化表面区，其中，所述形貌结构化表面区提供上表面与划切带之间的接触面积的减小。通过使激光束在晶片上经过而将晶片切割成管芯。将划切带连同管芯从上表面剥离。
附图说明
[0010]附图中的元件不一定相对于彼此成比例。相同的附图标记表示对应的类似部件。各种示出的实施例的特征可以组合，除非它们彼此排斥，和/或如果未描述为一定需要的话，可以选择性地省略。实施例在附图中描绘，并且在以下的描述中示例性地详述。
[0011]图1是激光束晶片划切设备的示例的示意性截面图。
[0012]图2A是用于激光束晶片划切设备的示例性卡盘的晶片支撑板的上表面的示意性俯视图。
[0013]图2B是图2A中所示的上表面的形貌结构化表面区的示例性部分的示意性透视图。
[0014]图2C是图2B中所示的形貌结构化表面区的示例性部分的示意性俯视图。
[0015]图3是示例性卡盘的晶片支撑板的示例的示意性截面图，其示出了支撑板的表面的表面粗糙度和表面平坦度。
[0016]图4是示出划切晶片的示例性方法的流程图。
具体实施方式
[0017]如本说明书中所使用的，被示出为相邻层或元件的层或元件不一定直接接触在一起；可以在这些层或元件之间提供中间元件或层。然而，根据本公开，被示出为相邻层或元件的元件或层可以特别地直接接触在一起，即，在这些层或元件之间分别不提供中间元件或层。
[0018]关于形成或定位或设置或布置或放置在表面“上方”或“下方”的部件、元件或材料层的词语“在
……
上方”或“在
……
下方”在本文中可以用来表示部件、元件或材料层“直接在所暗示的表面上”或“直接在所暗示的表面下”定位（例如，放置、形成、布置、设置、放置等），例如与所暗示的表面直接接触。然而，关于形成或定位或设置或布置或放置在表面“上方”或“下方”的部件、元件或材料层所使用的词语“在
……
上方”或“在
……
下方”任一个在本文中可以用来表示部件、元件或材料层“间接地在所暗示的表面上”或“间接地在所暗示的表面下”定位（例如，放置、形成、布置、沉积等），其中，一个或多个附加部件、元件或层布置在所暗示的表面与所述部件、元件或材料层之间。
[0019]参考图1，激光束晶片划切设备100（在下文中称为晶片划切设备100）可以包括卡盘120和用于产生激光束182的激光单元180。
[0020]如本领域中已知的，卡盘是被配置成在晶片处理的各个阶段期间支撑晶片的装置。通常，卡盘根据在晶片正被卡盘保持时对晶片执行的晶片处理来设计。在下文中，考虑被设计成在激光束晶片划切期间支撑晶片的卡盘120。这种卡盘120在本领域中也被称为“划切卡盘”。
[0021]图1示出这种晶片划切设备100的一部分，即卡盘120和激光单元180。晶片划切设备100还可以包括用于承载卡盘120的机构（未示出）和激光单元180被安装到的机构（未示出）。这些机构允许使激光单元180相对于卡盘120在横向方向（X和/或Y方向）上和在Z方向上（即，在垂直于由X方向和Y方向限定的平面的方向上，其中Y方向垂直于纸平面）移动。
[0022]卡盘120包括具有上表面122A和与上表面122A相对的下表面122B的晶片支撑板122。通常，卡盘120包括布置在晶片支撑板122下方的附加板（例如，卡盘基底板和/或卡盘真空板）。为卡盘120提供机械稳定性和/或真空功能的这种板在图1中未示出。换句话说，图
1仅示出卡盘120的顶板，即晶片支撑板122。
[0023]晶片支撑板122可以例如包括如下材料或由如下材料制成：玻璃（例如石英玻璃）或其它材料（一种或多种）（诸如例如金属材料（例如不锈钢）或聚碳酸酯）。
[0024]在晶片划切设备100的操作期间，晶片140被放置在晶片支撑板122的上表面122A上并由晶片支撑板122的上表面122A保持。晶片140被安装在划切带160上。也就是说，划切带160具有可以直接接触晶片支撑板122的上表面122A的下表面，并且具有可以直接接触并粘附到晶片140的下表面的上表面。也就是说，划切带160设置在晶片支撑板122的上表面122A与晶片140之间。
[0025]划切带160可以被粘贴到划切框架170。划切框架170用作其上安装有晶片140的划切带160的传送和安装工具。在划切晶片140的过程期间，划切框架170可以通过可释放的连接装置（例如，夹具或螺钉连接（未示出））而固定到卡盘120。也就本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于激光束晶片划切设备的卡盘，所述卡盘包括：晶片支撑板，具有用于保持设置在划切带上的晶片的上表面，其中，所述上表面包括形貌结构化表面区，当设置在所述划切带上的所述晶片放置在所述上表面上时，所述形貌结构化表面区部分地或完全地与所述晶片边缘重叠，所述形貌结构化表面区提供所述上表面与所述划切带之间的接触面积的减小，其中，所述形貌结构化表面区包括结构图案，所述结构图案包括岛状柱的阵列。2.根据权利要求1所述的卡盘，其中，所述接触面积的减小等于或大于所述形貌结构化表面区的标称面积的30%或50%或70%。3.根据权利要求1或2所述的卡盘，其中，所述接触面积的减小等于或小于所述形貌结构化表面区的标称面积的30%或50%或70%。4.根据前述权利要求中任一项所述的卡盘，其中，所述形貌结构化表面区成形为环。5.根据前述权利要求中任一项所述的卡盘，其中，所述晶片支撑板包括真空系统，所述真空系统被配置成通过抽吸将所述划切带保持到所述上表面，其中，所述形貌结构化表面区与所述真空系统连通。6.根据前述权利要求中任一项所述的卡盘，其中，所述结构图案具有等于或大于0.01mm的结构高度。7.根据前述权利要求中任一项所述的卡盘，其中，所述结构图案在一个或任何横向方向上具有等于或大于0.1mm的结构长度。8.根据前述权利要求中任一项所述的卡盘，其中，所述结构图案在一个或任何横向方向上具有等于或大于0.15mm的结构间距。9.根据前述权利要求中任一项所述的卡盘，其中，所述结构图案与网格图案互补。10.根据前述权利要求中任一项所述的卡盘，其中，所述上表面包括在所述形貌结构化表面区径向内部的表面区，所述表面区具有等于或小于2....

【专利技术属性】
技术研发人员：FJ，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：