通过子鳍状物半导体材料的背面处理减小源极/漏极泄漏的晶体管制造技术

集成电路包括具有在鳍状物的基部部分上方的沟道部分的晶体管结构。鳍状物的基部部分是绝缘非晶氧化物或反掺杂的晶体材料。可以首先利用通过晶体衬底的正面引晶的外延工艺来形成诸如鳍状物的沟道部分以及源极和漏极材料的晶体管结构。在正面处理之后，可以暴露晶体管结构的背面，并且使用避免使沟道材料劣化同时减少晶体管截止状态泄漏的背面处理和低温将鳍状物的基部部分从晶体衬底组成修改为非晶氧化物或反掺杂晶体材料。非晶氧化物或反掺杂晶体材料。非晶氧化物或反掺杂晶体材料。

【技术实现步骤摘要】
通过子鳍状物半导体材料的背面处理减小源极/漏极泄漏的晶体管

技术介绍

[0001]在电子器件应用中对更高性能的集成电路(IC)的需求已经推动了日益复杂的晶体管架构。一些晶体管结构包括多层晶体半导体沟道材料。有利地，可以在晶体半导体衬底的籽晶表面上外延生长晶体半导体沟道材料的堆叠体。
[0002]晶体管结构的沟道区通常耦合到外延源极和漏极半导体材料，该材料也从通过蚀刻穿过半导体鳍状物材料而暴露的籽晶表面再生长，该半导体鳍状物材料然后被重掺杂的源极和漏极半导体材料代替。为了更高的电荷载流子迁移率，一些晶体管结构可以被设计为例如通过外延生长具有与晶体半导体衬底的籽晶表面的晶格常数不同的晶格常数的源极和漏极半导体材料而在沟道材料中引起应变。
[0003]尽管作为籽晶表面是有利的，但是保持在晶体管结构(通常被称为“子鳍状物”)下方的晶体半导体材料(参考其在进一步包括上覆沟道部分的鳍状物的基部处的位置)在晶体管操作期间可能是有害的。例如，子鳍状物内可以存在移动电荷载流子，并且这样的载流子可以在由跨晶体管结构设置的源极
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漏极偏置电压(V
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路(IC)结构，包括：在晶体管结构的正面上的一级或多级金属化，其中，所述晶体管结构还包括：鳍状物的沟道部分；在沟道部分的相反端部处的源极材料和漏极材料，其中，所述源极材料和所述漏极材料是晶体；以及与所述沟道部分相邻的栅极堆叠体；以及在所述晶体管结构的背面上的所述鳍状物的基部部分，其中：所述栅极堆叠体在所述鳍状物的所述基部部分的中心长度与所述沟道部分之间并且与所述鳍状物的所述基部部分的中心长度和所述沟道部分直接接触；所述基部部分的第一端部长度与所述源极材料直接接触；所述基部部分的第二端部长度与所述漏极材料直接接触；以及所述基部部分是包括氧、以及Si或Ge的非晶材料；以及与所述基部部分的侧壁相邻的隔离电介质。2.根据权利要求1所述的IC结构，还包括与所述基部部分的背面接触的金属杂质，所述金属杂质与所述基部部分内的Si或Ge的催化氧化相关联。3.根据权利要求2所述的IC结构，其中，所述金属是Al。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的IC结构，其中：所述源极材料和所述漏极材料包括Si和Ge；所述基部部分包括Si并且基本上没有Ge；以及所述沟道部分处于与单晶Si的晶格常数和与所述源极材料和所述漏极材料相关联的晶格常数之间的晶格失配相关联的压缩应变下。5.根据权利要求4所述的IC结构，其中，在所述基部部分的所述第一端部长度内，受主杂质的浓度随着接近与所述源极材料的界面而增大。6.根据权利要求5所述的IC结构，其中，所述第一端部长度的厚度大于所述中心长度的厚度，并且与所述源极材料的界面横向地与所述栅极堆叠体的侧壁相邻。7.根据权利要求1
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3中任一项所述的IC结构，其中，所述隔离电介质具有与所述鳍状物的所述基部部分的组成不同的组成。8.一种集成电路(IC)结构，包括：在晶体管结构的正面上的一级或多级金属化，其中，所述晶体管结构还包括：鳍状物的沟道部分；在沟道部分的相反端部处的源极材料和漏极材料，其中，所述源极材料和所述漏极材料是晶体，并且包括Si、Ge和受主杂质；以及与所述沟道部分相邻的栅极堆叠体；以及在所述晶体管结构的背面上的所述鳍状物的基部部分，其中：所述栅极堆叠体在所述鳍状物的所述基部部分的中心长度与所述沟道部分之间并且与所述鳍状物的所述基部部分的中心长度和所述沟道部分直接接触；所述基部部分的第一端部长度与所述源极材料直接接触；所述基部部分的第二端部长度与所述漏极材料直接接触；并且所述基部部分是晶体，并且包括Si或Ge、以及施主杂质；并且
在所述基部部分的所述中心长度内的所述施主杂质的浓度随着接近所述栅极堆叠体而下降；以及与所述基部部...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：