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集成电路包括具有在鳍状物的基部部分上方的沟道部分的晶体管结构。鳍状物的基部部分是绝缘非晶氧化物或反掺杂的晶体材料。可以首先利用通过晶体衬底的正面引晶的外延工艺来形成诸如鳍状物的沟道部分以及源极和漏极材料的晶体管结构。在正面处理之后，可以暴露...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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