一种LED封装材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种LED封装材料及其制备方法，本发明专利技术先对金刚石进行预处理，在交联剂环氧氯丙烷的作用下，将聚乙烯亚胺接枝在金刚石的表面，再通过氨基的螯合作用将铜离子负载在金刚石上，然后在氢气气氛中煅烧，得到负载铜的改性金刚石；本发明专利技术先对金刚石进行表面修饰改性，提高了金刚石在聚乙烯醇水溶液中的分散性能，然后通过络合作用、煅烧的方式，将铜负载在金刚石的表面，避免了直接加入铜粉易出现团聚的问题，进而增强了薄膜的力学性能和导热性能，同时铜与金刚石的协同作用，有利于热量在薄膜结构中进行传递，此外，聚乙烯亚胺中的氨基与聚乙烯醇中的羟基形成氢键，通过氢键作用，进一步提高了复合膜的力学性能。进一步提高了复合膜的力学性能。

【技术实现步骤摘要】
一种LED封装材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及封装材料制备
，具体涉及一种LED封装材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]LED是由芯片、金属线、支架、导电胶、封装材料等组成，其中的封装材料主要起到密封和保护芯片正常工作，避免其受到周围环境中湿度与温度的影响，聚合物基复合薄膜因其出色的电绝缘性，可加工性和低成本而被广泛用于封装材料领域，但是，它们本身极低的热导率使其应用受到很大限制。
[0003]为了提高聚合物基复合薄膜的热导率，目前的研究主要是向聚合物薄膜中添加导热颗粒，包括金属纳米颗粒，金属氧化物，金属氮化物，石墨烯和碳纳米管等提高其热导率，但纳米颗粒易团聚，导致复合薄膜的导热性能提升效果有限，中国专利文献CN201910370781.6公开了一种羟基化六方氮化硼/聚乙烯醇/木质素纳米颗粒导热复合膜材料及其制备方法，所制备的复合膜的强度性能和热稳定性能虽有一定程度的提高，但导热性能不够理想。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种LED封装材料及其制备方法，解决现有的复合膜封装材料力学性能和导热性能不佳的技术问题。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采取如下技术方案：
[0006]一种LED封装材料的制备方法，包括如下步骤：
[0007](1)将纳米金刚石分散在氢氧化钠溶液中，加热搅拌反应，待反应完成后，进行过滤、洗涤、干燥，得到预处理金刚石；
[0008](2)将预处理金刚石分散在去离子水中，然后向其中加入聚乙烯亚胺溶液和环氧氯丙烷，加热搅拌反应，待反应完成后，进行过滤、洗涤、干燥，得到改性金刚石；
[0009](3)将改性金刚石加入到硝酸铜溶液中，分散均匀，振荡吸附4
‑
8h，吸附完成后进行过滤、洗涤、干燥，然后将干燥产物在氢气气氛中煅烧2
‑
3h，得到负载铜的改性金刚石；
[0010](4)将负载铜的改性金刚石加入到聚乙烯醇水溶液中，搅拌混合均匀，超声分散，得到膜液，将膜液铺展到PET薄膜上，在30
‑
40℃下干燥3
‑
5h，然后从PET薄膜上脱模，得到复合薄膜，即为LED封装材料。
[0011]优选的，步骤(1)中，氢氧化钠溶液的浓度为5
‑
10mol/L。
[0012]优选的，步骤(1)中，加热搅拌反应温度为80
‑
90℃，加热搅拌反应时间为8
‑
12h。
[0013]优选的，步骤(2)中，预处理金刚石、聚乙烯亚胺溶液和环氧氯丙烷的质量比为6
‑
10:30
‑
50:5
‑
8。
[0014]优选的，步骤(2)中，聚乙烯亚胺溶液的质量分数为10
‑
20％。
[0015]优选的，步骤(2)中，加热搅拌的温度为60
‑
80℃，加热搅拌时间为3
‑
5h。
[0016]优选的，步骤(3)中，改性金刚石与硝酸铜溶液的质量比为5
‑
10:100，其中硝酸铜
溶液的质量分数为2
‑
3％。
[0017]优选的，步骤(4)中，负载铜的改性金刚石与聚乙烯醇水溶液的质量比为3
‑
4:100。
[0018]优选的，步骤(4)中，聚乙烯醇水溶液的质量分数为8
‑
9％。
[0019]本专利技术还提供由上述制备方法所制备得到的LED封装材料。
[0020]与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：
[0021]本专利技术先对金刚石进行预处理，在交联剂环氧氯丙烷的作用下，将聚乙烯亚胺接枝在金刚石的表面，再通过氨基的螯合作用将铜离子负载在金刚石上，然后在氢气气氛中煅烧，得到负载铜的改性金刚石；本专利技术先对金刚石进行表面修饰改性，提高了金刚石在聚乙烯醇水溶液中的分散性能，然后通过络合作用、煅烧的方式，将铜负载在金刚石的表面，避免了直接加入铜粉易出现团聚的问题，进而增强了薄膜的力学性能和导热性能，同时铜与金刚石的协同作用，有利于热量在薄膜结构中进行传递，此外，聚乙烯亚胺中的氨基与聚乙烯醇中的羟基形成氢键，通过氢键作用，进一步提高了复合膜的力学性能。
具体实施方式
[0022]以下通过具体较佳实施例对本专利技术作进一步详细说明，但本专利技术并不仅限于以下的实施例。
[0023]需要说明的是，无特殊说明外，本专利技术中涉及到的化学试剂均通过商业渠道购买。
[0024]本专利技术中所使用的纳米金刚石购自中科金研(北京)科技有限公司，产品粒径为500nm；
[0025]聚乙烯亚胺购自山东力昂新材料科技有限公司，CAS：9002
‑
98
‑
6，型号：LA
‑
7Q。
[0026]实施例1
[0027]一种LED封装材料的制备方法，包括如下步骤：
[0028](1)将10g纳米金刚石分散在200mL，5mol/L氢氧化钠溶液中，在80℃下加热搅拌反应8h，待反应完成后，进行过滤、洗涤、干燥，得到预处理金刚石；
[0029](2)将6g预处理金刚石分散在100mL去离子水中，然后向其中加入30g，10wt％的聚乙烯亚胺溶液和5g环氧氯丙烷，在60℃下加热搅拌反应3h，待反应完成后，进行过滤、洗涤、干燥，得到改性金刚石；
[0030](3)将5g改性金刚石加入到100g，2wt％硝酸铜溶液中，分散均匀，在室温下振荡吸附4h，吸附完成后进行过滤、洗涤、干燥，然后将干燥产物在氢气气氛中，在400℃下煅烧2h，得到负载铜的改性金刚石；
[0031](4)将3g负载铜的改性金刚石加入到100g，8wt％聚乙烯醇水溶液中，搅拌混合均匀，超声分散，得到膜液，将膜液铺展到PET薄膜上，在30℃下干燥3h，然后从PET薄膜上脱模，得到复合薄膜，即为LED封装材料，其中复合薄膜的厚度为300μm。
[0032]实施例2
[0033]一种LED封装材料的制备方法，包括如下步骤：
[0034](1)将10g纳米金刚石分散在200mL，8mol/L氢氧化钠溶液中，在80℃下加热搅拌反应12h，待反应完成后，进行过滤、洗涤、干燥，得到预处理金刚石；
[0035](2)将10g预处理金刚石分散在100mL去离子水中，然后向其中加入50g，10wt％的聚乙烯亚胺溶液和8g环氧氯丙烷，在80℃下加热搅拌反应3h，待反应完成后，进行过滤、洗
涤、干燥，得到改性金刚石；
[0036](3)将10g改性金刚石加入到100g，3wt％硝酸铜溶液中，分散均匀，在室温下振荡吸附6h，吸附完成后进行过滤、洗涤、干燥，然后将干燥产物在氢气气氛中，在400℃下煅烧3h，得到负载铜的改性金刚石；
[0037](4)将4g负载铜的改性金刚石加入到100g，9wt％本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED封装材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将纳米金刚石分散在氢氧化钠溶液中，加热搅拌反应，待反应完成后，进行过滤、洗涤、干燥，得到预处理金刚石；(2)将预处理金刚石分散在去离子水中，然后向其中加入聚乙烯亚胺溶液和环氧氯丙烷，加热搅拌反应，待反应完成后，进行过滤、洗涤、干燥，得到改性金刚石；(3)将改性金刚石加入到硝酸铜溶液中，分散均匀，振荡吸附4
‑
8h，吸附完成后进行过滤、洗涤、干燥，然后将干燥产物在氢气气氛中煅烧2
‑
3h，得到负载铜的改性金刚石；(4)将负载铜的改性金刚石加入到聚乙烯醇水溶液中，搅拌混合均匀，超声分散，得到膜液，将膜液铺展到PET薄膜上，在30
‑
40℃下干燥3
‑
5h，然后从PET薄膜上脱模，得到复合薄膜，即为LED封装材料。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，氢氧化钠溶液的浓度为5
‑
10mol/L。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，加热搅拌反应温度为80
‑
90℃，加热搅拌反应时间为8
‑
12h。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：何至年，禹凯华，吴学坚，徐钊，库盛辉，赖昆荟，
申请(专利权)人：深圳市佑明光电有限公司，
类型：发明
国别省市：