保护膜的形成方法、半导体芯片的制造方法及涂布液的制备方法技术

本发明专利技术涉及保护膜的形成方法、半导体芯片的制造方法及涂布液的制备方法。提供：在半导体晶片的切割中在半导体晶片的表面形成保护膜的保护膜的形成方法，即使在制造保护膜形成剂后时间经过也能抑制形成的保护膜的异物；采用该保护膜的形成方法的半导体芯片的制造方法；和可用于前述保护膜的形成方法的涂布液的制备方法。在半导体晶片的切割中在半导体晶片的表面形成保护膜的保护膜的形成方法，其具有：保护膜形成剂准备工序，准备保护膜形成剂，其包含水溶性树脂、吸光剂和溶剂，溶剂包含水，且固态成分浓度为20质量％以上；涂布液制备工序，对保护膜形成剂进行稀释制备涂布液；和保护膜形成工序，将涂布液涂布于半导体晶片上形成保护膜。成保护膜。

【技术实现步骤摘要】
保护膜的形成方法、半导体芯片的制造方法及涂布液的制备方法


[0001]本专利技术涉及在半导体晶片的切割中在半导体晶片的表面形成保护膜的保护膜的形成方法、采用该保护膜的形成方法的半导体芯片的制造方法、和可用于前述保护膜的形成方法的涂布液的制备方法。

技术介绍

[0002]半导体器件制造工序中所形成的晶片是将在硅等半导体基板的表面层叠有绝缘膜和功能膜的层叠体根据被称为迹道(street)的格子状的预定分割线进行划分而得到的，由迹道划分出的各区域成为IC、LSI等半导体芯片。
[0003]通过沿着该迹道将晶片切断，可得到多个半导体芯片。另外，在光器件晶片中，层叠有氮化镓系化合物半导体等的层叠体通过迹道被划分成多个区域。通过沿着该迹道的切断，光器件晶片被分割成发光二极管、激光二极管等光器件。这些光器件被广泛用于电气设备。
[0004]过去，这样的晶片的沿着迹道的切断是利用被称为划片机(dicer)的切削装置进行的。但是，该方法中，由于具有层叠结构的晶片是高脆性材料，因此存在下述问题：在利用切削刀片(切削刃)将晶片裁切分割成半导体芯片等时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.保护膜的形成方法，其为在半导体晶片的切割中在半导体晶片的表面形成保护膜的保护膜的形成方法，所述形成方法具有：保护膜形成剂准备工序，准备下述保护膜形成剂，所述保护膜形成剂包含水溶性树脂(A)、吸光剂(B)和溶剂(S)，所述溶剂(S)包含水，并且固态成分浓度为20质量％以上；涂布液制备工序，对所述保护膜形成剂进行稀释从而制备涂布液；和保护膜形成工序，将所述涂布液涂布于半导体晶片上从而形成保护膜。2.如权利要求1所述的保护膜的形成方法，其中，在所述涂布液制备工序中，利用所述溶剂(S)对所述保护膜形成剂进行稀释。3.如权利要求1所述的保护膜的形成方法，其中，所述溶剂(S)包含有机溶剂。4.如权利要求1所述的保护膜的形成方法，其中，在所述保护膜形成剂准备工序之后、且在所述涂布液制备工序之前，具有对所述保护膜形成剂进行保管或移送...

【专利技术属性】
技术研发人员：大久保明日香，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：