一种在石英舟上淀积涂层解决多晶背面高点问题的方法技术

本发明专利技术是一种在石英舟上淀积涂层解决多晶背面高点问题的方法，使用立式LPCVD炉低压化学气相淀积的方式，在淀积温度为600

【技术实现步骤摘要】
一种在石英舟上淀积涂层解决多晶背面高点问题的方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是一种在石英舟上淀积涂层解决多晶背面高点问题的方法。

技术介绍

[0002]半导体功率器件工艺流程中Trench刻蚀后，根据槽的宽度、深度需要淀积一定厚度的多晶进行填充，硅片背面与承片的石英舟齿接触点之间有缝隙，在淀积过程中两者之间的缝隙被多晶填充，工艺结束后，在设备机械手取片时与舟齿接触点的背面粘连多晶形成背面高点(如图1所示)，且淀积厚度越厚，背面多晶高点问题越严重，硅片平整度下降，导致下道工步无法做片。业内普遍使用碳化硅舟承片，且在多晶淀积时无背面多晶高点问题，但国外对国内涉及军工产品的硅片企业限制SIC制品的销售，严重影响生产。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种在石英舟上淀积涂层解决多晶背面高点问题的方法，为打破局限，在现有的条件下，进而提出以下专利技术方法，解决硅片背面多晶高点问题。
[0004]为达到以上目的，提供以下技术方案：
[0005]一种在石英舟上淀积涂层解决多晶背面高点问题的方法，所述方法为：使用立式LPCVD炉低压化学气相淀积的方式，在一定的淀积温度、一定的氨气(NH3)流量、一定的二氯二氢硅(DCS)、一定的淀积压力及一定的淀积速率下进行氮化硅淀积，石英舟在淀积氮化硅时同时在舟上装入监控片，持续一定的时间对监控片进行氮化硅积淀工艺，对监控片积淀一定的厚度。
[0006]优选地，所述氮化硅淀积工艺模块的淀积温度为600
‑r/>800℃。
[0007]优选地，所述氨气(NH3)流量使用范围为100
‑
500SCCM。
[0008]优选地，所述二氯二氢硅(DCS)使用范围为20
‑
100SCCM。
[0009]优选地，所述淀积压力使用范围为0.1
‑
1Torr。
[0010]优选地，所述淀积速率范围为10
‑
30埃/min。
[0011]优选地，所述淀积时间大于等于100min。
[0012]优选地，所述淀积所需厚度大于等于2000埃。
[0013]本专利技术的有益效果为：
[0014]本专利技术方法可解决硅片背面多晶高点问题，通过此方法替代碳化硅舟，突破国外碳化硅舟在国内禁购问题。
附图说明
[0015]图1为本专利技术
技术介绍
中多晶形成背面高点示意图；
[0016]图2为本专利技术实施例的详细工艺步骤参数表；
[0017]图3为本专利技术实施例的舟淀积厚度对应背面高点统计汇总数据表；
[0018]图中所示附图标记为：1
‑
硅片，2
‑
接触点。
具体实施方式
[0019]以下对本设计方案进行详细说明。
[0020]一种在石英舟上淀积涂层解决多晶背面高点问题的方法，方法为：使用立式LPCVD炉低压化学气相淀积的方式，在淀积温度为600
‑
800℃、氨气(NH3)流量使用范围为100
‑
500SCCM、二氯二氢硅(DCS)使用范围为20
‑
100SCCM、淀积压力使用范围为0.1
‑
1Torr及淀积速率范围为10
‑
30埃/min条件下进行氮化硅淀积，石英舟在淀积氮化硅时同时在舟上装入监控片，持续时间大于等于100min对监控片进行氮化硅积淀工艺，对监控片积淀一定的厚度大于等于2000埃。
[0021]实施例
[0022]使用8英寸立式LPCVD炉低压化学气相淀积的方式，分别使用A～I舟装有监控样片进行现有工艺中最厚工艺12000埃厚度多晶淀积，在淀积温度为600
‑
775℃、氨气(NH3)流量使用200SCCM、二氯二氢硅(DCS)使用45SCCM、淀积压力为0.15Torr及淀积速率范围为10
‑
30埃/min条件下进行氮化硅淀积，A～I舟淀积持续时间分别为25min、50min、75min、100min、125min、150min、200min、250min和300min对监控片进行氮化硅积淀工艺(详细工艺步骤参数见表1)，对监控片积淀一定的厚度，淀积完成后通过测试监控片厚度来确认石英舟的厚度满足所需厚度，淀积工艺结束后取片观察监控样片背面多晶高点情况，(舟淀积厚度对应背面高点统计汇总见数据表2)，发现石英舟淀积氮化硅时间在100min及以上、厚度在2000埃及以上对应监控样片背面无多晶高点问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在石英舟上淀积涂层解决多晶背面高点问题的方法，其特征在于，所述方法为：使用立式LPCVD炉低压化学气相淀积的方式，在一定的淀积温度、一定的氨气(NH3)流量、一定的二氯二氢硅(DCS)、一定的淀积压力及一定的淀积速率下进行氮化硅淀积，石英舟在淀积氮化硅时同时在舟上装入监控片，持续一定的时间对监控片进行氮化硅积淀工艺，对监控片积淀一定的厚度。2.根据权利要求1所述的一种在石英舟上淀积涂层解决多晶背面高点问题的方法，其特征在于，所述氮化硅淀积工艺模块的淀积温度为600
‑
800℃。3.根据权利要求1所述的一种在石英舟上淀积涂层解决多晶背面高点问题的方法，其特征在于，所述氨气(NH3)流量使用范围为100
‑
500SCCM。4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈德志，马常宝，韩冰，张波，
申请(专利权)人：吉林华微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：