半导体存储装置制造方法及图纸

实施方式提供一种能够较好地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：衬底；半导体层，在与衬底的表面交叉的第1方向上延伸；第1导电层，在与第1方向交叉的第2方向上延伸，且与半导体层对向；电荷储存层，设置在半导体层与第1导电层之间；及第1接触电极，在第1方向上延伸，且连接于第1导电层。第1接触电极的第1方向上的一端相比第1导电层更远离衬底，第1接触电极的第1方向上的另一端相比第1导电层更靠近衬底。第1导电层具备与半导体层对向的第1部分、及连接于第1接触电极的第2部分。第2部分的第1方向上的厚度比第1部分的第1方向上的厚度大。方向上的厚度大。方向上的厚度大。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
[0001][相关申请案的参照][0002]本申请案享有以日本专利申请案2021
‑
153521号(申请日：2021年9月21日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。


[0003]本实施方式涉及一种半导体存储装置。

技术介绍

[0004]已知一种半导体存储装置，具备：衬底；半导体层，在与该衬底的表面交叉的方向上延伸；导电层，与该半导体层对向；及电荷储存层，设置在这些半导体层与导电层之间。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的问题在于提供一种容易高度集成化的半导体存储装置。
[0006]一实施方式的半导体存储装置具备衬底、半导体层、第1导电层、电荷储存层、及第1接触电极。半导体层在与衬底的表面交叉的第1方向上延伸。第1导电层在与第1方向交叉的第2方向上延伸，且与半导体层对向。电荷储存层设置在半导体层与第1导电层之间。第1接触电极在第1方向上延伸，且连接于第1导电层。第1接触电极的第1方向上的一端相比第1导电层更远离衬底。第1接触电极的第1方向上的另一端相比第1导电层更靠近衬底。第1导电层具备与半导体层对向的第1部分、及连接于第1接触电极的第2部分。第2部分的第1方向上的厚度比第1部分的第1方向上的厚度大。
附图说明
[0007]图1是表示第1实施方式的半导体存储装置的一部分构成的示意性俯视图。
[0008]图2是将图1的一部分放大而表示的示意性俯视图。
[0009]图3是将图1的一部分放大而表示的示意性俯视图。
[0010]图4是将图2所示的结构沿着A
‑
A'线切断并沿着箭头方向观察所得的示意性剖视图。
[0011]图5是图4的B所示的部分的示意性放大图。
[0012]图6是将图3所示的结构沿着C
‑
C'线切断并沿着箭头方向观察所得的示意性剖视图。
[0013]图7是从图6中省略一部分构成而表示的示意性剖视图。
[0014]图8是将图7的一部分放大而表示的示意性剖视图。
[0015]图9是用于对第1实施方式的半导体存储装置的制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0016]图10是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0017]图11是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0018]图12是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0019]图13是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0020]图14是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0021]图15是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0022]图16是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0023]图17是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0024]图18是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0025]图19是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0026]图20是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0027]图21是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0028]图22是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0029]图23是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0030]图24是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0031]图25是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0032]图26是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0033]图27是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0034]图28是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0035]图29是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0036]图30是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0037]图31是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0038]图32是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0039]图33是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0040]图34是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0041]图35是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0042]图36是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0043]图37是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0044]图38是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0045]图39是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0046]图40是用于对第2实施方式的半导体存储装置的制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0047]图41是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0048]图42是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0049]图43是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0050]图44是表示第3实施方式的半导体存储装置的一部分构成的示意性俯视图。
[0051]图45是将图44所示的结构沿着C
‑
C'线切断并沿着箭头方向观察所得的示意性剖视图。
[0052]图46是从图45中省略一部分构成而表示的示意性剖视图。
[0053]图47是将图46的一部分放大而表示的示意性剖视图。
[0054]图48是用于对第3实施方式的半导体存储装置的制造方法进行说明的示意性剖视
图。
[0055]图49是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0056]图50是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0057]图51是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0058]图52是表示第4实施方式的半导体存储装置的一部分构成的示意性俯视图。
[0059]图53是将图52所示的结构沿着C
‑
C'线切断并沿着箭头方向观察所得的示意性剖视图。
[0060]图54是从图53中省略一部分构成而表示的示意性剖视图。
[0061]图55是将图54的一部分放大而表示的示意性剖视图。
[0062]图56是用于对第4实施方式的半导体存储装置的制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0063]图57是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0064]图58是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0065]图59是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0066]图60是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0067]图61是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0068]图62是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
[0069]图63是用于对该制造方法进行说明的示意性剖视图。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：源极层；半导体层，在与所述源极层的表面交叉的第1方向上延伸；第1导电层，积层在所述源极层上方，在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸，且与所述半导体层对向；第2导电层，积层在所述第1导电层上方，在所述第2方向上延伸，且与所述半导体层对向；电荷储存层，设置在所述半导体层与所述第1导电层之间、及所述半导体层与所述第2导电层之间；第1接触电极，在所述第1方向上延伸，一端设置在比所述源极层的表面更靠下方，且连接于所述第2导电层；及绝缘膜，设置在所述一端与所述源极层之间；所述第2导电层具备：第1部分，与所述半导体层对向；及第2部分，连接于所述第1接触电极；且所述第2部分的所述第1方向上的厚度比所述第1部分的所述第1方向上的厚度厚。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1接触电极具备：第3部分，在所述第1方向上延伸，且与所述第1导电层对向；及第4部分，连接于所述第2导电层的所述第2部分；第3方向与所述第1方向及所述第2方向交叉，在包含所述第4部分且与包含所述第2方向及所述第3方向的面平行的第1截面中，所述第1导电层包围所述第4部分的外周面，且连接于所述第4部分的外周面，且在包含所述第3部分且与包含所述第2方向及所述第3方向的面平行的第2截面中，所述第1导电层包围所述第3部分的外周面，且自所述第3部分的外周面分离。3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1截面的所述第1接触电极的粗细是所述第2截面的所述第1接触电极的粗细以上。4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1截面的所述第1接触电极的粗细比所述第2截面的所述第1接触电极的粗细小。5.一种半导体存储装置，其特征在于具备：半导体层，在与源极层的表面交叉的第1方向上延伸；第1导电层，积层在所述源极层上方，在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸，且与所述半导体层对向；第2导电层，积层在所述第1导电层上方，在所述第2方向上延伸，且与所述半导体层对向；第3导电层，设置在所述第2导电层上方；电荷储存层，设置在所述半导体层与所述第1导电层之间、及所述半导体层与所述第2导电层之间；
第1接触电极，在所述第1方向上延伸，一端设置在比所述源极层的表面更靠下方，且连接于所述第2导电层及所述第3导电层；及绝缘膜，设置在所述一端与所述源极层之间；且所述第3导电层的所述第1方向上的厚度比所述第1导电层的所述第1方向上的厚度大。6.一种半导体存储装置，其特征在于具备：半导体层，在与源极层的表面交叉的第1方向上延伸；第1导电层，积层在所述源极层上方，在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸，且与所述半导体层对向；电荷储存层，设置在所述半导体层与所述第1导电层之间；第1接触电极，在所述第1方向上延伸，且连接于所述第1导电层；及第1绝缘层，设置在所述第1接触电极与所述源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：永嶋贤史，宫川英典，高桥笃，樫山翔太，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：