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实施方式提供一种能够较好地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：衬底；半导体层，在与衬底的表面交叉的第1方向上延伸；第1导电层，在与第1方向交叉的第2方向上延伸，且与半导体层对向；电荷储存层，设置在半导体层与第1导电层之间；及...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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