铝酸钆基发光薄膜材料芯片及其制备方法技术

一种铝酸钆基发光薄膜材料芯片，其特征在于薄膜材料芯片的化学组成为：　　　　Ｇｄ↓［１－ｘ］Ａｌ↓［ｙ］Ｏ↓［ｚ］：Ｒｅ↓［ｘ］　　　　式中Ｒｅ为Ｅｕ、Ｐｒ或Ｃｅ三种稀土元素中的一种或任意二种组合，Ｒｅ的掺入量为０～２５％克分子；０≤ｘ≤０．２５，０≤ｙ≤５／３，３／２≤ｚ≤１２／３。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及离子束溅射顺序沉积制备铝酸钆基发光材料芯片，更确切地说涉及一种新型材料研究方法—组合材料芯片技术应用于铝酸钆基发光薄膜材料芯片及其制备，属于组合材料芯片

技术介绍
组合材料芯片(Combinatorial Materials Chips)技术是基于组合化学思想所发展的一种快速发现/优化/筛选新材料的创新技术。它是将薄膜沉积和物理掩膜遮盖技术相结合，在有限面积的衬底上快速、并行制备成百上千个(甚至上万个)化学组成各异的薄膜样品，并通过快速表征技术迅速获得样品的相关结构和性能信息，以比传统方法快百倍、千倍乃至更高的速度快速发现/优化/筛选新材料。而且，这种方法特别适用于化学组成复杂、对微量掺杂敏感的材料体系筛选。由于在衬底上沉积的阵列式样品(或称材料样品库)的排列图形类似集成电路芯片的图形，因此将这种样品库称为“材料芯片”。在组合材料芯片技术中，芯片制备是整个技术应用的前提。自1995年美国劳伦斯-伯克利国家实验室(LBNL)的Xiao-Dong Xiang(项晓东)博士和P.G.Schultz教授在组合材料芯片研究中作出开创性工作以来，针对材料芯片制备技术开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘茜，罗岚，刘庆峰，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：