MEMS悬空以及薄膜结构去层装置以及方法制造方法及图纸

技术编号:36961329 阅读:16 留言:0更新日期:2023-03-22 19:21
本申请提供了一种MEMS悬空以及薄膜结构去层装置以及方法,涉及MEMS技术领域,缓解了目前MEMS悬空以及薄膜结构去层完整度较低的技术问题。装置包括:带标识的隔热胶带、AI摄像机、加热装置、用于执行撕扯动作的机械装置;加热装置对粘贴于目标MEMS晶片上的隔热胶带进行加热,通过加热使隔热胶带上的胶体发生膨胀反应,以使胶体黏在MEMS晶片的薄膜上或黏在悬空结构上;AI摄像机用于采集隔热胶带上多个标识的当前图像,并利用AI摄像机分析当前图像对应的隔热胶带的形变状态;机械装置用于基于隔热胶带的形变状态通过撕扯动作将胶体发生膨胀反应后的隔热胶带从MEMS晶片上分离。胀反应后的隔热胶带从MEMS晶片上分离。胀反应后的隔热胶带从MEMS晶片上分离。

【技术实现步骤摘要】
MEMS悬空以及薄膜结构去层装置以及方法


[0001]本申请涉及MEMS
,尤其是涉及一种MEMS悬空以及薄膜结构去层装置以及方法。

技术介绍

[0002]微机电系统(MEMS,Micro

Electro

Mechanical System),也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等,指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置。MEMS器件一般都具有感应外界信号的可动部件或者悬空结构,如薄膜或者微梁,大部分元件还具有Si杯空腔或高深宽比的立体结构,这些可动部件和立体结构需要足够大的空腔作为运动空间,同时还要防止灰尘、为了满足这些需求而采用了晶圆键合,而晶圆键合手段很多,主要有阳极键合、Si直接键合、玻璃熔封键合、共晶键合、热压键合和粘接键合等。而当样品需要做结构分析或者成分分析以及材料分析时就需要对MEMS进行开封和去层,目前对MEMS的结构分析或者成分以及材料分析还没有较好的方法。
[0003]目前,各实验室还无法完整的对MEMS的悬空以及薄膜型结构进行完整的去层分析,导致目前MEMS悬空以及薄膜结构去层完整度较低。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种MEMS悬空以及薄膜结构去层装置以及方法,以缓解目前MEMS悬空以及薄膜结构去层完整度较低的技术问题。
[0005]第一方面,本申请实施例提供了一种MEMS悬空以及薄膜结构去层装置,所述装置包括:带标识的隔热胶带、AI摄像机、加热装置、用于执行撕扯动作的机械装置;所述标识固定设置于所述隔热胶带上;
[0006]所述加热装置用于对粘贴于目标MEMS晶片上的所述隔热胶带进行加热,通过加热使所述隔热胶带上的胶体发生膨胀反应,以使所述胶体黏在所述MEMS晶片的薄膜上或黏在悬空结构上;其中,所述MEMS晶片的背面黏有具有粘性的锡纸,所述锡纸上有透气部位;所述隔热胶带粘贴于所述目标MEMS晶片的正面;
[0007]所述AI摄像机用于采集所述隔热胶带上多个所述标识的当前图像,并利用AI芯片分析所述当前图像对应的所述隔热胶带的形变状态;
[0008]所述机械装置用于基于所述隔热胶带的形变状态通过撕扯动作将胶体发生膨胀反应后的所述隔热胶带从所述MEMS晶片上分离,以对所述MEMS晶片的顶层结构进行去层。
[0009]在一个可能的实现中,所述机械装置连接有步进电机,所述步进电机用于控制所述机械装置执行撕扯动作。
[0010]在一个可能的实现中,所述AI摄像机具体用于:
[0011]将所述当前图像中的所述标识的位置与指定图像中的所述标识的位置进行AI比对,得到AI比对结果;
[0012]根据所述AI比对结果中所述标识的位置变化差异确定所述隔热胶带的形变状态。
[0013]在一个可能的实现中,所述步进电机还用于:
[0014]根据所述隔热胶带的形变状态向所述机械装置发送运行指令或停止指令。
[0015]在一个可能的实现中,所述标识包括标记点和/或标记线。
[0016]在一个可能的实现中,所述标记点和/或标记线均匀的标记于所述隔热胶带上。
[0017]在一个可能的实现中,所述加热装置为热风枪。
[0018]在一个可能的实现中,所述锡纸上的所述透气部位为通过刀具划开的口部。
[0019]在一个可能的实现中,还包括:光学显微镜装置;
[0020]所述光学显微镜装置用于获取所述MEMS晶片的内部结构信息。
[0021]第二方面,提供了一种MEMS悬空以及薄膜结构去层方法,其特征在于,所述方法包括:
[0022]获取待去层的MEMS晶片,其中,所述MEMS晶片的正面黏有的隔热胶带,所述MEMS晶片的背面黏有具有粘性的锡纸,所述锡纸上有透气部位;
[0023]对所述MEMS晶片上的所述隔热胶带进行加热,通过加热使所述隔热胶带上的胶体发生膨胀反应,以使所述胶体黏在所述MEMS晶片的薄膜上或黏在悬空结构上;
[0024]将所述胶体发生膨胀反应后的所述隔热胶带从所述MEMS晶片上撕下,以使所述MEMS晶片去层。
[0025]在一个可能的实现中,所述对所述MEMS晶片上的所述隔热胶带进行加热,包括:
[0026]利用热风枪对所述MEMS晶片上的所述隔热胶带进行加热。
[0027]在一个可能的实现中,所述锡纸上的所述透气部位为通过刀具划开的口部。
[0028]在一个可能的实现中,所述隔热胶带为隔热透明胶带。
[0029]在一个可能的实现中,所述将所述胶体发生膨胀反应后的所述隔热胶带从所述MEMS晶片上撕下,以使所述MEMS晶片去层之后,还包括:
[0030]通过光学显微镜获取所述MEMS晶片的内部结构信息。
[0031]本申请实施例带来了以下有益效果:
[0032]本申请实施例提供的一种MEMS悬空以及薄膜结构去层装置以及方法,装置包括:带标识的隔热胶带、AI摄像机、加热装置、用于执行撕扯动作的机械装置,所述标识固定设置于所述隔热胶带上,所述加热装置用于对粘贴于目标MEMS晶片上的所述隔热胶带进行加热,通过加热使所述隔热胶带上的胶体发生膨胀反应,以使所述胶体黏在所述MEMS晶片的薄膜上或黏在悬空结构上,其中,所述MEMS晶片的背面黏有具有粘性的锡纸,所述锡纸上有透气部位,所述隔热胶带粘贴于所述目标MEMS晶片的正面,所述AI摄像机用于采集所述隔热胶带上多个所述标识的当前图像,并利用AI芯片分析所述当前图像对应的所述隔热胶带的形变状态,所述机械装置用于基于所述隔热胶带的形变状态通过撕扯动作将胶体发生膨胀反应后的所述隔热胶带从所述MEMS晶片上分离,以对所述MEMS晶片的顶层结构进行去层,本方案中,利用隔热胶带和有粘性的锡纸,通过撕扯及加热手段等物理方式进行MEMS去层获取MEMS下层结构信息,或者去除上层结构或者薄膜对下层结构或者薄膜进行材料分析,能够完整的对MEMS的悬空以及薄膜型结构进行完整的去层分析,使得MEMS悬空以及薄膜结构去层完整度提高,缓解了目前MEMS悬空以及薄膜结构去层完整度较低的技术问题,再者,撕扯上述隔热胶带的过程由于存在一定的弹性势能,容易造成撕扯力度不均匀,甚至胶带未脱离彻底而附着表面进而造成其与下层过快脱离而发生器件的损坏,而本方案中,
通过隔热胶带上固定的标识并利用AI摄像机根据这些标识的图像分析隔热胶带在撕扯过程中的形变状态,便于机械装置根据隔热胶带的形变状态来实时调整撕扯动作的进行,使撕扯的过程能够根据隔热胶带的形变状态来进行调整,使MEMS去层的过程更加精细,以使MEMS的去层效果能够更加完整,更进一步的缓解了目前MEMS悬空以及薄膜结构去层完整度较低的技术问题。
[0033]为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS悬空以及薄膜结构去层装置,其特征在于,所述装置包括:带标识的隔热胶带、AI摄像机、加热装置、用于执行撕扯动作的机械装置;所述标识固定设置于所述隔热胶带上;所述加热装置用于对粘贴于目标MEMS晶片上的所述隔热胶带进行加热,通过加热使所述隔热胶带上的胶体发生膨胀反应,以使所述胶体黏在所述MEMS晶片的薄膜上或黏在悬空结构上;其中,所述MEMS晶片的背面黏有具有粘性的锡纸,所述锡纸上有透气部位;所述隔热胶带粘贴于所述目标MEMS晶片的正面;所述AI摄像机用于采集所述隔热胶带上多个所述标识的当前图像,并利用AI芯片分析所述当前图像对应的所述隔热胶带的形变状态;所述机械装置用于基于所述隔热胶带的形变状态通过撕扯动作将胶体发生膨胀反应后的所述隔热胶带从所述MEMS晶片上分离,以对所述MEMS晶片的顶层结构进行去层。2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述机械装置连接有步进电机,所述步进电机用于控制所述机械装置执行撕扯动作。3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述AI摄像机具体用于:将所述当前图像中的所述标识的位置与指定图像中的所述标识的位置进行AI比对,得到AI比对结果;根据所述AI比对结果中所述标识的位置变化差异确定所述隔热胶带的形变状态。4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述步进电机还用于:根据所述隔热胶带的形变状态向所述机械装置发送运行指令或停止指令。5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述标识包括标记点和/或标记线。6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:范小涛高强
申请(专利权)人:上海季丰电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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