自发光面板的制造方法技术

本发明专利技术的课题是防止自发光面板所具备的自发光元件中的下部电极与上部电极短路。自发光面板（１００）在基板（１０１）与密封基材（１０３）之间密封有自发光元件（１０２），该自发光元件（１０２）在下部电极（１０６）与上部电极（１０７）之间设置了含发光层的成膜层（１０８），在这样的自发光面板（１００）的制造方法中，在下部电极（１０６）的密封基材（１０３）侧形成成膜层（１０８）的成膜层形成工序中，进行包埋处理下部电极（１０６）中的凸部的凸部包埋处理工序和包埋处理下部电极（１０６）中的凹部的凹部包埋处理工序，之后，在成膜层（１０８）的密封基材（１０３）侧上形成上部电极（１０７）。由此可以防止下部电极（１０６）与上部电极（１０７）的短路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
在电极对之间设置有含发光层的成膜层的自发光元件是通过在该电极之间施加电压使得发光层内的空穴和电子再结合来发光的。自发光元件被用于显示器或进行照明或者各种信息显示等的自发光面板。自发光面板具有如下构成，其中，在基板上形成有一个或多个自发光元件，并通过密封方法进行了密封。在此所言的密封方法可例举出通过密封基材进行气密密封的方法、在基板与密封基材之间填充树脂等的固体密封方法以及用具有壁垒性的薄层状或膜状的密封基材来覆盖自发光元件的方法。在自发光元件中具有比如通过有机化合物来形成发光层的有机EL(Electro Luminescence，电致发光)元件等。在成膜层正确地介于电极之间的场合下，有机EL元件显示二极管特性。但是，如果在基板上存在瑕疵、突起或异物等，电极或成膜层是以被扰乱的状态成膜的。以被扰乱状态成膜的成膜层中，在局部上存在层的厚度薄的部位。层厚度薄的部位绝缘耐性降低。同样，如果导电性异物附着在基板上，电极和成膜层也是以被扰乱的状态成膜的，仍会在局部产生绝缘耐性低的部位。有机EL元件中的绝缘耐性低的部位不显示二极管特性。而且，有机EL元件中的绝缘耐性低的部位会发生电极间短路，或者形成低阻抗而成为所谓的发生漏电的状态。漏电的发生是元件损坏、驱动不良或显示不良等的原因，因此在制造时发生漏电的自发光面板被当作次品。在这种次品发生率高的场合下，自发光面板制造中的成品率低，因此增加了自发光面板的制造单价。为了消除这种弊端，以前公开了对下部电极中的凸部进行包埋处理的各种技术(例如参照下列专利文献1～6)。日本特开2000-91067号公报日本特开2001-68272号公报日本特开2001-267071号公报日本特开平09-245965号公报日本特开平08-54833号公报日本特表2001-523768号公报
技术实现思路
然而，在上述专利文献1～6所述的以往技术中，任何一种技术都是对下部电极中的凸部的包埋处理，而不是解决因下部电极中的凹部的原因所产生的问题的技术。据认为，即使在同一下部电极中，在局部绝缘耐性降低是因凸部引起的情况下和在局部绝缘耐性降低是因凹部引起的情况下，用于提高绝缘耐性的方案是不同的，但是在包括上述专利文献1～6在内的以往技术中，存在的问题是难以防止因凹部引起的漏电的发生。因此，本专利技术以处理这样的问题点作为课题之一。即，本专利技术的目的在于防止下部电极与上部电极的短路。本专利技术的目的还在于防止下部电极与上部电极的短路所导致的漏电发生。进而，本专利技术的目的还在于提高自发光面板制造中的成品率从而抑制自发光面板制造单价的增加。为了解决上述课题，达到目的，方案1的专利技术涉及，其是在基板上设置有在下部电极与上部电极之间设有含发光层的成膜层的自发光元件的，其特征在于，其包含如下工序下部电极形成工序，在上述基板上形成上述下部电极；成膜层形成工序，在通过上述下部电极形成工序形成的下部电极的上述密封基材侧形成成膜层；凸部包埋处理工序，在上述成膜层形成工序中包埋处理因上述下部电极形成工序形成的下部电极中的凸部；凹部包埋处理工序，在上述成膜层形成工序中包埋处理因上述下部电极形成工序形成的下部电极中的凹部；上部电极形成工序，在通过上述成膜层形成工序形成的成膜层的上述密封基材侧形成上部电极。此外，方案11的专利技术涉及，其是在基板上形成有在下部电极与上部电极之间设有含发光层的成膜层的自发光元件的，其特征在于，其包含如下工序下部电极形成工序，在上述基板上形成上述下部电极；成膜层形成工序，在通过上述下部电极形成工序形成的下部电极的上部形成成膜层；第1道包埋处理工序，在上述成膜层形成工序中包埋因上述下部电极形成工序形成的下部电极中的凹部或者凸部的至少一方；第2道包埋处理工序，在上述成膜层形成工序中对通过上述第1道包埋处理工序包埋了凹部或者凸部的至少一方的下部电极，包埋该下部电极中的凹部或者凸部的至少未被包埋的一方；上部电极形成工序，在通过上述成膜层形成工序形成的成膜层的上部形成上部电极。附图说明图1是表示采用本专利技术实施方式中的自发光面板制造方法制成的自发光面板的纵断侧面图。图2是表示采用本专利技术实施方式中的自发光面板制造方法制成的其他自发光面板的纵断侧面图。图3是表示基于自发光面板一般制造方法的工序流程的流程图。图4-1是表示下部电极形成后产生的凸部的纵断侧面图。图4-2是表示下部电极形成后产生的凸部的纵断侧面图。图4-3是表示下部电极形成后产生的凹部的纵断侧面图。100自发光面板101基板102自发光元件103密封基材 106下部电极107上部电极108成膜层具体实施方式下面参照附图，详细地说明本专利技术涉及的自发光面板制造方法所优选的实施方式。(自发光面板的简要构成)图1是表示采用本实施方式中的自发光面板制造方法制成的自发光面板的纵断侧面图。采用本专利技术实施方式中的自发光面板制造方法制成的自发光面板100具有基板101、自发光元件102、密封基材103、粘合剂104及干燥剂105。作为形成基板101的材料，例如可以使用玻璃或者塑料等。自发光面板100，除了被应用于手机、车载用监控器、家电的操作监控器、个人电脑及电视等的点矩阵显示器面板之外，还被应用于钟表及宣传用板的固定显示器、扫描仪及打印机的光源、照明、液晶的背面光等各种信息设备的显示部等。在自发光面板100中，有使自发光元件102排成点矩阵状的形式、形成图标部(固定显示部)的显示部、平面的二维形状或所谓球面状的三维形状的形式以及大小从小型用到极光影像等大型屏幕等各种形式。作为代表性的自发光元件，有有机EL元件。有机EL元件也称为有机电致发光元件、有机EL(OEL)设备、有机发光二极管(OLED)设备、电场发光光源，但是在本实施方式中称为有机EL元件。下面，作为有机EL元件说明的是自发光元件102，添加了符号102进行说明。在形成有机EL元件102的有机材料(发光材料或电荷注入·输送材料)中，可以采用高分子材料，也可以采用低分子材料。现在，随着材料开发和制造程序开发的进步，采用低分子材料的有机EL元件102作为显示设备已被商品化。在本实施方式中，说明一例在有机材料中采用低分子材料的情况。此外，在本实施方式中，将一对电极之间的元件结构称为“有机EL元件”。一般而言，有机EL元件102如图1所示，具有在下部电极(在本实施方式中是阳极(空穴注入电极))106与上部电极(在本实施方式中是阴极(电子注入电极))107之间夹有成膜层108的结构。成膜层108可以有至少1层的发光层，此外，也可以有层积了具有其他多种功能的有机层等的结构。在有机EL元件102中，一般具有“下部电极(阳极)/空穴注入层/空穴输送层/有机EL发光层/电子输送层/电子注入层/上部电极(阴极)”(省略符号)的层结构。形成成膜层108的各层，既可以都用单一的有机材料来形成，也可以是混合有多种材料的物质(混合层)或者是在高分子粘合剂中分散有有机材料或无机材料的功能材料(电荷输送功能、发光功能、电荷限制功能、光学功能等)的物质。此外，有机EL元件102还有如下各种构成形式下部电极106为阴极(上部电极作为阳极)的构成、成膜层108中的发光层为多层的构成、有机EL元件102多重层积的构成(SOLEDS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自发光面板的制造方法，其是一种在基板上设有自发光元件的自发光面板的制造方法，所述自发光元件在下部电极与上部电极之间设置有含发光层的成膜层，其特征在于，含有如下工序：下部电极形成工序，在所述基板上形成所述下部电极； 成膜层形成工序，在通过所述下部电极形成工序形成的下部电极的上部形成成膜层；凸部包埋处理工序，在所述成膜层形成工序中包埋处理因所述下部电极形成工序形成的下部电极中的凸部；凹部包埋处理工序，在所述成膜层形成工序中包埋处理因所述下 部电极形成工序形成的下部电极中的凹部；上部电极形成工序，在通过所述成膜层形成工序形成的成膜层的上部形成上部电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：尾越国三，
申请(专利权)人：东北先锋公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]